概述

ADRF5021是一款通用型單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，采用硅工藝制造。它采用3 mm × 3 mm、20引腳基板柵格陣列(LGA)封裝，在9 kHz至30 GHz頻率范圍內(nèi)提供高隔離度和低插入損耗。
該寬帶開關(guān)采用+3.3 V和?2.5 V雙電源電壓供電，提供CMOS/LVTTL邏輯兼容控制。

數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
• 寬帶電信系統(tǒng)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：9 kHz至30 GHz
• 非反射式50 Ω設(shè)計
• 低插入損耗：2.0 dB至30 GHz
• 高隔離度：60 dB至30 GHz
• 高輸入線性度
  • 1 dB功率壓縮(P1dB)：28 dBm（典型值）
  • 三階交調(diào)截點(IP3)：52 dBm（典型值）
• 高功率處理
  • 24 dBm（通過路徑）
  • 24 dBm（端接路徑）
• ESD靈敏度：1級、1 kV人體模型(HBM)
• 20引腳、3 mm × 3 mm基板柵格陣列封裝
• 無低頻雜散
• 射頻(RF)建立時間（高達最終RF輸出的0.1 dB）：6.2 μs

框圖

引腳配置

接口示意圖

圖18和圖19顯示了評估板的俯視圖和橫截面圖，該評估板采用4層結(jié)構(gòu)，銅層厚度為0.5盎司(0.7密耳)，各銅層之間采用電介質(zhì)材料。

所有RF和dc走線都布設(shè)在頂層銅層上，內(nèi)層和底層是接地層，為RF傳輸線路提供堅實的接地。頂部介電材料是8密耳羅杰斯羅4003，提供良好的高頻性能。中間和底部介電材料是FR-4型材料，以實現(xiàn)62密耳的總板厚。RF傳輸線路采用共面波導(CPWG)模型設(shè)計，寬度為14密耳，接地間距為5密耳，特性阻抗為50ω。為了實現(xiàn)良好的RF和熱接地，盡可能多的鍍通孔應(yīng)布置在傳輸線路周圍和封裝裸露焊盤下方。
圖20顯示了實際ADRF5021評估板的元件布局。兩個電源端口連接到VDD和VSS測試點，TP5和TP2，接地參考連接到TP1的GND測試點。在每條電源走線上，使用一個100 pF旁路電容，未填充的元件位置可用于施加額外的旁路電容。