概述
LT 5526 是一款專為諸如點(diǎn)對(duì)點(diǎn)數(shù)據(jù)傳輸、電纜基礎(chǔ)設(shè)施和無線基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)等高線性度應(yīng)用而優(yōu)化的低功率寬帶混頻器。 該器件包括一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)雙平衡有源混頻器內(nèi)核的內(nèi)部匹配高速 LO 放大器。 一個(gè)集成 RF 緩沖器放大器可提供超群的 LO-RF 隔離度。 RF 和 IF 端口能夠容易地與諸多頻率相匹配，以滿足各種應(yīng)用的要求。

LT5526 為無源混頻器提供了一種高性能的替代方案。 與具有轉(zhuǎn)換損耗且需要高 LO 驅(qū)動(dòng)電平的無源混頻器不同，LT5526 可在低得多的 LO 輸入電平條件下提供轉(zhuǎn)換增益，而且對(duì) LO 功率電平變化的敏感度也低得多。
數(shù)據(jù)表：*附件：LT5526高線性度、低功率下變頻混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)
• 無線基礎(chǔ)設(shè)施
• 電纜下行鏈路基礎(chǔ)設(shè)施
• 高線性度接收器應(yīng)用
  特性
• 工作頻率高達(dá) 2GHz
• 寬帶 RF、LO 和 IF 操作
• 高輸入 IP3：在 900MHz 時(shí)為 +16.5dBm
• 典型轉(zhuǎn)換增益：在 900MHz 時(shí)為 0.6dB
• SSB 噪聲指數(shù)：在 900MHz 時(shí)為 11dB
• 片上 50Ω LO 匹配
• 集成 LO 緩沖器：-5dBm 驅(qū)動(dòng)電平
• 高 LO-RF 和 LO-IF 隔離
• 低電源電流：28mA (典型值)
• 使能功能
• 單 5V 電源
• 16 引腳 QFN (4mm×4mm) 封裝

典型應(yīng)用

DC電氣特性

典型交流性能特征

引腳功能

• NC（引腳1、4、8、13、16） ：內(nèi)部未連接。為提升本振到射頻以及本振到中頻的隔離性能，這些引腳應(yīng)在電路板上接地。
• RF + 、RF -（引腳2、3） ：射頻信號(hào)差分輸入引腳。需用差分信號(hào)驅(qū)動(dòng)這些引腳。每個(gè)引腳必須連接到能夠吸收7.5mA（總計(jì)15mA）直流偏置電流的直流地。可通過巴倫的中心抽頭或并聯(lián)電感來實(shí)現(xiàn)此直流偏置電流回路。需要進(jìn)行阻抗變換，以使射頻輸入匹配50Ω（或75Ω）。
• EN（引腳5） ：使能引腳。當(dāng)輸入電壓高于3V時(shí)，通過引腳6、7、10和11供電的混頻器電路被啟用。當(dāng)輸入電壓低于0.3V時(shí)，所有電路均被禁用。使能引腳典型輸入電流在EN = 5V時(shí)為55μA ，EN = 0V時(shí)為0.01μA。
• VCC1（引腳6） ：本振緩沖器電路電源引腳。典型電流消耗為11mA。該引腳應(yīng)與其他VCC引腳外部相連，并使用100pF和0.01μF電容去耦。
• VCC2（引腳7） ：偏置電路電源引腳。典型電流消耗為2.5mA。該引腳應(yīng)與其他VCC引腳外部相連，并使用100pF和0.01μF電容去耦。
• GND（引腳9、12） ：接地引腳。這些引腳內(nèi)部連接到裸露焊盤，以增強(qiáng)隔離效果。它們應(yīng)連接到電路板上的地，盡管并非用于替代通過封裝背面觸點(diǎn)進(jìn)行的主接地連接。
• IF - 、IF +（引腳10、11） ：中頻信號(hào)差分輸出引腳?？赡苄柽M(jìn)行阻抗變換以匹配輸出。這些引腳必須通過阻抗匹配電感、射頻扼流圈或變壓器中心抽頭連接到VCC。
• LO - 、LO +（引腳14、15） ：本地振蕩器信號(hào)差分輸入引腳。本振輸入在內(nèi)部匹配至50Ω；但由于這些引腳內(nèi)部偏置約為1.7V直流，因此需要外部隔直電容。本振既可以用單端信號(hào)源驅(qū)動(dòng)，同時(shí)將未使用的輸入引腳通過隔直電容接地。
• 裸露焊盤（引腳17） ：整個(gè)芯片的電路接地返回端。必須焊接到印刷電路板接地層。

框圖

測試電路

應(yīng)用信息

LT5526 由一個(gè)雙平衡混頻器、射頻緩沖放大器、高速限幅本振緩沖器以及偏置/使能電路組成。這款芯片針對(duì)射頻輸入信號(hào)達(dá) 2GHz、本振信號(hào)達(dá) 2.5GHz 的下變頻應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。通過適當(dāng)匹配，中頻輸出可在 0.1MHz 至 1GHz 的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)諧。在更寬的輸入頻率范圍內(nèi)也可運(yùn)行，不過性能會(huì)有所下降。

射頻、本振和中頻端口均為差分端口，盡管本振端口在內(nèi)部已匹配用于單端驅(qū)動(dòng)（帶有外部隔直電容）。LT5526 已針對(duì)使用單端本振驅(qū)動(dòng)的情況進(jìn)行了特性表征和生產(chǎn)測試。既可以使用低邊本振注入，也可以使用高邊本振注入。

射頻輸入端口

圖 3 展示了內(nèi)部射頻輸入電路的簡化示意圖以及一個(gè) 900MHz 應(yīng)用的外部阻抗匹配元件示例。每個(gè)射頻輸入引腳需要一個(gè)能夠處理 7.5mA 電流的直流接地回路。直流接地可通過輸入變壓器（T1）的中心抽頭實(shí)現(xiàn)，如圖所示，也可通過從引腳 2 和 3 連接到地的匹配電感或偏置扼流圈來實(shí)現(xiàn)。

低通阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)用于將引腳 2 和 3 處的差分輸入阻抗轉(zhuǎn)換為巴倫輸出的最佳值，如圖 3 和圖 4 所示。為輔助匹配，表 1 列出了幾個(gè)射頻頻率下引腳 2 和 3 處的差分輸入阻抗和反射系數(shù)。以下示例展示了如何為射頻輸入設(shè)計(jì)低通阻抗變換網(wǎng)絡(luò)。

根據(jù)表 1，900MHz 時(shí)的差分輸入阻抗為：
。8.41Ω 的電抗分為兩部分，在 31.3Ω 內(nèi)部負(fù)載電阻兩側(cè)各有一半，如圖 4 所示。匹配網(wǎng)絡(luò)由額外的外部串聯(lián)電感和一個(gè)與所需源阻抗（此例中為 50Ω）并聯(lián)的電容（C1）組成。外部電容和電感的計(jì)算方式如下：