驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些功能。

自舉電路在電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用很廣泛，電路非常簡(jiǎn)單，成本低，而且有很多實(shí)際案例可以抄作業(yè)。不過，由于系統(tǒng)往往存在特殊或極端工況，如設(shè)計(jì)不當(dāng)調(diào)制頻率或占空比不足以刷新自舉電容器上電荷，電容上的電壓不夠，低于低電壓關(guān)閉值UVLO，這時(shí)候就出現(xiàn)了系統(tǒng)故障，嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞系統(tǒng)。上一篇《驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（四）---驅(qū)動(dòng)器的自舉電源綜述》是基于書本知識(shí)的綜述，已經(jīng)提到這些問題，接下來會(huì)參考英飛凌的數(shù)據(jù)手冊(cè)和應(yīng)用指南進(jìn)行深入討論。本文為了簡(jiǎn)化問題，分析固定占空比下，即針對(duì)一個(gè)PWM周期內(nèi)的設(shè)計(jì)。

自舉電路原理

圖1中為柵極驅(qū)動(dòng)器的高壓側(cè)提供非隔離電源的方式是自舉拓?fù)洌溆珊?jiǎn)單的一個(gè)自舉二極管和一個(gè)自舉電容器組成。當(dāng)下橋IGBT導(dǎo)通時(shí)給自舉電容充電到VBS，而在下橋關(guān)斷上橋工作時(shí)這個(gè)電容給上橋提供電源。電容在上下橋交互開關(guān)的過程中實(shí)現(xiàn)充放電。在實(shí)際驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品中，有時(shí)電平位移驅(qū)動(dòng)電路已經(jīng)把二極管集成在IC中，只要外接一個(gè)電容即可。

圖1. 自舉電路

這種自舉電路具有簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)點(diǎn)。電路設(shè)計(jì)目標(biāo)是輸出電壓穩(wěn)定，如果自舉電容上的電壓不夠，低于低電壓關(guān)閉值UVLO，這時(shí)候就出現(xiàn)了系統(tǒng)故障，嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞系統(tǒng)。

自舉電容器(VBS)的最大電壓取決于圖1所示的自舉電路的幾個(gè)元器件：

電阻RBOOT上的壓降；

自舉二極管的VF、低邊側(cè)開關(guān)上的壓降（VCEON或VFP，取決于流經(jīng)開關(guān)的電流方向）；

以及低邊側(cè)開關(guān)發(fā)射極和直流母線之間的分流取樣電阻（圖1中未顯示）上的壓降（如果存在）。

自舉電路分析

在研究半橋拓?fù)渲惺褂玫淖耘e電路元器件取值大小細(xì)節(jié)之前，需要了解一些基礎(chǔ)知識(shí)，為此我們引入簡(jiǎn)化等效電路有助于分析加深理解（見圖2）。電容Cboot左邊是補(bǔ)充電荷的電路，而右邊部分是會(huì)消耗掉電荷的電路。

圖2. 自舉電路的等效電路

自舉等效電路（如圖2所示）簡(jiǎn)化了VBS特性作為調(diào)制開關(guān)S1開關(guān)狀態(tài)函數(shù)的計(jì)算，也簡(jiǎn)化其與占空比D、柵極電荷QG、漏電流Ileak以及自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot的計(jì)算。

VBS: 自舉電容器Cboot上的電壓

VBSMAX: 代表電源電壓（圖1中的VCC）加上或減去自舉電路的靜態(tài)電壓降

D=占空比=T(ON)/T

"穩(wěn)態(tài)"過程計(jì)算：

即一個(gè)PWM周期內(nèi)的VBS行為

在本文討論中，開關(guān)S1的占空比假定為已達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，并將保持恒定。后續(xù)的文章章節(jié)再進(jìn)一步討論空間矢量調(diào)制下，占空比隨時(shí)間變化時(shí)要考慮的一些因素。

自舉電容器Cboot上產(chǎn)生的電壓VBS一般由兩個(gè)部分組成（如圖2所示）。第一個(gè)是理想開關(guān)（也是半橋電路中的下橋臂）(S1)接通(TON)期間自舉電阻上產(chǎn)生的壓降。第二個(gè)是疊加紋波，是系統(tǒng)開關(guān)特性的特征。

交流紋波的大小主要由自舉電容器的容量決定，可以在S1關(guān)斷（TOFF）時(shí)計(jì)算。

在下面討論的其余部分，VBSMAX被定義為VBS的可能的最大值，圖2中的電壓源就取最大值VBSMAX。

自舉電阻

驅(qū)動(dòng)電源是否足夠大用電荷來描述比功率更直接，因?yàn)樨?fù)載是MOS型器件的柵極電荷，在開關(guān)期間 (TS)電源(VBSMAX)向電路提供的總電荷量QTOT如下公式所示。

這里變量QG*被定義為功率器件柵極QG和柵極驅(qū)動(dòng)器電平位移QLS所需的總電荷量，而Ileak是指向柵極驅(qū)動(dòng)器高壓側(cè)電路提供的直流電流High-side floating well offset supply leakage。

比如2ED2198S06F的QLS=1nC，而一個(gè)10A 600V的IGBT3 IKA10N60T大約為62nC，實(shí)際計(jì)算中可以忽略。

而其Ileak=12.5uA,如果Ts=0.1ms的話，Ileak*TS=1.25nC，也是一個(gè)非常小的量。（文末的案例Ileak高達(dá)200uA，可能就不應(yīng)該忽略）

