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關(guān)于上拉與下拉電阻你必須要知道的都在這里

0BFC_eet_china ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-03-20 08:48 ? 次閱讀
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1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動COMS電路時,如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。

2、OC門電路必須加上拉電阻,才能使用。

3、為加大輸出引腳的驅(qū)動能力,有的單片機管腳上也常使用上拉電阻。

4、在COMS芯片上,為了防止靜電造成損壞,不用的管腳不能懸空,一般接上拉電阻產(chǎn)生降低輸入阻抗,提供泄荷通路。

5、芯片的管腳加上拉電阻來提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號的噪聲容限增強抗干擾能力。

6、提高總線的抗電磁干擾能力。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。

7、長線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾,加上下拉電阻是電阻匹配,有效的抑制反射波干擾。

推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件;推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控制,總是在一個三極管導(dǎo)通的時候另一個截止。

開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。 適合于做電流型的驅(qū)動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內(nèi))。

我們先來說說集電極開路輸出的結(jié)構(gòu)。集電極開路輸出的結(jié)構(gòu)如圖1所示,右邊的那個三極管集電極什么都不接,所以叫做集電極開路(左邊的三極管為反相之用,使輸入為“0”時,輸出也為“0”)。對于圖1,當(dāng)左端的輸入為“0”時,前面的三極管截止(即集電極C跟發(fā)射極E之間相當(dāng)于斷開),所以5V電源通過1K電阻加到右邊的三極管上,右邊的三極管導(dǎo)通(即相當(dāng)于一個開關(guān)閉合);當(dāng)左端的輸入為“1”時,前面的三極管導(dǎo)通,而后面的三極管截止(相當(dāng)于開關(guān)斷開)。

我們將圖1簡化成圖2的樣子。圖2中的開關(guān)受軟件控制,“1”時斷開,“0”時閉合。很明顯可以看出,當(dāng)開關(guān)閉合時,輸出直接接地,所以輸出電平為0。而當(dāng)開關(guān)斷開時,則輸出端懸空了,即高阻態(tài)。這時電平狀態(tài)未知,如果后面一個電阻負載(即使很輕的負載)到地,那么輸出端的電平就被這個負載拉到低電平了,所以這個電路是不能輸出高電平的。

再看圖三。圖三中那個1K的電阻即是上拉電阻。如果開關(guān)閉合,則有電流從1K電阻及開關(guān)上流過,但由于開關(guān)閉其它三個口帶內(nèi)部上拉),當(dāng)我們要使用輸入功能時,只要將輸出口設(shè)置為1即可,這樣就相當(dāng)于那個開關(guān)斷開,而對于P0口來說,就是高阻態(tài)了。

對于漏極開路(OD)輸出,跟集電極開路輸出是十分類似的。將上面的三極管換成場效應(yīng)管即可。這樣集電極就變成了漏極,OC就變成了OD,原理分析是一樣的。

另一種輸出結(jié)構(gòu)是推挽輸出。推挽輸出的結(jié)構(gòu)就是把上面的上拉電阻也換成一個開關(guān),當(dāng)要輸出高電平時,上面的開關(guān)通,下面的開關(guān)斷;而要輸出低電平時,則剛好相反。比起OC或者OD來說,這樣的推挽結(jié)構(gòu)高、低電平驅(qū)動能力都很強。如果兩個輸出不同電平的輸出口接在一起的話,就會產(chǎn)生很大的電流,有可能將輸出口燒壞。而上面說的OC或OD輸出則不會有這樣的情況,因為上拉電阻提供的電流比較小。如果是推挽輸出的要設(shè)置為高阻態(tài)時,則兩個開關(guān)必須同時斷開(或者在輸出口上使用一個傳輸門),這樣可作為輸入狀態(tài),AVR單片機的一些IO口就是這種結(jié)構(gòu)。

開漏電路特點及應(yīng)用

電路設(shè)計時我們常常遇到開漏(open drain)和開集(open collector)的概念。

所謂開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏極。同理,開集電路中的“集”就是指三極管的集電極。開漏電路就是指以MOSFET的漏極為輸出的電路。一般的用法是會在漏極外部的電路添加上拉電阻。完整的開漏電路應(yīng)該由開漏器件和開漏上拉電阻組成。如圖1所示:

組成開漏形式的電路有以下幾個特點:

