概述
ADL5801利用一個高線性度雙平衡有源混頻器內核以及集成的本振緩沖放大器來提供10 MHz至6 GHz的高動態(tài)范圍頻率轉換。專有的線性化架構使混頻器能在高輸入電平下提供增強的IP3性能。偏置調整特性可通過單一控制引腳實現(xiàn)輸入線性度、單邊帶噪聲指數(shù)，以及直流電流的較優(yōu)化。在手機應用中，帶內阻塞信號可能會導致動態(tài)性能下降，ADL5801的高輸入線性度使其能夠滿足這一應用的嚴苛要求。自適應偏置功能使得該款器件能夠在出現(xiàn)強阻塞信號時實現(xiàn)高IP3性能。當強干擾不再出現(xiàn)時，ADL5801會自動偏置以實現(xiàn)低噪聲指數(shù)和低功耗。

平衡的有源混頻器可提供出色的本振至射頻與本振至中頻泄漏，其典型值優(yōu)于-40 dBm。IF的輸出內部連接至200Ω的源阻抗，當負載為200Ω時，電壓轉換增益為7.5 dB(典型值)。開集IF輸出的寬頻率范圍使得ADL5801適合用作各種傳輸應用中的上變頻器。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADL5801高IP3、10MHz至6GHz有源混頻器技術手冊.pdf

應用

• 手機基站接收機
• 無線鏈路下變頻器
• 寬帶模塊轉換
• I儀器儀表

特性

• 寬帶通道上/下變頻器
• 功率轉換增益：1.5 dB
• 寬帶RF、本振和IF端口
• 邊帶噪聲指數(shù)：10 dB
• 出色的阻塞單邊帶噪聲指數(shù)
• 輸入IP3：27 dBm
• 輸入P 1dB ：12 dBm
• 本振驅動：0 dBm(典型值)
• RF輸出端的本振泄漏：-40 dBm
• 單電源供電：5 V @ 80 mA
• 可調偏置，適合低功耗工作
• 4 mm × 4 mm，24引腳裸露焊盤LFCSP封裝

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

電路說明

ADL5801包含一個雙平衡有源混頻器，具有50Ω輸入阻抗和250Ω輸出阻抗。此外，ADL5801集成了一個本地振蕩器（LO）放大器，以及一個射頻功率檢測器，可用于優(yōu)化混頻器的動態(tài)范圍。RF和LO輸入為差分信號，能提供最大的可用帶寬以及輸入和輸出端口的隔離度。LO輸入也具有50Ω阻抗，并且可以選擇以差分或單端方式工作。輸入、輸出和LO端口可在極寬的頻率范圍內工作。ADL5801可配置為下變頻器或上變頻器。

ADL5801可細分為以下幾個部分：LO放大器和分配器、RF電壓 - 電流（V - to - I）轉換器、混頻器核心、輸出負載、RF檢測器以及偏置電路。圖87展示了簡化的框圖。LO模塊產(chǎn)生一對差分LO信號，為兩個混頻器供電。RF輸入功率通過V - to - I轉換器轉換為RF電流，然后輸入到雙混頻器核心?；祛l器的內部差分負載提供250Ω的寬帶輸出阻抗。每個輸出的參考電流由偏置電路產(chǎn)生，可通過ENBL引腳啟用或禁用。以下是ADL5801各部分的詳細說明。

LO放大器和分配器

LO輸入經(jīng)過一系列放大器進行調節(jié)，為混頻器核心提供良好控制且受限的LO擺幅，從而實現(xiàn)出色的輸入IP3。LO輸入隨后由寬帶低噪聲放大器（LNA）放大，接著是限幅放大器。LNA輸入阻抗標稱值為50Ω。LO混頻器電路具有低附加噪聲，可實現(xiàn)出色的混頻器噪聲系數(shù)和輸出噪聲抑制。為獲得最佳性能，LO輸入應采用差分驅動，但在較低頻率下，單端驅動也是可行的。
RF電壓 - 電流（V - to - I）轉換器

差分RF輸入信號施加到V - to - I轉換器，該轉換器將差分輸入電壓轉換為輸出電流。V - to - I轉換器提供50Ω輸入阻抗。V - to - I部分的偏置電流可通過VSET引腳進行調節(jié)。調節(jié)此電流可改善IP3和P1dB輸入，但會增加SSB噪聲系數(shù)。調節(jié)電流可改善SSB噪聲系數(shù)，但會降低IP3和P1dB輸入。變頻增益在VSET引腳的寬范圍內幾乎保持恒定，允許動態(tài)調整偏置電流，而不會影響變頻增益。
混頻器核心

ADL5801采用雙平衡混頻器，使用高性能SiGe NPN晶體管。該混頻器基于吉爾伯特單元設計，具有四交叉連接的傳輸器。
混頻器輸出負載

混頻器負載采用一對125Ω電阻連接到正電源，提供250Ω差分輸出電阻。混頻器輸出通過連接到正電源的中心抽頭的輸出變壓器與一對RF扼流圈一起拉出。當混頻器核心電流較低時，可以省略這些組件，從而降低P1dB輸入和IP3。

混頻器輸出可以從直流（dc）向上工作到約600MHz的直接電流。對于上變頻應用，混頻器負載可使用片外匹配組件進行匹配，傳輸工作頻率高達3GHz。有關匹配電路細節(jié)，請參見“應用信息”部分。