TPS59603-Q1 驅(qū)動(dòng)器針對(duì)高頻 CPU V 進(jìn)行了優(yōu)化核心應(yīng)用。減少死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)過(guò)零等高級(jí)功能用于優(yōu)化整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率。

SKIP 引腳提供 CCM作選項(xiàng)，以支持輸出電壓的受控管理。此外，TPS59603-Q1 支持兩種低功耗模式。當(dāng) PWM 輸入處于三態(tài)時(shí)，靜態(tài)電流降低到 130 μA，并立即響應(yīng)。當(dāng) SKIP 保持在三態(tài)時(shí)，電流降低到 8 μA（通常需要 20 μs 才能恢復(fù)開(kāi)關(guān)）。這些驅(qū)動(dòng)器與適當(dāng)?shù)?TI 控制器配合使用，可提供超高性能的電源系統(tǒng)。
*附件：TPS59603-Q1 用于汽車(chē)應(yīng)用中高頻 CPU 內(nèi)核電源的同步降壓 FET 驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表.pdf

TPS59603-Q1 器件采用節(jié)省空間的熱增強(qiáng)型 8 引腳、2mm x 2mm 可濕性側(cè)面 WSON 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)應(yīng)用
  • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 125°C
  • 設(shè)備 人體模型 ESD 分類(lèi)等級(jí) H2
  • 器件 帶電器件型號(hào) ESD 分類(lèi)等級(jí) C3B
• 降低死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化 CCM
• 自動(dòng)過(guò)零檢測(cè)，優(yōu)化 DCM 效率
• 多種低功耗模式，優(yōu)化輕負(fù)載效率
• 針對(duì)高頻作優(yōu)化的信號(hào)路徑延遲
• 集成 BST 開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度針對(duì)低 RdsON FET 進(jìn)行了優(yōu)化
• 針對(duì) 5V FET 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化
• 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍 （V 在 ）：2.5 至 28 V
• 2mm × 2mm、8 引腳、WSON 導(dǎo)熱墊封裝，帶可潤(rùn)濕側(cè)面

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS59603-Q1 是一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用中高頻 CPU 內(nèi)核電源設(shè)計(jì)的同步降壓 FET 驅(qū)動(dòng)器。它優(yōu)化了連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）和斷續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）下的效率，并提供了多種低功耗模式以?xún)?yōu)化輕負(fù)載效率。

2. 主要特性

• ?AEC-Q100 認(rèn)證?：適用于汽車(chē)應(yīng)用，溫度等級(jí)為 -40°C 至 125°C。
• ?優(yōu)化死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)電路?：提高 CCM 下的效率。
• ?自動(dòng)零交叉檢測(cè)?：優(yōu)化 DCM 下的效率。
• ?多種低功耗模式?：支持 PWM 和 SKIP 引腳的三態(tài)操作，降低靜態(tài)電流。
• ?集成 BST 開(kāi)關(guān)?：驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度優(yōu)化，適用于低 RDS(ON) FET。
• ?寬輸入電壓范圍?：2.5V 至 28V。
• ?小型封裝?：2mm × 2mm 8引腳 WSON 封裝，帶濕側(cè)翼。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?汽車(chē)后座娛樂(lè)（RSE）平板電腦?：使用高頻 CPU 的場(chǎng)景。
• ?汽車(chē) ADAS 處理器內(nèi)核電源?。

4. 電氣特性

• ?工作結(jié)溫范圍?：-40°C 至 125°C。
• ?輸入電壓范圍?：VDD 為 4.5V 至 5.5V（推薦 5V）。
• ?低靜態(tài)電流?：PWM 引腳三態(tài)時(shí)，靜態(tài)電流為 130μA；SKIP 引腳三態(tài)時(shí)，靜態(tài)電流為 8μA（典型值）。
• ?快速響應(yīng)?：PWM 和 SKIP 引腳從三態(tài)恢復(fù)后，切換響應(yīng)時(shí)間小于 50μs。

5. 功能描述

• ?UVLO 保護(hù)?：當(dāng) VDD 電壓低于 UVLO 閾值時(shí)，禁用驅(qū)動(dòng)器并將 DRVH 和 DRVL 輸出置為低電平。
• ?PWM 引腳三態(tài)功能?：PWM 引腳進(jìn)入三態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入低功耗狀態(tài)，輸出置為低電平。
• ?SKIP 引腳功能?：控制轉(zhuǎn)換器在 CCM 和 DCM 之間切換，SKIP 引腳三態(tài)時(shí)進(jìn)入極低功耗狀態(tài)。
• ?自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制?：減少 MOSFET 體二極管導(dǎo)通時(shí)間和恢復(fù)損耗。
• ?集成 BST 開(kāi)關(guān)?：使用 FET 替代傳統(tǒng)二極管，降低高側(cè) FET 的導(dǎo)通損耗。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類(lèi)型?：8引腳 WSON 封裝，帶濕側(cè)翼。
• ?尺寸?：2mm × 2mm。

7. 布局指南

• ?驅(qū)動(dòng)器位置?：應(yīng)盡可能靠近 MOSFET。
• ?電容位置?：VDD 和自舉電容應(yīng)盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器。
• ?地線處理?：使用封裝的熱焊盤(pán)作為 GND，直接連接到 MOSFET 的源極。
• ?走線寬度?：DRVH 和 DRVL 走線寬度建議為 80 至 100 密耳。