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HMC574A GaAs MMIC 5 W T/R開關(guān)DC至3GHz技術(shù)手冊(cè)

要長高 ? 2025-03-06 09:37 ? 次閱讀

概述

HMC574AMS8E是一款低成本SPDT開關(guān),采用8引腳MSOP封裝,適合于高射入功率電平下需要極低失真性能的發(fā)射/接收應(yīng)用。該器件可控制DC至3 GHz信號(hào),尤其適合蜂窩/3G基礎(chǔ)設(shè)施、WiMAX和WiBro應(yīng)用,典型插入損耗僅為0.3 dB。該設(shè)計(jì)在+8 V偏置時(shí)提供5 W處理性能和+63 dBm三階交調(diào)截點(diǎn)?!瓣P(guān)斷”狀態(tài)下,RF1和RF2反射短路。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC574A GaAs MMIC 5 W T R開關(guān)DC至3GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

  • 蜂窩/3G基礎(chǔ)設(shè)施
  • 專用移動(dòng)無線手機(jī)
  • WLAN, WiMAX和 WiBro
  • 汽車遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)
  • 測(cè)試設(shè)備
    特性
  • 低插入損耗: 0.3 dB
  • 高三階交調(diào)截點(diǎn):+63 dBm
  • 隔離: 30 dB
  • 單正電源: +3至+8V
  • SMT封裝: MSOP8

備注:
1。設(shè)置邏輯門和開關(guān)Vdd = +3V至+5V,并使用HCT系列邏輯來提供TTL驅(qū)動(dòng)器接口。
2 .控制輸入A/B可以直接用CMOS邏輯(HC)驅(qū)動(dòng),將+3至+8伏的Vdd施加于CMOS邏輯門和RF開關(guān)的引腳4。
3 .如圖所示,每個(gè)RF端口都需要DC隔直電容。電容值決定最低工作頻率。

4 . Vdd設(shè)置為+8V時(shí)可實(shí)現(xiàn)最高RF信號(hào)功率。該開關(guān)將在低至+3V的偏置電壓下正常工作(但是在較低的RF功率能力下)。
image.png

評(píng)估電路板
image.png

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