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TPS43061 低 Iq 同步升壓控制器,具有寬輸入電壓和 5.5V 柵極驅(qū)動技術(shù)資料

科技綠洲 ? 2025-03-26 15:38 ? 次閱讀
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TPS43060 和 TPS43061 低 IQ電流模式同步 升壓控制器具有 4.5 至 38 V(絕對最大值 40 V)的寬輸入電壓范圍和升壓 輸出范圍高達(dá) 58 V。同步整流可實現(xiàn)高效率的大電流 應(yīng)用和無損電感器 DCR 傳感進(jìn)一步提高了效率。結(jié)果 低功耗與 3 mm × 3 mm WQFN-16 封裝相結(jié)合,具有 PowerPAD? 支持高功率密度和 在擴(kuò)展(–40°C 至 150°C)溫度范圍內(nèi)提供高可靠性的升壓轉(zhuǎn)換器解決方案。
*附件:具有寬 VIN 范圍的 TPS4306x 低靜態(tài)電流同步升壓直流 直流控制器數(shù)據(jù)表.pdf

該 TPS43060 包括一個 7.5V 柵極驅(qū)動電源,適用于驅(qū)動寬范圍 MOSFET 的TPS43061具有 5.5V 柵極驅(qū)動電源和驅(qū)動器強(qiáng)度,針對低 QgNexFET 功率 MOSFET。此外,TPS43061 還提供了一個集成的引導(dǎo)程序 二極管用于高端柵極驅(qū)動器,以減少外部零件數(shù)量。

特性

  • 58V 最大輸出電壓
  • 4.5 至 38 V(絕對最大值 40 V)V范圍
  • TPS43060:針對標(biāo)準(zhǔn)閾值 MOSFET 優(yōu)化的
    7.5V 柵極驅(qū)動
  • TPS43061:針對低 Q 值優(yōu)化的5.5V 柵極驅(qū)動gNexFET? 功率 MOSFET
  • 具有內(nèi)部
    斜率補(bǔ)償?shù)碾娏髂J娇刂?/li>
  • 可調(diào)頻率范圍為 50 kHz 至
    1 MHz
  • 與外部
    時鐘同步的能力
  • 可調(diào)軟啟動時間
  • 電感器 DCR 或電阻器電流感應(yīng)
  • 輸出電壓 Power-Good 指示燈
  • ±0.8% 反饋參考電壓
  • 5μA 關(guān)斷電源電流
  • 600μA 工作靜態(tài)電流
  • 集成自舉二極管 (TPS43061)
  • 逐周期電流限制和熱
    關(guān)斷
  • 可調(diào)欠壓鎖定 (UVLO)
    和輸出過壓保護(hù)
  • 帶 PowerPAD? 的小型 16 引腳 WQFN(3 mm × 3 mm)
    封裝
  • –40°C 至 150°C 工作TJ范圍

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:TPS4306x
  • ?制造商?:Texas Instruments
  • ?類型?:低靜態(tài)電流同步升壓DC-DC控制器
  • ?特點?:具有寬輸入電壓范圍(4.5V至38V),適用于多種應(yīng)用,如Thunderbolt端口、汽車電源系統(tǒng)、同步反激式電路等。

二、主要特性

  • ?最大輸出電壓?:58V
  • ?輸入電壓范圍?:4.5V至38V(絕對最大值為40V)
  • ?門極驅(qū)動優(yōu)化?:
    • TPS43060:7.5V門極驅(qū)動,適用于標(biāo)準(zhǔn)閾值MOSFET
    • TPS43061:5.5V門極驅(qū)動,優(yōu)化用于低Qg NexFET?功率MOSFET
  • ?控制模式?:電流模式控制,具有內(nèi)部斜率補(bǔ)償
  • ?頻率可調(diào)?:從50kHz至1MHz
  • ?同步整流?:支持高電流應(yīng)用的高效率
  • ?保護(hù)功能?:包括過壓保護(hù)、過流限制、熱關(guān)斷等

三、電氣特性

  • ?靜態(tài)電流?:
    • 操作靜態(tài)電流:600μA(典型值)
    • 關(guān)機(jī)供電電流:5μA(典型值)
  • ?反饋參考電壓?:±0.8%精度,1.22V
  • ?軟啟動時間?:可調(diào)
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:可調(diào),具有遲滯功能
  • ? 過壓保護(hù)(OVP) ?:固定閾值,具有遲滯

四、功能描述

  • ?寬VIN范圍?:支持從4.5V至38V的寬輸入電壓范圍,適應(yīng)多種電源環(huán)境。
  • ?電流模式控制?:采用電流模式脈寬調(diào)制(PWM)控制,實現(xiàn)穩(wěn)定的電壓輸出。
  • ?同步整流?:集成低側(cè)N溝道MOSFET和高側(cè)同步整流N溝道MOSFET的柵極驅(qū)動,提高效率。
  • ?軟啟動?:內(nèi)置軟啟動電路,減少啟動時的電流尖峰和輸出電壓過沖。
  • ?保護(hù)功能?:
    • 過壓保護(hù):當(dāng)輸出電壓超過設(shè)定閾值時,關(guān)閉低側(cè)MOSFET。
    • 過流限制:采用周期過流限制,防止電流過大損壞電路。
    • 熱關(guān)斷:當(dāng)結(jié)溫超過設(shè)定閾值時,自動關(guān)閉控制器。

五、應(yīng)用與實現(xiàn)

  • ?典型應(yīng)用?:包括5V、12V和24V DC總線電源系統(tǒng),電池供電系統(tǒng)等。
  • ?設(shè)計步驟?:
    1. 選擇開關(guān)頻率。
    2. 選擇電感器。
    3. 選擇電流感應(yīng)電阻
    4. 選擇輸出電容器。
    5. 選擇MOSFET。
    6. 選擇引導(dǎo)電容器和VCC電容器。
    7. 設(shè)置軟啟動時間。
    8. 調(diào)整UVLO設(shè)定點(如需)。
    9. 選擇功率良好電阻(如需)。
    10. 進(jìn)行控制環(huán)路補(bǔ)償。

六、布局與熱考慮

  • ?布局指南?:關(guān)鍵信號路徑應(yīng)最小化,噪聲敏感元件應(yīng)靠近控制器放置,并使用寬跡線連接高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動信號。
  • ?熱考慮?:控制器采用熱增強(qiáng)型WQFN封裝,應(yīng)通過多個通孔將PowerPAD連接到內(nèi)部地平面以改善散熱性能。

七、封裝與供貨信息

  • ?封裝類型?:16引腳WQFN(3mm x 3mm),帶PowerPAD
  • ?供貨狀態(tài)?:活躍生產(chǎn)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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