一、問(wèn)題現(xiàn)象描述

-電源拓?fù)洌悍醇な?a target="_blank">開(kāi)關(guān)電源（帶填谷式PFC電路）。

-故障現(xiàn)象：

-加入填谷電路后，輸出電壓紋波出現(xiàn)異常抖動(dòng)（如100Hz低頻紋波疊加高頻振蕩）。

圖1

-輕載時(shí)抖動(dòng)更明顯 ，可能導(dǎo)致控制環(huán)路失穩(wěn)或EMI超標(biāo)。

二、填谷電路工作原理與潛在問(wèn)題

1. 填谷電路原理

- 典型結(jié)構(gòu)：由二極管和電容組成，通過(guò)電容分時(shí)充電實(shí)現(xiàn)輸入電流波形整形（如圖2）。

- 目標(biāo)：改善功率因數(shù)（PF值），但可能引入低頻紋波和諧振。

2. 紋波異常的可能原因

三、分步排查與解決方案

1. 檢查填谷電容參數(shù)

- 現(xiàn)象：低頻紋波（100Hz）幅值超標(biāo)。

- 解決方案：

- 選擇容量匹配的填谷電容（典型值2×22μF/400V），確保兩電容容量偏差≤5%。

-并聯(lián)低ESR電容（如10μF薄膜電容），抑制充放電瞬態(tài)振蕩。

2. 優(yōu)化反饋環(huán)路補(bǔ)償

- 現(xiàn)象：高頻振蕩（如1-10kHz）。

- 解決方案：

-在誤差放大器（如TL431）補(bǔ)償腳增加相位超前電容（例如：在補(bǔ)償電容C1旁并聯(lián)1nF-10nF電容）。

-調(diào)整補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，確保環(huán)路增益裕度≥10dB，相位裕度≥45°（可通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀驗(yàn)證）。

3. 抑制二極管反向恢復(fù)噪聲

- 現(xiàn)象：開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（MOSFET漏極）出現(xiàn)高頻振鈴。

- 解決方案：

-選用快恢復(fù)二極管（如FR107，反向恢復(fù)時(shí)間≤500ns）替代普通整流二極管。

-在填谷二極管兩端并聯(lián)RC緩沖電路（如100Ω+100pF），吸收高頻能量。

4. 優(yōu)化PCB布局

- 關(guān)鍵原則：

-填谷電路靠近整流橋放置，減少高頻環(huán)路面積。

-反饋信號(hào)走線(xiàn)遠(yuǎn)離填谷電路和功率回路，避免噪聲耦合。

-地平面分割：功率地與信號(hào)地單點(diǎn)連接。

四、實(shí)測(cè)驗(yàn)證與波形分析

1. 測(cè)試點(diǎn)與工具：

-示波器：測(cè)量輸入電壓、填谷電容電壓、輸出電壓紋波。

-電流探頭：觀測(cè)填谷電容充放電電流波形。

2.正常波形示例：

-填谷電容電壓：平滑的充放電曲線(xiàn)，無(wú)劇烈振蕩。

-輸出電壓紋波：峰峰值 ≤輸出電壓的1%（無(wú)異常高頻抖動(dòng)）。

圖3

3.異常波形示例：

-低頻紋波：100Hz工頻調(diào)制導(dǎo)致周期性波動(dòng)。

圖4

-高頻振蕩：控制環(huán)路失穩(wěn)或二極管反向恢復(fù)引發(fā)振鈴。

五、典型優(yōu)化案例

案例1：低頻紋波抑制

- 問(wèn)題：100Hz紋波幅值達(dá)200mV。

- 措施：

-將填谷電容從2×10μF更換為2×22μF（低ESR電解電容）。

-在輸出端增加LC濾波（10μH+220μF）。

- 結(jié)果：紋波降至輸出電壓的1%以?xún)?nèi)。

案例2：高頻振蕩消除

- 問(wèn)題：開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)10MHz高頻振鈴。

- 措施：

-在填谷二極管兩端并聯(lián)RC緩沖電路（47Ω+470pF）。

-調(diào)整TL431補(bǔ)償電容從10nF增至22nF。

- 結(jié)果：振鈴幅值減少80%，環(huán)路恢復(fù)穩(wěn)定。

六、總結(jié)與建議

-最終目標(biāo)：在保證PF值（≥0.9）的前提下，使輸出電壓紋波滿(mǎn)足要求（≤輸出電壓的1%）。