一、運算放大器行業(yè)的技術(shù)演進與市場需求

在全球半導體市場規(guī)模突破6000億美元的背景下，模擬芯片作為電子系統(tǒng)的"感官神經(jīng)"，正迎來智能化升級浪潮。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，2023年全球運算放大器市場規(guī)模達32.7億美元，其中工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、消費電子三大領(lǐng)域合計占比超65%。面對5G通信、物聯(lián)網(wǎng)傳感器、新能源檢測等新興場景，傳統(tǒng)運放器件暴露出四大痛點：

1. 噪聲抑制不足：在μV級信號采集場景中誤差顯著

2. 功耗效能失衡：高精度與低功耗難以兼得

3. 溫度漂移失控：-40℃~125℃工況下參數(shù)波動超5%

4. 集成度局限：多通道系統(tǒng)需復雜外圍電路補償

華芯邦技術(shù)總監(jiān)指出："HX324的研發(fā)初衷，是打造適應工業(yè)4.0時代的智能運放平臺，其核心指標已全面超越JEDEC AEC-Q100標準。"

二、HX324雙運算放大器的核心技術(shù)解析

2.1 架構(gòu)創(chuàng)新：雙通道智能補償技術(shù)

HX324采用華芯邦獨有的DualPath-Arch?架構(gòu)，實現(xiàn)兩大技術(shù)突破：

- 動態(tài)偏置補償：通過實時監(jiān)測輸入級電流變化，將輸入偏置電流降至0.5pA（典型值）

- 跨導自適應調(diào)節(jié)：根據(jù)負載特性自動調(diào)整gm值，使增益帶寬積（GBW）穩(wěn)定在10MHz±2%

2.2 工藝突破：第三代硅基氮化鎵技術(shù)

采用GaN-on-Si工藝的HX324展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：

- 耐壓能力：支持±2.5V至±18V寬電壓輸入

- 熱穩(wěn)定性：-40℃~150℃范圍內(nèi)失調(diào)電壓漂移<0.3μV/℃

- EMI防護：集成片上EMI濾波器，輻射抗擾度達30V/m（1GHz~6GHz）

三、全場景解決方案：從芯片到系統(tǒng)級應用

3.1 工業(yè)控制領(lǐng)域

在PLC信號鏈中，HX324可構(gòu)建：

- 24位ADC前端調(diào)理電路：通過噪聲整形技術(shù)實現(xiàn)110dB動態(tài)范圍

- 4-20mA變送器：線性度誤差<0.01%

- 振動傳感器接口：支持10nA級微電流檢測

3.2 醫(yī)療電子應用

滿足IEC 60601-1醫(yī)療設(shè)備標準：

- 心電圖（ECG）導聯(lián)電路：共模抑制比（CMRR）達140dB

- 血氧傳感器：0.1%精度脈搏波提取

- 植入式設(shè)備電源管理：0.1μA深度休眠模式

3.3 消費電子創(chuàng)新

賦能智能硬件開發(fā)：

- TWS耳機主動降噪：信噪比（SNR）提升至105dB

- 智能穿戴生物傳感：支持0.5mm極間距電極檢測

- 無人機飛控系統(tǒng)：響應延遲壓縮至50ns級

作為工業(yè)4.0時代信號鏈革新的關(guān)鍵引擎，華芯邦HX324雙運算放大器精準感知、智慧控制為核心價值，重新定義了高精度信號處理的性能邊界。其融合雙通道智能補償架構(gòu)與第三代GaN-on-Si工藝的技術(shù)突破，不僅攻克了噪聲抑制、溫漂控制等行業(yè)難題，更通過全場景適配能力賦能工業(yè)、醫(yī)療、消費電子三大領(lǐng)域的智能化升級。華芯邦持續(xù)深化“芯片+解決方案”雙輪驅(qū)動戰(zhàn)略，提供從設(shè)計支持到量產(chǎn)保障的一站式服務(wù)，助力客戶縮短60%產(chǎn)品開發(fā)周期，降低30%系統(tǒng)成本。未來，隨著AIoT與新能源產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長，HX324將持續(xù)釋放技術(shù)潛能，為萬物互聯(lián)時代構(gòu)建更可靠、更高效的信號處理基石。

文章轉(zhuǎn)發(fā)自：https://www.hotchip.com.cn/hx324-syxfdqsj/

審核編輯 黃宇