一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

      PI電源芯片 ? 來源：PI電源芯片 ? 2025-03-27 13:46 ? 次閱讀

      PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當?shù)男屎碗妷航殿~性能，同時具有硅二極管的價格優(yōu)勢和供應保證。

      新款二極管設(shè)計用于滿足現(xiàn)代應用日益增長的功率要求，適合1.6kW至11kW的連續(xù)導通模式(CCM) PFC升壓應用。在使用高功率CPU和GPU的服務器、電信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和工業(yè)電源中，它們可輕松滿足80%的擊穿電壓降額要求。

      650V Qspeed二極管的反向恢復電荷與SiC二極管相當，因此在3.4kW電池充電器應用中的系統(tǒng)效率與后者幾乎相同?；旌螾iN-Schottky二極管技術(shù)使其具有軟的反向恢復電流特性，可降低EMI和峰值反向電壓應力，從而無需使用緩沖器。

      28ef73dc-09e7-11f0-9310-92fbcf53809c.png

      交錯式CCM升壓PFC

      291199da-09e7-11f0-9310-92fbcf53809c.png

      新款Qspeed二極管采用行業(yè)標準TO-220AC封裝，具有2.5kV的絕緣能力及優(yōu)異的導熱性能。它們可以直接用來替代同等性能的SiC二極管。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 二極管
        +關(guān)注

        關(guān)注

        148

        文章

        9974

        瀏覽量

        169682
      • 服務器
        +關(guān)注

        關(guān)注

        12

        文章

        9596

        瀏覽量

        86970
      • SiC
        SiC
        +關(guān)注

        關(guān)注

        31

        文章

        3095

        瀏覽量

        64107
      • 碳化硅
        +關(guān)注

        關(guān)注

        25

        文章

        2967

        瀏覽量

        49899

      原文標題：650V Qspeed硅二極管可替代碳化硅元件，適用AI服務器、電信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和工業(yè)應用

      文章出處：【微信號：Power_Integrations，微信公眾號：PI電源芯片】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

      收藏 人收藏

        評論

        相關(guān)推薦

        SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

        P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復電流、
        的頭像 發(fā)表于 02-28 18:21 ?461次閱讀
        SiC SBD-P3D06010G2 650V <b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>數(shù)據(jù)手冊

        SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

        結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC
        的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?266次閱讀

        PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應用

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應用.pdf》資料免費下載
        發(fā)表于 02-14 15:21 ?0次下載
        PSC2065L<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>在TO247 R2P應用

        PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
        發(fā)表于 02-12 16:09 ?0次下載
        PSC1065B1<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>規(guī)格書

        為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管

        SiC（碳化硅）肖特基二極管正逐步取代傳統(tǒng)的FRD（快恢復二極管），成為新一代電力電子設(shè)備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢背后的原因，并探究BASiC基本公司SiC
        的頭像 發(fā)表于 02-06 11:51 ?413次閱讀
        為什么BASiC基本公司SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復<b class='flag-5'>二極管</b>

        40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

        BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅M
        發(fā)表于 01-22 10:43

        Littelfuse推出TPSMB非對稱TVS二極管系列

        Littelfuse宣布推出TPSMB非對稱TVS二極管系列，這是首款上市的非對稱瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管，專門用于保護汽車應用中的碳化硅（SiC）MOSFET柵極驅(qū)動器。 這一創(chuàng)
        的頭像 發(fā)表于 12-30 14:39 ?521次閱讀

        碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價值戰(zhàn)略咨詢報告

        根據(jù)Global Info Research項目團隊最新調(diào)研，預計2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達到2249百萬美元，2024-2030年期間年復合增長率CAGR為23.5%。
        的頭像 發(fā)表于 10-15 16:44 ?463次閱讀

        光伏板碳化硅二極管怎么選

        選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
        的頭像 發(fā)表于 09-29 14:33 ?778次閱讀
        光伏板<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>怎么選

        晶體二極管和超快恢復二極管的區(qū)別

        晶體二極管（簡稱二極管）和超快恢復二極管（Fast Recovery Diode，簡稱FRD）在電子元件領(lǐng)域都扮演著重要角色，但它們在性能、
        的頭像 發(fā)表于 09-23 18:26 ?696次閱讀

        SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)

        SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導體材料的重要應用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)，同時結(jié)合其技術(shù)特性和應用場
        的頭像 發(fā)表于 09-10 15:09 ?1920次閱讀

        SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

        SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅
        的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?2118次閱讀

        STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
        發(fā)表于 09-05 11:36 ?0次下載

        華燊泰：碳化硅二極管低能耗和高效率的秘密#SiC碳化硅 #第三代半導體 #肖特基二極管

        肖特基二極管碳化硅
        秦仲弘
        發(fā)布于 :2024年07月19日 16:54:37