概述

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

數(shù)據(jù)表：*附件：DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊.pdf
特性

• 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年
• 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護
• 沒有寫次數(shù)限制
• 低功耗CMOS操作
• 70ns的讀寫存取時間
• 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)
• ±10% VCC工作范圍(DS1249Y)
• 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1249AB)
• 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND
• JEDEC標準的32引腳DIP封裝
  引腳配置
  
  DS1249AB為高于4.75伏的Vcc提供全功能，并在4.5伏時提供寫保護。DS1249Y為高于4.5伏的Vcc提供全功能能力，并提供4.25伏的寫保護。在沒有Vcc的情況下保持數(shù)據(jù)，而不需要任何額外的支持電路。非易失性靜態(tài)ram持續(xù)監(jiān)控Vcc。如果電源電壓下降，NV會自動進行寫保護，所有輸入變?yōu)椤盁o關(guān)”，所有輸出變?yōu)楦咦钁B(tài)。當Vcc降至約3.0伏以下時，電源開關(guān)電路將鋰能源連接到RAM以保存數(shù)據(jù)。在加電期間，當Vcc上升到大約3.0伏以上時，電源開關(guān)電路將外部Vcc連接到RAM，并斷開鋰能源。在Vcc超過DS1249AB的4.75伏和DS1249Y的4.5伏后，RAM可以恢復(fù)正常工作。
  交流電氣特性