一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

楊茜 ? 來(lái)源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-03-31 07:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

深度分析:從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

某廠(chǎng)商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠(chǎng)商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測(cè)試的極端重要性。國(guó)產(chǎn)SiC模塊若要在光伏、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域替代進(jìn)口IGBT模塊產(chǎn)品,必須通過(guò)嚴(yán)格的可靠性實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。以下針對(duì)產(chǎn)SiC模塊HTGB、HTRB、H3TRB、HTS、LTS、PCsec等關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的具體含義、測(cè)試方法及行業(yè)意義進(jìn)行深度分析。

一、可靠性實(shí)驗(yàn)的定義與作用

HTGB(High Temperature Gate Bias,高溫柵極偏置實(shí)驗(yàn))

含義:在高溫環(huán)境下對(duì)SiC模塊的柵極施加偏置電壓,測(cè)試柵極氧化層的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

重要性:SiC MOSFET的柵極氧化層在高溫高壓下易發(fā)生閾值電壓漂移或擊穿,HTGB實(shí)驗(yàn)可評(píng)估其耐受能力,避免因柵極失效導(dǎo)致器件失控。

行業(yè)案例:某廠(chǎng)商SiC模塊曾因柵極氧化層缺陷導(dǎo)致汽車(chē)主驅(qū)動(dòng)逆變器頻繁故障,直接損失數(shù)億元。

HTRB(High Temperature Reverse Bias,高溫反向偏置實(shí)驗(yàn))

含義:在高溫下對(duì)器件施加反向偏置電壓,檢測(cè)漏電流變化及耐壓能力。

重要性:SiC模塊在高電壓應(yīng)用中(如光伏逆變器,儲(chǔ)能變流器,V2G充電樁)需承受持續(xù)反向電壓,HTRB實(shí)驗(yàn)可驗(yàn)證其耐壓穩(wěn)定性,防止漏電流過(guò)大引發(fā)熱失效。

典型參數(shù):測(cè)試溫度通常為175°C,反向電壓可達(dá)模塊標(biāo)稱(chēng)電壓的100%。

H3TRB(High Humidity High Temperature Reverse Bias,高濕高溫反向偏置實(shí)驗(yàn))

含義:在高溫(如85°C)、高濕(如85% RH)環(huán)境下施加反向電壓,評(píng)估器件在濕熱條件下的絕緣性能。

重要性:光伏逆變器,儲(chǔ)能變流器,V2G充電樁等常暴露于戶(hù)外潮濕環(huán)境,H3TRB實(shí)驗(yàn)可檢測(cè)封裝材料防潮能力及內(nèi)部電極腐蝕風(fēng)險(xiǎn),避免因濕氣侵入導(dǎo)致短路。

HTS(High Temperature Storage,高溫存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn))

含義:將器件置于高溫(如175°C)環(huán)境中存儲(chǔ),觀(guān)察材料熱老化對(duì)性能的影響。

重要性:高溫環(huán)境會(huì)加速焊料層蠕變、界面分層等失效,HTS實(shí)驗(yàn)可驗(yàn)證模塊長(zhǎng)期高溫存儲(chǔ)后的機(jī)械電氣穩(wěn)定性。

LTS(Low Temperature Storage,低溫存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn))

含義:在低溫(如-40°C)下存儲(chǔ)器件,測(cè)試材料冷縮效應(yīng)及低溫脆性。

重要性:低溫環(huán)境下封裝材料與芯片的熱膨脹系數(shù)差異易導(dǎo)致開(kāi)裂,LTS實(shí)驗(yàn)可篩選出低溫耐受性差的模塊。

PCsec(Power Cycling Seconds,秒級(jí)功率循環(huán)實(shí)驗(yàn))

