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瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

瞻芯電子 ? 來源:瞻芯電子 ? 2025-03-11 15:22 ? 次閱讀

近日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景,提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。

這款模塊產(chǎn)品(IV1B12009HA2L) 尺寸與標(biāo)準(zhǔn)的Easy1B封裝相同,其殼體緊湊,高度僅12mm。該模塊內(nèi)部芯片布置于陶瓷覆銅基板(DCB)上,具有內(nèi)絕緣功能,可直接緊貼散熱器,無需外加陶瓷絕緣墊片,安全可靠,散熱更好;同時(shí),模塊采用彈簧安裝座,組裝方便,集成的安裝夾使安裝牢固。

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圖1,模塊外觀

模塊電路拓?fù)?/p>

該模塊產(chǎn)品內(nèi)置1200V 9mΩ SiC MOSFET組成半橋電路,具有較低的雜散電感,簡化了應(yīng)用電路的設(shè)計(jì),相對于分立器件方案,提升了功率密度。同時(shí)集成熱敏電阻(NTC)以監(jiān)測溫度。

該產(chǎn)品具有開爾文源極引腳,能在SiC MOSFET高速開關(guān)時(shí),抑制驅(qū)動(dòng)電壓尖峰,保障高頻開關(guān)應(yīng)用安全和可靠。

8120439a-fe04-11ef-9310-92fbcf53809c.png

圖2,模塊拓?fù)?/p>

SiC MOSFET芯片

這款模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片,兼有良好性能和可靠性表現(xiàn),支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關(guān)斷電壓,額定電流100A。

應(yīng)用場景

該產(chǎn)品適用于高頻、高效率功率變換系統(tǒng),具有安全可靠、尺寸緊湊、安裝方便等特點(diǎn),典型應(yīng)用場景如下:

高頻開關(guān)應(yīng)用

高壓直流變換器(DC-DC)

直流充電樁

不間斷電源(UPS)

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關(guān)于瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,2017年成立于上海臨港。公司致力于開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片產(chǎn)品,圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用,為客戶提供一站式芯片解決方案。

瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司,擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠,標(biāo)志著瞻芯電子進(jìn)入中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體IDM公司行列。 瞻芯電子將持續(xù)創(chuàng)新,放眼世界,致力于打造中國領(lǐng)先、國際一流的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。

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原文標(biāo)題:瞻芯電子推出1200V SiC 半橋1B封裝模塊,助力高頻高效應(yīng)用

文章出處:【微信號:瞻芯電子,微信公眾號:瞻芯電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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