LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)（可將開關(guān)損耗降低多達 80%）以及低開關(guān)節(jié)點振鈴（可降低 EMI）。這些優(yōu)勢實現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結(jié)構(gòu)。
*附件：具有集成驅(qū)動器和保護功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

LMG341xR150 通過集成一組獨特的功能來簡化設(shè)計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動可在接近零的 V 電壓下實現(xiàn) 100 V/ns 的開關(guān)DS 系列振鈴、小于 100ns 的電流限制響應(yīng)可針對意外的擊穿事件進行自我保護，過熱關(guān)斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控功能。

特性

• TI GaN 工藝通過加速可靠性應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)配置文件認證
• 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
  • 優(yōu)于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
  • 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝，易于設(shè)計和布局
  • 可調(diào)節(jié)的驅(qū)動強度，用于開關(guān)性能和 EMI 控制
  • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
  • 只需要 +12 V 的非穩(wěn)壓電源
• 集成柵極驅(qū)動器
  • 零共源電感
  • 高頻設(shè)計的傳播延遲為 20ns
  • 用于補償閾值變化的微調(diào)柵極偏置電壓可確?？煽康拈_關(guān)
  • 25V/ns 至 100V/ns 可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
• 強大的保護
  • 無需外部保護元件
  • 具有 <100 ns 響應(yīng)的過流保護
  • 大于 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率抗擾度
  • 瞬態(tài)過壓抗擾度
  • 過熱保護
  • 所有電源軌上的欠壓鎖定 （UVLO） 保護
• 設(shè)備選項：
  • LMG3410R150 ：鎖存過流保護
  • LMG3411R150 ：逐周期過流保護

參數(shù)

方框圖

1. 基本信息

• ?型號?：LMG341xR150
• ?電壓等級?：600V
• ?導(dǎo)通電阻?：150mΩ
• ?功能?：集成驅(qū)動器、保護功能
• ?制造商?：Texas Instruments

2. 關(guān)鍵特性

• ?集成驅(qū)動器?：內(nèi)置低電感驅(qū)動器，支持高達100V/ns的開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗和EMI。
• ?保護功能?：
  • 過流保護（OCP）：快速響應(yīng)（<100ns），可選循環(huán)周期過流保護（LMG3411R150）或鎖定過流保護（LMG3410R150）。
  • 過溫保護（OTP）：防止熱失控，具有UVLO（欠壓鎖定）保護功能。
  • 瞬態(tài)過電壓免疫：增強系統(tǒng)可靠性。
• ?高效率?：零反向恢復(fù)電荷，降低開關(guān)損耗。
• ?封裝?：8mm × 8mm QFN封裝，便于設(shè)計和布局。

3. 電氣規(guī)格

• ?最大漏源電壓?：600V
• ?最大連續(xù)漏極電流?：
  • @ Tj = 25°C：17A
  • @ Tj = 100°C：13.5A
• ?最大脈沖漏源電流?：43A
• ?柵極驅(qū)動電壓?：+12V未調(diào)節(jié)電源
• ?內(nèi)部LDO輸出?：5V，用于外部數(shù)字隔離器
• ?熱阻?：
  • θ JA ：28.6°C/W
  • θ JC(top) ：9.9°C/W
  • θ JC(bot) ：1.4°C/W

4. 開關(guān)性能

• ?最大開關(guān)頻率?：支持高頻設(shè)計
• ?可調(diào)驅(qū)動強度?：通過RDRV引腳調(diào)整，控制開關(guān)性能和EMI。
• ?快速傳播延遲?：20ns，適用于高頻應(yīng)用。

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 工業(yè)AC-DC轉(zhuǎn)換器
• 筆記本電腦電源適配器
• LED顯示屏
• 伺服驅(qū)動器電源級

6. 設(shè)計指南

• ?布局建議?：使用四層或更多層PCB，最小化電源環(huán)路電感。
• ?旁路電容?：推薦在關(guān)鍵位置使用小尺寸、表面貼裝電容。
• ?信號隔離?：在高側(cè)和低側(cè)電路之間使用高速數(shù)字隔離器，確保信號完整性。

7. 電源推薦

• ?高側(cè)供電?：推薦使用隔離電源或自舉二極管供電。
• ?隔離電源設(shè)計?：注意最小化互繞電容，減少開關(guān)損耗。
• ?自舉二極管選擇?：選擇低反向恢復(fù)電荷和高頻性能的二極管。