概述
ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開關(guān)，采用無引腳、表貼封裝。該開關(guān)非常適合高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率處理能力、0.6 dB低插入損耗、68 dBm（典型值）輸入線性度三階交調(diào)截點(diǎn)和46 dBm下的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)。片內(nèi)電路在5 V單正電源電壓下工作，典型偏置電流為1 mA，使其成為基于引腳二極管開關(guān)的理想替代器件。

該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5130 0.7GHz至3.5GHz高功率、44W峰值、硅SPDT、反射式開關(guān)技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
• 無線基礎(chǔ)設(shè)施
• 軍事和高可靠性應(yīng)用
• 測(cè)試設(shè)備
• 引腳二極管替代器件
  特性
• 反射式50 ?設(shè)計(jì)
• 低插入損耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
• 高隔離度：50 dB（典型值，2 GHz）
• 高功率處理
  • 連續(xù)平均功率：43 dBm
  • 峰值功率：46.5 dBm
• 高線性度
  • 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
  • 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
• ESD額定值
  • 人體模型(HBM)：2 kV，2級(jí)
  • 充電器件模型(CDM)：待定
• 單正電源
  • V DD ：5 V
• 正控制，TTL兼容
  • V CTL ： 0 V 或 5 V
• 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝 (16 mm ^2^ )

框圖

引腳配置

典型性能特征

利用適當(dāng)?shù)腞F電路設(shè)計(jì)技術(shù)，生成用于圖11所示應(yīng)用電路的評(píng)估PCB。RF端口的信號(hào)線必須具有50歐姆阻抗，封裝接地引腳和背面接地片必須直接連接到接地層，如圖14所示。

ADRF5130評(píng)估板有八個(gè)金屬層，各層之間有電介質(zhì)(見圖12)。頂部和底部金屬層具有2盎司(2.7密耳)的銅厚度，而它們之間的金屬層具有1盎司(1.3密耳)的銅厚度。頂部介電材料為10密耳RogersRO4350，具有極低的導(dǎo)熱系數(shù)，可控制電路板的溫升。其他金屬層之間的電介質(zhì)為FR-4。整個(gè)板的厚度達(dá)到62密耳。圖13顯示了ADRF5130評(píng)估板的俯視圖。

頂層銅層具有所有RF和dc走線，而其他七層提供良好的接地，有助于處理評(píng)估板上由ADRF5130高功率引起的溫升。此外，為了實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)臒峤拥?，在傳輸線路周圍和封裝裸露焊盤下方提供了許多過孔。ADRF5130評(píng)估板上的RF傳輸線路采用共面波導(dǎo)設(shè)計(jì)，寬度為18密耳，接地間距為13密耳。為了控制高溫和高功率下ADRF5130評(píng)估板的溫升，建議使用散熱裝置和微型直流風(fēng)扇。