二、2025年SiC變革對電源行業(yè)的影響

技術端：設計范式重構(gòu)

拓撲優(yōu)化：高頻特性要求電源設計采用LLC、DAB等軟開關拓撲，減少開關損耗（如B3M040065L的Eon/Eoff低至115/27μJ）。

散熱簡化：SiC的高溫耐受性（Tj達175°C）可減少散熱器體積，助力超薄電源（如數(shù)據(jù)中心PSU厚度降低30%）。

產(chǎn)業(yè)鏈端：國產(chǎn)替代深化

垂直整合加速：基本半導體等頭部企業(yè)從襯底到封測全鏈條布局（IDM模式），降低對海外供應鏈依賴。

設備國產(chǎn)化：本土企業(yè)突破外延爐、離子注入機，襯底良率從提升。

市場端：競爭格局重塑

淘汰低端產(chǎn)能：缺乏技術積累的中小廠商（如減薄柵氧層至30nm以下者）因可靠性問題（HTGB測試壽命不足1000小時）被出清。

國際競爭升級：國產(chǎn)SiC模塊通過AQG324認證（如基本半導體）進入全球車企供應鏈。

標準與生態(tài)升級

可靠性標準趨嚴：行業(yè)推動動態(tài)抽檢（如TDDB壽命測試）和第三方認證，淘汰參數(shù)虛標企業(yè)。

生態(tài)協(xié)同：國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)集群，封裝材料（如銅燒結(jié)膠）、測試設備本土配套完善。

三、挑戰(zhàn)與應對策略

技術瓶頸：界面態(tài)缺陷導致閾值電壓漂移，需加強晶圓流片工藝研發(fā)。

設計適配滯后：工程師需掌握SiC驅(qū)動電路設計（如負壓關斷防誤觸發(fā)），廠商需提供參考設計。

BASiC基本股份針對SiC碳化硅MOSFET多種應用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動芯片包括隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅(qū)動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領域的低邊功率器件的驅(qū)動或在變壓器隔離驅(qū)動中用于驅(qū)動變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能，輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定，最高工作頻率可達1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。

對SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動IC BTL27524或者隔離驅(qū)動BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

結(jié)論

碳化硅MOSFET憑借性能優(yōu)勢和國產(chǎn)化降本，將在2025年全面開啟對超結(jié)MOSFET的替代浪潮。電源行業(yè)將迎來高頻化、高密度化升級，本土供應鏈主導權(quán)增強，頭部企業(yè)通過技術深耕和生態(tài)協(xié)同占據(jù)先機。行業(yè)需警惕低質(zhì)競爭，聚焦可靠性驗證與新興場景拓展，方能實現(xiàn)從“替代”到“引領”的跨越。

審核編輯 黃宇