概述
HMC219B是一款超小型通用雙平衡混頻器，采用8引腳超小型塑料表貼封裝，帶裸露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。該器件可用作頻率范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相調(diào)制器或相位比較器。

HMC219B采用經(jīng)過優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)，提供出色的本振(LO)至射頻(RF)隔離及LO至中頻(IF)隔離性能。符合RoHS標準的HMC219B無需線焊，與高容量表貼制造技術(shù)兼容。MMIC性能穩(wěn)定可提高系統(tǒng)工作效率并確保符合HiperLAN、U-NII和ISM法規(guī)要求。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC219B 2.5GHz至7.0GHzGaAs、MMIC基波混頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(wǎng)(HiperLAN)和免執(zhí)照國家信息基礎(chǔ)設(shè)施(U-NII)
• 工業(yè)、科研和醫(yī)療(ISM)

特性

• 轉(zhuǎn)換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結(jié)構(gòu)
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

功能框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型應(yīng)用電路

圖83展示了HMC219B的典型應(yīng)用電路。HMC219B是一款無源器件，無需任何外部組件。本振（LO）引腳和射頻（RF）引腳內(nèi)部已進行直流耦合。如果不需要直流中頻（IF）工作，在IF端口使用一個交流耦合電容。如果需要直流IF工作，請勿超過“絕對最大額定值”部分中規(guī)定的IF源電流和灌電流額定值。

圖83. 典型應(yīng)用電路
評估印刷電路板（PCB）信息

對于圖84中所示的評估PCB，必須采用射頻電路設(shè)計技術(shù)。信號線必須具有50Ω的阻抗，封裝接地引腳和外露焊盤必須直接連接到接地層，類似于圖84中所示。使用足夠數(shù)量的過孔連接頂層和底層接地層。圖84中所示的評估電路板可根據(jù)需求從亞德諾半導體（Analog Devices, Inc.）獲取。訂購評估PCB組件時，請參考EV1HMC219BMS8G。材料清單如表5所示。