具有集成驅動器和保護功能的 LMG3522R030-Q1 GaN FET 以開關模式電源轉換器為目標，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。

LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅動器，可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴?？烧{節(jié)的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉換速率，可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關性能。

*附件：LMG3522R030-Q1 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650 V 30 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，從而簡化了器件負載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 結溫：–40°C 至 +150°C，TJ
• 650V 硅基氮化鎵 FET，帶集成柵極驅動器
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET 抑制
  • 2MHz 開關頻率
  • 20V/ns 至 150V/ns 轉換速率，用于優(yōu)化開關性能和 EMI 抑制
  • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
• 強大的保護
  • 逐周期過流和鎖存短路保護，具有 < 100ns 響應
  • 在硬開關時可承受 720V 浪涌
  • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控進行自我保護
• 高級電源管理
  • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
• 頂部冷卻的 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣和熱路徑分開，以實現(xiàn)最低功率環(huán)路電感

參數(shù)

方框圖

應用
?開關模式功率轉換器
?商戶網(wǎng)絡和服務器PSU
?商業(yè)電信整流器
?車載（OBC）和無線充電器
?DC/DC轉換器

*附件：管理熱能：突破功率密度障礙的三種方法.pdf

*附件：用集成GaN解決方案提高功率密度的技術文章.pdf

*附件：實現(xiàn)GaN產(chǎn)品的終身可靠性.pdf