概述
HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驅(qū)動(dòng)放大器驅(qū)動(dòng)LO的I/Q混頻器。 還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過(guò)外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。 HMC7911LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無(wú)需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC7911 17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I Q上變頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)無(wú)線電
• 軍用雷達(dá)、EW和ELINT
• 衛(wèi)星通信
• 傳感器

特性

• 轉(zhuǎn)換增益：18 dB（典型值）
• 邊帶抑制：30 dBc（典型值）
• 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：2 dBm（典型值）
• 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
• IF輸入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
• RF回波損耗：13 dB（典型值）
• LO回波損耗：10 dB（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

工作原理

HMC8108是一款X波段低噪聲變頻器，集成了本振緩沖器。它能將9GHz的射頻輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為10GHz的中頻信號(hào)，并在輸出端抑制鏡像信號(hào) 。HMC8108的功能框圖和電路架構(gòu)如圖54所示。

射頻輸入信號(hào)先經(jīng)過(guò)兩級(jí)低噪聲放大。預(yù)混頻的射頻輸入信號(hào)隨后通過(guò)內(nèi)部混合器分離為單端信號(hào)，再進(jìn)入無(wú)源混頻器。一個(gè)功率分配器后接三個(gè)本振緩沖放大器，驅(qū)動(dòng)兩個(gè)正交（I和Q）混頻器核心，將放大后的射頻輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為中頻信號(hào)。一個(gè)2:1的衰減器可實(shí)現(xiàn)10dB到30dB的增益控制范圍。

應(yīng)用信息

圖83展示了一個(gè)典型的下邊帶上變頻電路。下邊帶輸入信號(hào)連接到外部90°混合耦合器的輸入端口。隔離端口接50Ω負(fù)載。90°混合耦合器將信號(hào)分成同相（I）和正交（Q）相位分量。這兩個(gè)I和Q輸入信號(hào)進(jìn)入HMC7911，IF1和IF2引腳。如果器件連接到90°混合耦合器的耦合端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。通過(guò)施加較小的I/Q混頻器核心偏移電壓V_{cc - BI}和V_{cc - BQ}，可以改善本振（LO）到射頻（RF）的泄漏。但是，必須限制施加的直流偏置，以避免產(chǎn)生或吸收超過(guò)±3mA的偏置電流。根據(jù)所使用的偏置源，可能會(huì)有額外的±3mA限制，以確保施加的偏置電流不超過(guò)限制。