上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1. 應(yīng)用于 Thermal 熱蒸鍍設(shè)備, e-beam 電子束蒸發(fā)設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子束輔助沉積工藝 IBAD

KRi 考夫曼離子源作用: 推薦使用考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 離子源增強(qiáng)設(shè)計輸出低電流高能量寬束型離子束. 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.

KRi 考夫曼離子源無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

2. 應(yīng)用于濺射和蒸發(fā)工藝中, 表面預(yù)清潔 PC

美國 KRi 考夫曼離子源作用: MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等. 了解詳情 13918837267

3. 離子束濺射沉積單層和多層結(jié)構(gòu) IBSD 或 直接沉積薄的, 硬的, 功能性的涂層 DD

美國 KRi 考夫曼離子源作用: 推薦使用射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 通常安裝兩個離子源(主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源).

使用 KRi 離子源提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜, 非常適用于復(fù)雜, 精密的多層薄膜制備.

4. 應(yīng)用于離子束刻蝕機(jī) IBE, 各類材料的離子束刻蝕

美國 KRi 考夫曼離子源作用: 推薦使用射頻離子源 RFICP 系列實(shí)現(xiàn)干式, 物理, 納米級蝕刻, 可以刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 超導(dǎo)體等.

氣體通入離子源的放電室中, 電離產(chǎn)生均勻的等離子體, IBE 離子束刻蝕系統(tǒng)由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進(jìn)行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料除去, 進(jìn)而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程. 了解詳情 13918837267

5. 離子束拋光工藝 IBF

美國 KRi 考夫曼離子源作用: 推薦使用考夫曼離子源 KDC 系列, 離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學(xué)零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機(jī)的核心部件.

KRi 考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面.

1978 年 Dr.Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源.

美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域