含義:通過(guò)快速通斷電流(周期≤3秒)模擬實(shí)際工況下的溫度波動(dòng),測(cè)試綁定線(xiàn)、焊層等機(jī)械連接的疲勞壽命。

重要性:功率循環(huán)是導(dǎo)致IGBT/SiC模塊失效的主因(如綁定線(xiàn)脫落、焊層分離),PCsec實(shí)驗(yàn)可量化模塊在頻繁啟停場(chǎng)景下的可靠性。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn):遵循AQG324標(biāo)準(zhǔn),監(jiān)測(cè)Rdson和熱阻(Rthjc)變化,失效判據(jù)為Rdson增加或Rthjc增加。

二、國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的行業(yè)意義

規(guī)避技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)
某廠(chǎng)商IGBT模塊的失效案例中,功率循環(huán)壽命不足(PCsec未達(dá)標(biāo))是主要原因。國(guó)產(chǎn)SiC模塊通過(guò)上述實(shí)驗(yàn)可系統(tǒng)性排查封裝工藝缺陷(如焊料空洞、分層)和材料適配性問(wèn)題。

提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力
SiC模塊在光伏逆變器中可提升效率(如降低開(kāi)關(guān)損耗30%以上),但若可靠性不足,反而增加維護(hù)成本。通過(guò)HTGB、HTRB等實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)模塊,可對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌,加速替代進(jìn)口。

滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)與工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
新能源汽車(chē)與光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域?qū)δK壽命要求苛刻滿(mǎn)足10-25年壽命,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)是獲得AQG324、QC/T 1136等認(rèn)證的前提,也是進(jìn)入高端供應(yīng)鏈的“入場(chǎng)券”。

三、實(shí)驗(yàn)技術(shù)挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略

實(shí)驗(yàn)設(shè)備與標(biāo)準(zhǔn)適配

挑戰(zhàn):H3TRB實(shí)驗(yàn)需精準(zhǔn)控制溫濕度,PCsec實(shí)驗(yàn)需高頻電流加載設(shè)備。

應(yīng)對(duì):聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)定制化測(cè)試方案,引入國(guó)產(chǎn)化設(shè)備優(yōu)化封裝工藝。

失效分析與工藝改進(jìn)

挑戰(zhàn):HTGB實(shí)驗(yàn)中柵極氧化層缺陷難以通過(guò)常規(guī)檢測(cè)(如X-ray)發(fā)現(xiàn),需結(jié)合熱敏感電參數(shù)法逆向分析。

應(yīng)對(duì):采用有限元仿真優(yōu)化熱應(yīng)力分布(如降低結(jié)溫3℃),并通過(guò)多參數(shù)模型(如CIPS模型)預(yù)測(cè)壽命。

四、結(jié)論

某廠(chǎng)商IGBT模塊大規(guī)模失效的教訓(xùn)表明,可靠性實(shí)驗(yàn)不僅是技術(shù)驗(yàn)證手段,更是市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的核心壁壘。國(guó)產(chǎn)SiC模塊需以HTGB、PCsec等實(shí)驗(yàn)為抓手,從材料、封裝、測(cè)試三端突破,構(gòu)建全生命周期可靠性保障體系。隨著國(guó)產(chǎn)SiC模塊加速替代進(jìn)口IGBT模塊,實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)將更趨嚴(yán)苛,但這也是國(guó)產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車(chē)”的關(guān)鍵機(jī)遇。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4071

    瀏覽量

    254588
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65265
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然

    國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?327次閱讀
    <b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅功率<b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的必然<b class='flag-5'>性</b>

    為何必須通過(guò)TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的柵氧可靠性水平

    應(yīng)用場(chǎng)景,分析HTGB(高溫柵偏)實(shí)驗(yàn)的局限性,以及為何必須通過(guò)TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的柵氧可靠性水平。 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(C
    的頭像 發(fā)表于 05-18 07:34 ?301次閱讀
    為何必須通過(guò)TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的柵氧<b class='flag-5'>可靠性</b>水平

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試

    無(wú)需封裝:熱阻低,允許施加更高溫度和大電流密度而不引入新失效機(jī)理;實(shí)時(shí)反饋:與工藝開(kāi)發(fā)流程深度融合,工藝調(diào)整后可立即通過(guò)測(cè)試反饋評(píng)估可靠性影響;行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化:主流廠(chǎng)商均發(fā)布WLR技術(shù)報(bào)告,推動(dòng)其成為工藝
    發(fā)表于 05-07 20:34

