AMC0x11S-Q1 是一款精密的電隔離放大器，具有 2.25V 高阻抗輸入和單端輸出。高阻抗輸入針對(duì)與高阻抗電阻分壓器或具有高輸出電阻的其他電壓信號(hào)源的連接進(jìn)行了優(yōu)化。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：AMC0311S-Q1 用于直流電壓檢測(cè)且具有單端輸出的汽車(chē)級(jí) 2V 輸入、增強(qiáng)型隔離放大器技術(shù)手冊(cè).pdf

隔離柵將在不同共模電壓電平下運(yùn)行的系統(tǒng)器件隔開(kāi)。該隔離柵抗電磁干擾性能極強(qiáng)。該隔離柵經(jīng)過(guò)認(rèn)證，可提供高達(dá) 5kVRMS 的增強(qiáng)型隔離（DWV 封裝）和高達(dá) 3kVRMS 的基礎(chǔ)型隔離（D 封裝）(60s)。

AMC0x11S-Q1 輸出與輸入電壓成正比的單端信號(hào)，固定增益為 1V/V。輸出設(shè)計(jì)為直接連接到 ADC 的輸入端。施加到 REFIN 引腳的電壓決定了 0V 輸入端的輸出電壓。

AMC0x11S-Q1 器件采用 8 引腳、寬體和窄體 SOIC 封裝，額定溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。

特性

• 符合面向汽車(chē)應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
  • 溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C，TA
• 線(xiàn)性輸入電壓范圍：0V 至 2.25V
• 高輸入阻抗：1GΩ（典型值）
• 電源電壓范圍：
  • 高側(cè) (VDD1)：3.0V 至 5.5V
  • 低側(cè) (VDD2)：3.0V 至 5.5V
• 固定增益：1V/V
• 單端輸出
• 低直流誤差：
  • 失調(diào)電壓誤差：±1.5mV（最大值）
  • 失調(diào)電壓溫漂：±25μV/°C（最大值）
  • 增益誤差：±0.25%（最大值）
  • 增益漂移：±40ppm/°C（最大值）
  • 非線(xiàn)性度：0.05%（最大值）
• 高 CMTI：50V/ns（最小值）
• 低 EMI：符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標(biāo)準(zhǔn)
• 隔離等級(jí)：
  • AMC0211S-Q1：基礎(chǔ)型隔離
  • AMC0311S-Q1：增強(qiáng)型隔離
• 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
  • UL1577

引腳配置和功能

電氣特性

典型應(yīng)用
在典型應(yīng)用中，AMC0x11S-Q1 的高側(cè)電源 (VDD1) 由隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器從低側(cè)電源 (VDD2) 生成。一種低成本的方案基于推挽式驅(qū)動(dòng)器 SN6501-Q1 和支持所需隔離電壓額定值的變壓器。
AMC0x11S-Q1 無(wú)需任何特定的上電時(shí)序。高側(cè)電源 (VDD1) 通過(guò)與低 ESR、1μF 電容器 (C2) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C1) 進(jìn)行去耦。低側(cè)電源 (VDD2) 同樣通過(guò)與低 ESR、1μF 電容器 (C4) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C3) 進(jìn)行去耦。將所有四個(gè)電容器（C1、C2、C3 和 C4）盡可能靠近器件放置。圖 9-1 展示了 AMC0x11SQ1 的去耦圖。

在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下，電容器提供了足夠的有效電容。在實(shí)際條件下，通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 標(biāo)稱(chēng)電容的一小部分。在選擇這些電容器時(shí)，應(yīng)考慮到這個(gè)因素。此問(wèn)題在低厚度電容器中尤為嚴(yán)重，在該類(lèi)電容器中，電容器越薄，電介質(zhì)電場(chǎng)強(qiáng)度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線(xiàn)，
這大大簡(jiǎn)化了元件的選型。

應(yīng)用
? 牽引逆變器
? 車(chē)載充電器
? 直流/直流轉(zhuǎn)換器