在電力電子系統(tǒng)中，MDD整流橋作為整流電路的核心組件，其可靠性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，整流橋的失效（俗稱“炸機(jī)”）現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生，給設(shè)備的安全性和壽命帶來(lái)嚴(yán)重影響。MDD在本文將深度剖析整流橋的4類典型失效模式，并提出相應(yīng)的防護(hù)設(shè)計(jì)方案，以幫助工程師提高整流電路的可靠性和安全性。
1.過(guò)電流擊穿
失效原因：
過(guò)流可能是由于負(fù)載短路、突加負(fù)載、電網(wǎng)波動(dòng)或突發(fā)性沖擊電流導(dǎo)致的。
過(guò)大的沖擊電流會(huì)使整流二極管的PN結(jié)過(guò)熱，導(dǎo)致熱失控甚至物理爆裂。
防護(hù)設(shè)計(jì)：
?選用合適的額定電流和浪涌耐受能力更高的整流橋。?在整流橋前端串聯(lián)保險(xiǎn)絲或熱敏電阻（NTC），減少大電流沖擊。?優(yōu)化濾波電容容量和位置，避免充電電流過(guò)大引起的過(guò)流沖擊。
2.反向電壓過(guò)高導(dǎo)致的二極管擊穿
失效機(jī)理
當(dāng)整流橋的二極管反向耐壓不足，而輸入電壓的尖峰超過(guò)其反向耐壓值（VRRM），PN結(jié)會(huì)被反向擊穿，導(dǎo)致短路或損壞。
防護(hù)設(shè)計(jì)
?合理選擇耐壓值合適的二極管，一般應(yīng)比輸入電網(wǎng)電壓峰值高出20%~50%。例如，對(duì)于220V AC輸入的設(shè)備，整流橋應(yīng)選擇1000V耐壓等級(jí)，而非600V或800V。?在輸入端并聯(lián)TVS二極管或MOV壓敏電阻，以吸收可能的浪涌電壓沖擊，保護(hù)整流橋。
3.過(guò)熱導(dǎo)致熱失控和焊點(diǎn)失效
失效機(jī)理
整流二極管在導(dǎo)通時(shí)會(huì)有導(dǎo)通損耗，在高頻或大電流下會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫急劇升高，超過(guò)極限溫度時(shí)二極管會(huì)損壞。
PCB散熱設(shè)計(jì)不良，導(dǎo)致熱量積聚，引發(fā)熱崩潰。
熱-電疲勞導(dǎo)致焊點(diǎn)老化、裂紋甚至燒毀。
防護(hù)設(shè)計(jì)
?選擇合適的額定電流，整流橋的額定電流應(yīng)留有足夠余量，通常選擇實(shí)際需求的2~3倍。?優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)：使用散熱片、銅箔加厚、增加熱導(dǎo)材料，或選用高熱傳導(dǎo)率的基板（如鋁基板或銅基板）。?采用更高性能的二極管：例如用低正向壓降的肖特基二極管替換普通硅二極管，以降低功率損耗。?控制開(kāi)關(guān)頻率，防止MOSFET與整流二極管同時(shí)導(dǎo)通，避免瞬時(shí)大電流造成過(guò)熱和損壞。
3.過(guò)載或過(guò)流導(dǎo)致的二極管燒毀
（1）失效機(jī)理
過(guò)大的輸入浪涌電流超過(guò)整流橋的額定電流能力，導(dǎo)致硅芯片損壞或焊點(diǎn)斷裂。
過(guò)高的電流密度產(chǎn)生過(guò)量的焦耳熱，使二極管內(nèi)部短路或開(kāi)路。
（2）防護(hù)設(shè)計(jì)
?合理選擇整流橋電流等級(jí)，預(yù)留足夠裕量（一般取正常工作電流的2~3倍）。?采用限流電阻或NTC浪涌抑制器，在整流橋輸入端串聯(lián)NTC熱敏電阻，可有效限制浪涌電流。?優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)：選用銅基板、加大散熱片、增強(qiáng)PCB導(dǎo)熱能力。
4.結(jié)論
在高頻應(yīng)用中，整流橋的EMI優(yōu)化和反向恢復(fù)時(shí)間控制對(duì)提高系統(tǒng)性能至關(guān)重要。合理的LC濾波能減少噪聲，提高功率因數(shù)，適用于中低頻段，而有源PFC能進(jìn)一步優(yōu)化功率因數(shù)和效率，但增加了電路的復(fù)雜性和成本。對(duì)于高頻應(yīng)用（如PFC電路、逆變器），建議使用低trr的快恢復(fù)整流二極管或SiC整流橋，并配合RC緩沖、電感降di/dt等優(yōu)化措施，來(lái)平衡EMI控制與轉(zhuǎn)換效率，提升系統(tǒng)的整體性能。
選擇正確的整流橋類型及優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，不僅能提高轉(zhuǎn)換效率，還能優(yōu)化EMI性能，實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的高頻應(yīng)用