概述
HMC570是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器，在整個頻段范圍內提供10 dB的小信號轉換增益、3 dB的噪聲系數(shù)和17 dB的鏡像抑制性能。 該設備采用LNA，后接由有源2倍頻器驅動的鏡像抑制混頻器。 該鏡像抑制混頻器使得LNA之后無需使用濾波器，并可消除鏡像頻率下的熱噪聲。

它具有I和Q混頻器輸出，所需外部90?混合型器件用于選擇所需邊帶。 以下所示的數(shù)據(jù)均通過安裝在50 Ohm測試夾具中的芯片獲取，且包括每個端口上直徑為1 mil、長度為20 mil的焊線效應。 該產品為混合型鏡像抑制混頻器下變頻器組件的小型替代器件。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC570 GaAs MMIC I Q接收機芯片技術手冊.pdf

應用

• 點對點
• 點對多點無線電
• 軍用雷達、EW和ELINT
• 衛(wèi)星通信

特性

• 轉換增益： 10 dB
• 鏡像抑制： 17 dB
• 2 LO至RF隔離： 35 dB
• 噪聲系數(shù)： 3 dB
• 輸入IP3： +3 dBm
• 裸片尺寸： 2.33 x 2.73 x 0.10mm

邏輯圖

電氣規(guī)格

外形圖

焊盤描述

典型應用

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術

芯片應通過共晶方式或使用導電環(huán)氧直接連接到接地層（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說明 ）。建議使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底制作50歐姆微帶傳輸線，用于芯片的射頻信號傳輸（圖1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。實現(xiàn)此目的的一種方法是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片附著到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后再將其連接到接地層（圖2）。

為了縮短鍵合線長度，微帶襯底應盡可能靠近芯片放置。芯片與襯底的典型間距為0.076毫米（3密耳）。

操作注意事項

遵循以下預防措施，以免造成永久性損壞：

• 存儲 ：所有裸芯片應放置在基于醚華夫格或凝膠的靜電防護容器中，然后密封在靜電防護袋中運輸。靜電防護袋一旦打開，所有芯片應存放在干燥的氮氣環(huán)境中。
• 清潔度 ：在清潔環(huán)境中操作芯片，請勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護措施，防止靜電沖擊（> ±250V靜電沖擊）。
• 瞬態(tài) ：施加偏置時，抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號線和偏置電纜，以減少電感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作芯片。芯片表面可能有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面已金屬化，可使用金錫共晶預制件或導電環(huán)氧進行貼裝。貼裝表面應清潔平整。

• 共晶芯片貼裝 ：推薦使用80/20的金錫預制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10的氮氫混合氣體時，工具尖端溫度應為290°C。請勿使芯片暴露在高于320°C的溫度下超過20秒，貼裝過程中擦拭時間不得超過3秒。
• 環(huán)氧貼裝 ：在貼裝表面涂抹少量環(huán)氧，確保芯片放置到位后，其周邊能形成一圈薄環(huán)氧邊。按制造商的固化時間表固化環(huán)氧。

引線鍵合

推薦使用直徑0.025毫米（1密耳）的純金線進行球鍵合或楔鍵合。熱壓超聲鍵合時，推薦使用的典型工作臺溫度為150°C，球鍵合壓力為40 - 50克，楔鍵合壓力為18 - 22克。使用最小限度的超聲波能量，以實現(xiàn)可靠鍵合。鍵合從芯片開始，在封裝或襯底上結束。所有鍵合線應盡可能短，長度小于0.31毫米（12密耳）。