2025年是IC設(shè)計(jì)成就獎舉辦的第23年，一路伴隨和見證產(chǎn)業(yè)的成長與發(fā)展，是中國電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎項(xiàng)之一，頒獎典禮已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖的年度盛會及行業(yè)領(lǐng)航標(biāo)！活動評選并表彰業(yè)內(nèi)優(yōu)秀的IC設(shè)計(jì)公司、上游服務(wù)供應(yīng)商、熱門模塊/設(shè)計(jì)方案和熱門產(chǎn)品。

深耕存儲，創(chuàng)新不斷，3月27日頒獎晚宴上，東芯半導(dǎo)體3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很榮幸獲選了“2025年度中國IC設(shè)計(jì)成就獎之熱門IC產(chǎn)品獎：年度最佳存儲器”。同時(shí)，進(jìn)入“Aspencore2025中國IC設(shè)計(jì)Fabless100排行榜--TOP 10 存儲器公司”，這不但是對我們成果的肯定，也鼓舞我們持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新，為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案！”

Dosilicon

從消費(fèi)級到車規(guī)級:

存儲芯片如何定義終端用戶體驗(yàn)

3月27日下午，東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理陳磊也在IC領(lǐng)袖峰會中，以本土存儲廠商視角，結(jié)合目前存儲市場現(xiàn)狀和熱門的應(yīng)用領(lǐng)域，為大家解析從消費(fèi)級到車規(guī)級:存儲芯片如何定義終端用戶體驗(yàn)。

活動現(xiàn)場

據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示，在AI服務(wù)器的強(qiáng)勁需求帶動下，2024年全球DRAM和NAND Flash銷售收入創(chuàng)1615億美元的歷史新高。其中，NAND Flash市場規(guī)模達(dá)到656.353美元，DRAM市場規(guī)模達(dá)到958.63億美元。

一方面，由于5G/AI/汽車電子等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，DRAM、NAND、NOR在不同階梯中的技術(shù)演進(jìn)滿足應(yīng)用市場多樣化需求，產(chǎn)品需要不斷迭代創(chuàng)新。

另一方面，利基型存儲主流廠商正在逐步退出，或能實(shí)現(xiàn)份額替換，AI 需求高企，產(chǎn)能擠壓下，部分國際大廠逐步轉(zhuǎn)向利潤更高的高帶寬內(nèi)存等產(chǎn)品線。

加以政府政策支持、全球化轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)下游需求增長、產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同合作以及數(shù)據(jù)安全等多重因素體現(xiàn)了芯片國產(chǎn)替代的重要性幾方面驅(qū)動行業(yè)發(fā)展，刷新本土芯片市場需求，本土存儲廠商或?qū)@得更多市場機(jī)遇。

作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司，

現(xiàn)有六大產(chǎn)品矩陣,提供定制化解決方案

SPINANDFlash

單顆粒芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案，

在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器

高傳輸速度，高可靠

產(chǎn)品現(xiàn)擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，

目前工藝制程已經(jīng)推進(jìn)至1xnm先進(jìn)工藝制程。

PPINAND Flash

兼容傳統(tǒng)的并行接口標(biāo)準(zhǔn)，高可靠性?？商峁┤萘繌?Gb到16Gb，1.8V / 3.3V兩種電壓，多種封裝方式的產(chǎn)品，以滿足不同應(yīng)用場景。在網(wǎng)絡(luò)通信，智能音箱，機(jī)頂盒等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。

NORFlash

可提供通用SPI接口、不同規(guī)格的NOR Flash，

容量從64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 兩種電壓，

支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式和多種封裝方式。

DDR3(L)

具備高傳輸速率以及低工作電壓。

可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，具有標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構(gòu)和8個(gè)內(nèi)部bank的DDR3 SDRAM，是主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

LPDDR

具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三個(gè)系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，

LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，

因此非常適合應(yīng)用在各種移動設(shè)備中，

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品。

MCP

產(chǎn)品具有NAND Flash和DDR多種容量組合，

均為低電壓設(shè)計(jì)，核心電壓1.8V

其中DDR包含LPDDR1/2/4X 多種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進(jìn)行封裝，簡化走線設(shè)計(jì)，節(jié)省組裝空間，高效集成電路，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。

東芯半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)全球化運(yùn)營布局，構(gòu)建完整生態(tài)體系，以“存儲”為核心，向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)探索，拓展行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，優(yōu)化業(yè)務(wù)布局。

供應(yīng)鏈構(gòu)建：

我們一直秉持“本土深度、全球廣度”的供應(yīng)鏈布局，堅(jiān)持“雙軌并行”的發(fā)展策略,積極拓展境內(nèi)外雙代工模式,在搭建和完善自主可控的國產(chǎn)化供應(yīng)鏈體系的同時(shí)，與國內(nèi)外的供應(yīng)商建立了互助、互利、互信的合作關(guān)系，保證了供應(yīng)鏈運(yùn)轉(zhuǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

市場布局：

我們的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備和移動終端等領(lǐng)域。我們也持續(xù)聚焦高附加值產(chǎn)品，目前我們SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有產(chǎn)品通過AEC-Q100測試，將適用于更嚴(yán)苛的車規(guī)環(huán)境，也歡迎大家多多咨詢。

·SLC NAND Flash ：

Automotive Grade 1 -40℃~105℃

·NOR Flash：

Automotive Grade 2 -40℃~125℃

·MCP：

Automotive Grade 1 -40℃~105℃

質(zhì)量把控：

我們以“品質(zhì)”、“競爭力”、“客戶滿意”、“持續(xù)改進(jìn)”為公司質(zhì)量方針，不斷優(yōu)化服務(wù)流程和運(yùn)營系統(tǒng)，持續(xù)提升相應(yīng)的產(chǎn)品質(zhì)量與服務(wù)質(zhì)量管理體系，能夠?yàn)槿蚩蛻舻谝粫r(shí)間提供高效的服務(wù)支持。公司持續(xù)加強(qiáng)產(chǎn)品可靠性及生產(chǎn)制程的監(jiān)控力度并建立了優(yōu)秀的客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì)，將客戶服務(wù)理念貫穿到產(chǎn)品研發(fā)至售后的各個(gè)環(huán)節(jié)，在內(nèi)部形成良好的處理閉環(huán)，并持續(xù)提升客戶服務(wù)管理能力。

東芯，為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案！

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù)，專業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力，通過國內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作，致力打造成為中國本土優(yōu)秀的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片設(shè)計(jì)公司。