三極管優(yōu)點：耐壓高；缺點：電流驅(qū)動

MOS管優(yōu)點：開關(guān)速度快，電壓驅(qū)動

一、一鍵開關(guān)機電路（小魚冠名）

（知識點不多，但是電路設(shè)計很巧妙）

1.1效果

按下按鍵松開→

再次按下按鍵松開→

1.2電路過程及原理

1.2.1上電，開關(guān)斷開

上電時，開關(guān)斷開→通過，給電容充電→電容上方電壓達到→三極管基級電壓為0→三極管斷開→MOS管柵極電壓為→不小于負的→MOS管關(guān)斷→

1.2.2按下開關(guān)

電容電壓為→三極管基級電壓為，三極管導(dǎo)通；同時通過放電→MOS管柵極經(jīng)三極管導(dǎo)通至地，MOS管柵極電壓為0→小于負的→MOS管導(dǎo)通→，電路處于開機狀態(tài)。

1.2.3松開按鍵

當電容電壓放電到等于三極管BE之間的開啟電壓，約0.7v時，三極管飽和導(dǎo)通電流由通過提供，三極管一直開啟。這時即使松開按鍵，電路仍處于開機狀態(tài)。

三極管導(dǎo)通時，集電極的電壓約0，所以電容的電壓也會接近于0。

1.2.4再次按下按鍵

按下按鍵→電容上端電壓為0，三極管基級電壓為0→三極管斷開，MOS管柵極電壓為→MOS管關(guān)閉→

其中，由于電阻選取的非常大，使不能通過，使三極管導(dǎo)通，而且電容的電壓也不能升高。

1.2.5松開按鍵

松開按鍵，通過，給電容充電→電容上方電壓達到，再次按下按鍵后，電路又處于開機狀態(tài)。

1.3器件參數(shù)

輸入電壓3~6v，器件參數(shù)可以參考下面的數(shù)值。

1.4電路缺點

當輸出端連接的負載電容比較大時，容易出現(xiàn)MOS管關(guān)不斷的情況?？梢栽谳敵龆藢Φ亟右粋€幾百歐的限流電阻，原因如上。

1.5陳氏總結(jié)

縱觀整個電路過程：開關(guān)控制電容，電容控制三極管，三極管控制MOS管。

二、延時開關(guān)電路

（本電路知識很基礎(chǔ)，但是講解過程非常聯(lián)系單片機實際情況）

2.1效果

配合單片機程序?qū)崿F(xiàn)長按兩秒開關(guān)機，短暫按下松開其他需要的功能。

2.2電路說明

=單片機上電電壓=3.3V

單片機輸出口：單片機寫信號

單片機輸入口：給單片機信號

的作用：反饋給單片機開關(guān)S1按下與否的狀態(tài)。

D4上拉電阻接到3.3v，即單片機的一直是高電平，除非按下按鍵，D4就導(dǎo)通將拉低到0.7V。由于口寫程序的時候，有上下限，例如在1v以下都是低電平，2.5v以上都是高電平（模數(shù)轉(zhuǎn)換）。

2.3電路過程及原理

2.3.1按下和松開開關(guān)

按下開關(guān)后，電流通過→R15→D5→S1→GND將G點電壓下拉為二極管的管壓降0.3v。，MOS管導(dǎo)通，很小，單片機上電。接受開關(guān)關(guān)閉的信號后，單片機將設(shè)置成高電平，此時由于Q9導(dǎo)通，無論開關(guān)是按下還是沒有按下，MOS管始終導(dǎo)通。

類比上一個電路，該電路此時如果誤操作了開關(guān)也沒有事，由處的高電平來保證單片機上電，不像上一個電路利用不太可靠的電容充放電。

2.3.2延時兩秒開關(guān)機

利用對開關(guān)的監(jiān)視功能，開/關(guān)機時開關(guān)閉合兩秒，單片機系統(tǒng)做亮屏/息屏、接通/斷開傳感器、設(shè)置高/低電平等動作，松開按鈕徹底開/關(guān)機。監(jiān)視下還可以編寫短暫開關(guān)鍵的其他作用，達到長按兩秒開關(guān)機，按一下就松開是其他功能。

三、與門電路（跟我學(xué)電腦冠名）

（本電路十分簡單，但是別出心裁的使用方法）

3.1效果

兩個三極管都給高電平導(dǎo)通才可以驅(qū)動MOS管，輸出才有電壓。

四、H冠名

4.1效果

該電路和二中的電路有異曲同工之妙。

該電路可以實現(xiàn)軟開啟功能，增加一個電容（C1），一個電阻（R2）。

軟開啟，是指電源緩慢開啟，以限制電源啟動時的浪涌電流。

4.2電路過程及原理

4.2.1不上電且Control 為低電平或高阻

控制電源開關(guān)的輸入信號Control 為低電平或高阻時→三極管Q2的基極被拉低到地，為低電平→Q2不導(dǎo)通→MOS管Q1的Vgs = 0（電源沒上電）→MOS管Q1不導(dǎo)通→+5V_OUT 無輸出。

電阻R4是為了在 Control 為高阻時，將三極管Q2的基極固定在低電平，不讓其浮空。

4.2.2剛上電且Control 為低電平或高阻（實現(xiàn)軟啟動）

當電源 +5V_IN 剛上電時，要求控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 仍為低電平或高阻，即關(guān)閉三極管Q2，從而關(guān)閉MOS管Q1。

因 +5V_IN 還不穩(wěn)定，不能將電源打開向后級電路輸出。

電源 +5V_IN 上電完成后，MOS管G極與S極兩端均為5V，仍然Vgs = 0。

電容上沒有充電。

4.2.3上電完成且Control 為高電平

①三極管Q2的基極為0.7V，可算出基極電流Ibe為：

（3.3V - 0.7V） / 基極電阻R3 = 0.26mA

②三級管Q2飽和導(dǎo)通，Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電（現(xiàn)在由于三極管可以導(dǎo)地了），即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V，導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。

③MOS管Q1的Vgs緩慢增大，令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。

④利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開（導(dǎo)通），實現(xiàn)了軟開啟的功能。

4.2.4上電完成且Control 為低電平

電源完全打開后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。

此時將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。

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