單片機控制的動態(tài)數(shù)據(jù)緩存器的DRAM讀／寫控制過程
讀取一字節(jié)數(shù)據(jù)的程序段如下：
讀取數(shù)據(jù)時，T1先置1，其后的RD信號將行地址送到地址線AB上，并使D。觸發(fā)器鎖存Tl，Q,變成低電平，使RAS有效（低電平），實現(xiàn)行選通；再置TO為l，其后的RD信號將列地址送到AB上，并產(chǎn)生CAS信號，使欲讀出單元的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DB上。RD失效的上升沿使CAS失效，同時，D2觸發(fā)器置1，使D1清零，RAS也失效變?yōu)楦唠娖?。?jīng)過RC延遲放電，使欲讀出單元的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DB上，D2重新清零，Q2又為高電平，恢復初始狀態(tài)D1、D2均為零。
程序最后送T0、T1低電平，封鎖RAS和CAS，防止系統(tǒng)中其他讀／寫器動作使DRAM產(chǎn)生誤動作。
寫數(shù)據(jù)過程與此類似。
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