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充電器芯片U6218C的主要特性

開關電源芯片 ? 來源:開關電源芯片 ? 2025-02-24 11:02 ? 次閱讀
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智能化設備的質量與可靠性均與大多數(shù)的電磁兼容(EMC)、電磁干擾(EMI)問題有關,而PCB的布局和堆疊設計是這其中重要的一環(huán)。充電器芯片U6218C設計的軟驅動功能的驅動電路優(yōu)化了系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)部設計有Gate高電平16V鉗位電路,以防止高VDD輸入時Gate受損。

PCB設計電源的EMI,ESD等性能有顯著影響,充電器芯片U6218C設計原邊回路時建議參考以下內(nèi)容(詳盡資料可參照規(guī)格書):

●原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應盡可能小,同時走線應盡可能粗以優(yōu)化效率。

●RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應盡可能小。

●VDD 電容C3應緊貼芯片,保證VDD 回路(Loop3)的面積盡可能小。

●如 Line1 所示,輔助繞組應直接連接到輸入容的地,以減少ESD能量對于芯片的干擾。

●如 Line2 所示,VDD電容C3及FB下阻R5應先連接到芯片的GND管腳,再連接到輸入電容的地。

充電器芯片U6218C主要特性:

充電器芯片U6218C主要特性:

●集成功率 MOSFET

●高效率準諧振式原邊控制

高精度恒壓、恒流輸出

●待機功耗 <75mW@265Vac

●多模式原邊控制方式

●工作無異音

●優(yōu)異的動態(tài)響應

●優(yōu)化的 EMI 性能

●內(nèi)置線損補償

●集成單點失效保護

●集成完善的保護功能:

短路保護 (FB SLP)

過溫保護 (OTP)

FB 過壓保護 (FB OVP)

VDD 過欠壓保護和鉗位保護

●封裝形式 SOP-8

為了滿足嚴苛的平均效率和待機功耗要求,充電器芯片U6218C采用了調(diào)幅控制(AM)和調(diào)頻控制(FM)結合的多模式控制技術。重載條件下,U6218C工作在準諧振狀態(tài),以保證優(yōu)異的效率和溫升性能。隨著負載降低,芯片先后進入調(diào)頻模式(FM)和調(diào)幅模式(AM),以達到提高輕載效率和降低噪音的目的。

深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的綠色節(jié)能充電器芯片,不僅可以幫助客戶降低產(chǎn)品的耗能和提升效率,還能實現(xiàn)高效產(chǎn)品更高性能優(yōu)化設計,促進高效和可持續(xù)的雙贏,提升電子設備的質量與可靠性!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:充電器芯片U6218C實現(xiàn)高效產(chǎn)品更高性能優(yōu)化設計

文章出處:【微信號:gh_3980db2283cd,微信公眾號:開關電源芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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