    IGBT的應(yīng)用可靠性失效分析

    包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:38 ?1021次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>的應(yīng)用<b class='flag-5'>可靠性</b>與<b class='flag-5'>失效</b>分析

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠(chǎng)商?hào)叛?b class='flag-5'>可靠性危機(jī)與破局分析

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車(chē)載OBC(車(chē)載充電機(jī))等領(lǐng)域出現(xiàn)柵氧可靠性問(wèn)題后,行業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。面對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-20 13:33 ?358次閱讀
    <b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET廠(chǎng)商?hào)叛?b class='flag-5'>可靠性</b>危機(jī)與破局分析

    質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果

    質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國(guó)產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 04-02 18:24 ?351次閱讀
    質(zhì)量亂象:未通過(guò)<b class='flag-5'>可靠性</b>關(guān)鍵<b class='flag-5'>實(shí)驗(yàn)</b>的<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>應(yīng)用隱患與后果

    深圳V2G車(chē)網(wǎng)互動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC模塊在雙向充電樁應(yīng)用的市場(chǎng)潛力

    深圳V2G聯(lián)網(wǎng)試驗(yàn)看國(guó)產(chǎn)SiC模塊在雙向充電樁應(yīng)用的市場(chǎng)潛力 深圳近期開(kāi)展的全國(guó)最大規(guī)模車(chē)網(wǎng)互動(dòng)(V2G)實(shí)測(cè)活動(dòng)(覆蓋760個(gè)充電場(chǎng)站、
    的頭像 發(fā)表于 03-31 06:34 ?369次閱讀
    <b class='flag-5'>從</b>深圳V2G車(chē)網(wǎng)互動(dòng)<b class='flag-5'>看</b><b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>在雙向充電樁應(yīng)用的市場(chǎng)潛力

    中國(guó)電力電子客戶(hù)不再迷信外資品牌的IGBT模塊SiC模塊

    。以下大眾汽車(chē)尾氣排放造假事件、部分海外IGBT模塊供應(yīng)商的失效報(bào)告造假而造成的行業(yè)誠(chéng)信問(wèn)題切入,結(jié)合國(guó)產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:50 ?327次閱讀

    國(guó)產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)

    這場(chǎng)價(jià)格絞殺戰(zhàn)。以下市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)背景、國(guó)產(chǎn)SiC模塊的應(yīng)對(duì)策略及未來(lái)展望展開(kāi)深度分析: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-21 07:00 ?473次閱讀

    IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級(jí)!

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能
    的頭像 發(fā)表于 03-18 10:14 ?777次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>封裝:高效散熱,<b class='flag-5'>可靠性</b>再升級(jí)!

    BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

    基本股份)在成本上逐漸與進(jìn)口IGBT模塊持平。這推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)SiC模塊在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用,加速了對(duì)進(jìn)口I
    的頭像 發(fā)表于 02-13 19:19 ?445次閱讀
    BTP1521P解決<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>升級(jí)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

    高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?544次閱讀
    高頻電鍍電源<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>模塊</b>替代富士<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>損耗對(duì)比

    儲(chǔ)能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

    綜合成本,高溫穩(wěn)定性適配嚴(yán)苛環(huán)境,國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈加速成本下探。盡管IGBT在中低壓場(chǎng)景仍具短期成本優(yōu)勢(shì),但SiC憑借技術(shù)迭代與規(guī)模化效應(yīng),已成為電力電子創(chuàng)新的核心引擎,推動(dòng)儲(chǔ)能系統(tǒng)向高功
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:37 ?656次閱讀

    SiC模塊封裝技術(shù)解析

    較多的闡述,比如IGBT模塊可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估,功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:20 ?1040次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>封裝技術(shù)解析

    微電子器件可靠性失效分析程序

    微電子器件可靠性失效分析程序
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?1824次閱讀
    微電子器件<b class='flag-5'>可靠性</b><b class='flag-5'>失效</b>分析程序