1. 利用外部電路的驅(qū)動能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(或驅(qū)動比芯片電源電壓高的負載)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時,驅(qū)動電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ,MOSFET到GND。IC內(nèi)部僅需很下的柵極驅(qū)動電流。如圖1。

2. 可以將多個開漏輸出的Pin,連接到一條線上。形成 “與邏輯” 關(guān)系。如圖1,當(dāng)PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個變低后,開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。如果作為輸出必須接上拉電阻。接容性負載時,下降延是芯片內(nèi)的晶體管,是有源驅(qū)動,速度較快;上升延是無源的外接電阻,速度慢。如果要求速度高電阻選擇要小,功耗會大。所以負載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。

3. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。如圖2, IC的邏輯電平由電源Vcc1決定,而輸出高電平則由Vcc2(上拉電阻的電源電壓)決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了(這樣你就可以進行任意電平的轉(zhuǎn)換)。(例如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。)

4. 開漏Pin不連接外部的上拉電阻,則只能輸出低電平(因此對于經(jīng)典的51單片機的P0口而言,要想做輸入輸出功能必須加外部上拉電阻,否則無法輸出高電平邏輯)。一般來說,開漏是用來連接不同電平的器件,匹配電平用的。

5. 標準的開漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路,才能具備雙向輸入、輸出的能力。

6.正常的CMOS輸出級是上、下兩個管子,把上面的管子去掉就是OPEN-DRAIN了。這種輸出的主要目的有兩個:電平轉(zhuǎn)換、線與。

7.線與功能主要用于有多個電路對同一信號進行拉低操作的場合,如果本電路不想拉低,就輸出高電平,因為OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉,高電平是靠外接的上拉電阻實現(xiàn)的。(而正常的CMOS輸出級,如果出現(xiàn)一個輸出為高另外一個為低時,等于電源短路。)

8.OPEN-DRAIN提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點,就是帶來上升沿的延時。因為上升沿是通過外接上拉無源電阻對負載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時延時就小,但功耗大;反之延時大功耗小。所以如果對延時有要求,則建議用下降沿輸出。

應(yīng)用中需注意: 1. 開漏和開集的原理類似,在許多應(yīng)用中我們利用開集電路代替開漏電路。例如,某輸入Pin要求由開漏電路驅(qū)動。則我們常見的驅(qū)動方式是利用一個三極管組成開集電路來驅(qū)動它,即方便又節(jié)省成本。如圖4。

2. 上拉電阻R pull-up的阻值決定了邏輯電平轉(zhuǎn)換的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。

Push-Pull輸出就是一般所說的推挽輸出,在CMOS電路里面應(yīng)該較CMOS輸出更合適,因為在CMOS里面的push-pull輸出能力不可能做得雙極那么大。輸出能力看IC內(nèi)部輸出極N管P管的面積。和開漏輸出相比,push-pull的高低電平由IC的電源低定,不能簡單的做邏輯操作等。push-pull是現(xiàn)在CMOS電路里面用得最多的輸出級設(shè)計方式。

當(dāng)然open drain也不是沒有代價,這就是輸出的驅(qū)動能力很差。輸出的驅(qū)動能力很差的說法不準確,驅(qū)動能力取決于IC中的末級晶體管功率。OD只是帶來上升沿的延時,因為上升沿是通過外接上拉無源電阻對負載充電的,當(dāng)電阻選擇小時延時就小、但功耗大,反之延時大功耗小。OPEN DRAIN提供了靈活的輸出方式,但也是有代價的,如果對延時有要求,建議用下降沿輸出。

電阻小延時小的前提條件是電阻選擇的原則應(yīng)在末級晶體管功耗允許范圍內(nèi),有經(jīng)驗的設(shè)計者在使用邏輯芯片時,不會選擇1歐姆的電阻作為上拉電阻。在脈沖的上升沿電源通過上拉無源電阻對負載充電,顯然電阻越小上升時間越短,在脈沖的下降沿,除了負載通過有源晶體管放電外,電源也通過上拉電阻和導(dǎo)通的晶體管對地 形成通路,帶來的問題是芯片的功耗和耗電問題。電阻影響上升沿,不影響下降沿。如果使用中不關(guān)心上升沿,上拉電阻就可選擇盡可能的大點,以減少對地通路的 電流。如果對上升沿時間要求較高,電阻大小的選擇應(yīng)以芯片功耗為參考。

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原文標題:耦合與退耦,上拉與下拉!

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