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TPS7H1210-SEP 耐輻射、-3V 至 -16.5V 輸入、1A、負(fù)線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-02-27 15:28 ? 次閱讀
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TPS7H1210-SEP 負(fù)電壓線性穩(wěn)壓器是一款低噪聲、高 PSRR 穩(wěn)壓器,能夠提供最大 1 A 的負(fù)載。

穩(wěn)壓器包括一個 CMOS 邏輯電平兼容的使能引腳 (EN),以支持用戶可定制的電源管理方案。其他功能包括內(nèi)置電流限制和熱關(guān)斷功能,可在故障情況下保護(hù)器件和系統(tǒng)。

TPS7H1210-SEP 器件采用雙極技術(shù)設(shè)計,主要用于高精度、低噪聲應(yīng)用,在這些應(yīng)用中,干凈的電壓軌對于最大限度地提高系統(tǒng)性能至關(guān)重要。因此,它非常適合為運(yùn)算放大器、ADC、DAC 和其他高性能模擬電路供電。

*附件:TPS7H1210-SEP –16.5V、1A、負(fù)線性穩(wěn)壓器,采用太空增強(qiáng)型塑料封裝 數(shù)據(jù)表.pdf

此外,TPS7H1210-SEP 器件還適用于后 DC-DC 轉(zhuǎn)換器調(diào)節(jié)。通過過濾 DC-DC 開關(guān)轉(zhuǎn)換固有的輸出電壓紋波,可確保敏感設(shè)備和 RF 應(yīng)用中的最大系統(tǒng)性能。

特性

  • 表征單粒子效應(yīng) (SEE)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燃盡 (SEB) 和單粒子?xùn)艠O破裂 (SEGR) 不受線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 的影響 = 43 MeV-cm ^2^ /毫克
    • 單粒子功能中斷 (SEFI) 和單粒子瞬變 (SET),其特征為 LET = 43 MeV-cm ^2^ /毫克
  • 低噪聲:13.7μVRMS典型值(10 Hz 至 100 kHz)
  • 高電源抑制比 PSRR (V 時的典型值) = –6 V、V = –5 V,I = 1 A):
    • 100 Hz 時為 61 dB
    • 100 kHz 時為 61 dB
    • 1 MHz 時為 41 dB
  • 輸入電壓范圍:–3 V 至 –16.5 V
  • 可調(diào)輸出:-1.2 V 至 -15.5 V
  • 高達(dá) 1A 的輸出電流
  • 使用 10 μF ≥陶瓷電容器時保持穩(wěn)定
  • 內(nèi)置限流和熱關(guān)斷保護(hù)
  • 太空增強(qiáng)塑料 (SEP)
    • 受控基線
    • 金鍵合絲
    • NiPdAu 鉛表面處理
    • 一個組裝和測試站點(diǎn)
    • 一個制造現(xiàn)場
    • 軍用(–55°C 至 125°C)溫度范圍
    • 延長產(chǎn)品生命周期
    • 延長產(chǎn)品變更通知 (PCN)
    • 產(chǎn)品可追溯性
    • 增強(qiáng)的模塑料,實現(xiàn)低釋氣

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?型號?:TPS7H1210-SEP
  • ?類型?:負(fù)線性穩(wěn)壓器
  • ?特點(diǎn)?:
    • 高電壓范圍(-16.5V至-3V)
    • 1A輸出電流
    • 低噪聲(13.7μV RMS)
    • 高電源抑制比(PSRR)
    • 太空增強(qiáng)型塑料封裝(SEP)
    • 輻射硬化,適用于太空應(yīng)用

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用
  • 衛(wèi)星電氣電力系統(tǒng)(EPS)
  • 模擬電路供電(如ADCs、DACs、運(yùn)放、成像傳感器
  • DC-DC轉(zhuǎn)換器后級濾波
  • 輻射硬化超凈模擬電源

3. 主要特性

  • ?可調(diào)輸出?:-1.2V至-15.5V
  • ?內(nèi)置功能?:電流限制、熱關(guān)斷保護(hù)
  • ?封裝?:VQFN(20引腳),軍事級溫度范圍(-55°C至125°C)
  • ?輻射性能?:
    • 總劑量電離輻射(TID)至30 krad(Si)
    • 單粒子效應(yīng)(SEE)免疫

4. 電氣特性

  • ?輸出電壓精度?:±1%
  • ?線性調(diào)整率?:0.007%/V
  • ?負(fù)載調(diào)整率?:0.5%/A
  • ?PSRR?:
    • 100 Hz:61 dB
    • 100 kHz:61 dB
    • 1 MHz:41 dB
  • ?輸出噪聲?:13.7μV RMS(10 Hz至100 kHz)

5. 熱性能

  • ?熱阻?:
    • RθJA:32.7°C/W
    • RθJC(top):24°C/W
    • RθJB:11.8°C/W
  • ?熱關(guān)斷溫度?:
    • 進(jìn)入:178°C
    • 退出:152°C

6. 功能描述

  • ?使能引腳?:雙極性使能,支持正負(fù)電壓使能
  • ?軟啟動?:通過NR_SS引腳外接電容實現(xiàn)軟啟動和噪聲降低
  • ?電流限制?:內(nèi)置固定電流限制,防止過流損壞
  • ?熱保護(hù)?:內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù),防止過熱損壞

7. 應(yīng)用指南

  • ?電容選擇?:推薦使用低ESR陶瓷電容,輸入電容≥10μF,輸出電容≥10μF
  • ?布局建議?:輸入、輸出電容應(yīng)盡量靠近器件,使用銅平面優(yōu)化熱性能
  • ?噪聲降低?:推薦使用100nF噪聲降低電容(C_NR_SS)

8. 封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:VQFN(20引腳),5.00mm x 5.00mm
  • ?封裝選項?:多種封裝選項和數(shù)量可選,支持RoHS和綠色封裝
  • ?訂購信息?:提供樣品和量產(chǎn)器件的訂購信息

9. 支持資源

  • ?評估板?:提供TPS7H1210-SEP評估板(EVM)
  • ?文檔支持?:包括TID輻射報告、SEE輻射報告、用戶指南等
  • ?技術(shù)支持?:TI E2E支持論壇提供快速驗證答案和設(shè)計幫助

10. 注意事項

  • 確保操作條件不超過絕對最大額定值
  • 布局時避免長走線和過孔,以減小寄生電感和電阻
  • 提供足夠的散熱路徑,避免熱積累導(dǎo)致性能下降或損壞
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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