S1由PWM波形驅(qū)動(dòng)，且僅在TON時(shí)間內(nèi)通過自舉電阻提供電荷，則流經(jīng)自舉電阻的平均電流按如下公式計(jì)算。

其中：

所以RBOOT兩端的平均壓降由下列公式確定：

如果電平位移的驅(qū)動(dòng)器的QLS和Ileak相對(duì)于驅(qū)動(dòng)對(duì)象足夠小，那公式可以簡(jiǎn)化為：

在設(shè)計(jì)中，是否可以忽略內(nèi)部電平位移電路所需的電荷和柵極驅(qū)動(dòng)器高壓側(cè)電路提供的直流電流，建議查一下英飛凌的數(shù)據(jù)手冊(cè)，或向廠商咨詢。

自舉電容

自舉電容器向高壓側(cè)電路提供的總電荷可通過下列公式計(jì)算得出：

VBS的紋波振幅為：

上式說明自舉電壓的紋波只與總電荷和自舉電容有關(guān)，總電荷也要考慮內(nèi)部電平位移電路所需的電荷QLS和在關(guān)斷時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)器高壓側(cè)電路提供的直流電流，可能兩者可以忽略。

自舉電壓的跌落

半橋電路上管用自舉供電，其電壓一定會(huì)低于芯片供電電壓，也低于下管的驅(qū)動(dòng)電壓，這一問題值得仔細(xì)研究，最終目的是探討最小占空比問題。

VBS的波形如圖所示，圖中對(duì)各種貢獻(xiàn)進(jìn)行了區(qū)分。Vdrop表示VBS從其可達(dá)到的最大（VBSMAX）下降的幅度（VB紋波最低谷的值）。

VBSMAX在實(shí)際系統(tǒng)中也就是驅(qū)動(dòng)芯片供電電壓VCC。

第一種工況

當(dāng)自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot決定的時(shí)間常數(shù)比較大。

圖3：Vdrop波形：條件為占空比小于4倍的自舉電阻和電容的時(shí)間常數(shù)/Ts

如上圖，Vdrop的幅值為：

上面這種工況是占空比比較低，如以下公式那樣實(shí)際充電時(shí)間小于4倍RC常數(shù)。充電不足，電壓跌落較大。使VRboot大于?VBS/2。

第二種工況

當(dāng)占空比很大，充電時(shí)間遠(yuǎn)大于自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot決定的時(shí)間。

那么Vdrop=VRboot+?VBS/2不再成立，而變成Vdrop=?VBS，波形見圖4。

這時(shí)：

這樣自舉電壓的跌落就比較小，而且可以忽略自舉電阻上的壓降，只與自舉電容決定的紋波有關(guān)。

圖4：Vdrop波形：條件占空比遠(yuǎn)大于4倍的自舉電阻和電容的時(shí)間常數(shù)/Ts

最小占空比

上面的分析是為最小占空比設(shè)計(jì)做鋪墊，現(xiàn)在步入主題：

VBS紋波?VBS僅取決于自舉電容器Cboot，而當(dāng)自舉電容用得比較大，變成第一種工況，VBS也會(huì)有明顯的跌落，這時(shí)的跌落Vdrop取決于自舉電阻Rroot。

我們前面討論電壓跌落與占空比與自舉電路的時(shí)間常數(shù)的關(guān)聯(lián)性，目的是要設(shè)計(jì)自舉電阻滿足最小的占空比。

下式是在忽略?VBS作用時(shí)的最小占空比DMIN，式子中Vdrop是電源可接受的最大壓降。

我們來看自舉電源仿真案例：

在設(shè)計(jì)中，我們目標(biāo)是自舉電壓，電壓降Vdrop結(jié)果參考圖5。

仿真條件：

當(dāng)QG=40nC,f=1/TS=20kHz，Ileak=200μA,Rboot=220Ω，

且預(yù)充電到VBSMAX=15V。

分別在Cboot=47nF和1uF，占空比為10%和30%。

圖5的模擬結(jié)果中，綠色和黃色曲線表示使用47nF自舉電容器在兩種占空比下的 VBS。紫色和紅色曲線表示使用1μF自舉電容在兩種占空比下的VBS。可以看自舉電壓值得大小受占空比影響，而電壓得紋波受自舉電容大小影響。

圖5：不同自舉電容和占空比條件下的仿真結(jié)果

按照前面的公式：

當(dāng)QG*=40nC,f=20kHz，Ileak=200μA,Rboot=220Ω，如果允許的Vdrop=2V (VBS=VCC-Vdrop=13V)時(shí)，算出最小可接受的占空比DMIN=11%。要是占空比只有10%的話，電壓跌落會(huì)超過預(yù)期。

結(jié)論

1

驅(qū)動(dòng)功率取決于被驅(qū)動(dòng)的功率柵極電荷QG和柵極驅(qū)動(dòng)器電平位移QLS，并且要包括各種漏電流。

2

自舉電路設(shè)計(jì)核心問題是自舉電阻Rroot和自舉電容Cboot選取，電阻決定平均電壓，電容影響紋波。

3

自舉電源的電壓會(huì)比驅(qū)動(dòng)電路的供電電源電壓VCC要低，其電壓降取決于自舉電阻的壓降和自舉電容上的紋波。按照可能的最小占空比正確選擇電阻和電容值是關(guān)鍵，以保證上下管的驅(qū)動(dòng)電壓在設(shè)計(jì)值內(nèi)。