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UC2825A-EP 增強型產(chǎn)品高速 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-04-02 16:38 ? 次閱讀
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UC2825A-EP 脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器是標準 UC2825 的改進版本。對幾個 circuit 模塊進行了性能增強。誤差放大器增益帶寬積為 12 MHz,而輸入失調(diào)電壓為 2 mV。限流閾值的容差為 5%。振蕩器放電電流額定值為 10 mA,可實現(xiàn)精確的死區(qū)時間控制。頻率精度提高到 6%。啟動電源電流(典型值為 100 μA)非常適合離線應(yīng)用。輸出驅(qū)動器經(jīng)過重新設(shè)計,可在欠壓鎖定 (UVLO) 期間主動吸收電流,而不會降低啟動電流規(guī)格。此外,每個輸出在轉(zhuǎn)換期間能夠產(chǎn)生 2A 的峰值電流。
*附件:uc2825a-ep.pdf

該系列還實現(xiàn)了功能改進。UC2825A-EP 關(guān)斷比較器現(xiàn)在是閾值為 1.2 V 的高速過流比較器。過流比較器設(shè)置一個鎖存器,確保在允許重新啟動之前對軟啟動電容器進行完全放電。當 fault latch 被設(shè)置時,輸出處于低電平狀態(tài)。在連續(xù)故障的情況下,軟啟動電容器在放電前進行充分充電,以確保故障頻率不超過設(shè)計的軟啟動周期。UC2825 CLOCK 引腳是 UC2825A-EP 中的 CLK/LEB。該引腳結(jié)合了時鐘輸出和前沿消隱調(diào)整功能,并已緩沖以便于接口。

UC2825A-EP 具有雙交流輸出和與 UC2825 相同的引腳配置。UVLO 閾值與原始 UC2825 相同。

特性

  • UC2825 PWM 的改進版本
  • 兼容電壓模式或電流模式控制方法
  • 開關(guān)頻率高達 1 MHz 時的實際作
  • 50ns 輸出傳播延遲
  • 高電流雙圖騰柱輸出
    (峰值 2A)
  • Trimmed Oscillator Discharge Current
  • 100μA 低啟動電流
  • 逐脈沖限流比較器
  • 具有全周期重啟功能的鎖存過流比較器
  • 應(yīng)用
    • 受控基線
    • 一個裝配/測試站點
    • 一個制造工地
    • 適用于軍用 (–55°C/125°C) 溫度范圍^(1)^
    • 延長產(chǎn)品生命周期
    • 延長產(chǎn)品變更通知
    • 產(chǎn)品可追溯性

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:UC2825A-EP
  • ?類型?:高速PWM控制器
  • ?制造商?:Texas Instruments(德州儀器
  • ?主要特點?:支持電壓模式或電流模式控制,適用于國防、航空航天和醫(yī)療應(yīng)用,具有低啟動電流、高電流雙圖騰柱輸出、脈沖逐周期限流比較器等特性。

2. 功能特性

  • ?性能增強?:與標準UC2825相比,具有更高的誤差放大器增益帶寬(12MHz)和更低的輸入偏移電壓(2mV)。
  • ?高精度?:振蕩器放電電流指定為10mA,用于準確的死區(qū)時間控制;頻率準確度提高至6%。
  • ?低啟動電流?:典型值為100μA,適用于離線應(yīng)用。
  • ?輸出驅(qū)動?:重新設(shè)計,可在欠壓鎖定(UVLO)期間主動吸收電流,每個輸出在過渡期間可承受2A峰值電流。
  • ?過流保護?:具有高速過流比較器,閾值為1.2V,設(shè)置故障鎖存器以確保軟啟動電容器在重啟前完全放電。
  • ? 時鐘/前沿消隱(CLK/LEB) ?:結(jié)合時鐘輸出和前沿消隱調(diào)整功能,已緩沖以便于接口。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 適用于需要高精度、高可靠性和高效率的PWM控制的應(yīng)用場景,特別是在國防、航空航天和醫(yī)療領(lǐng)域。

4. 性能參數(shù)

  • ? 供電電壓(VCC) ?:最大22V
  • ? 輸出電流(IO) ?:直流時最大0.5A,脈沖時最大2.2A
  • ? 振蕩器頻率(fOSC) ?:375kHz至425kHz(典型值),可通過外部電阻和電容調(diào)節(jié)
  • ?誤差放大器增益帶寬?:12MHz
  • ? 啟動電流(Isu) ?:典型值100μA

5. 封裝信息

  • ?封裝類型?:SOIC-DW(16引腳)
  • ?溫度范圍?:商業(yè)級(-40°C至125°C),軍用級(-55°C至125°C)

6. 引腳說明

  • ?主要引腳?:包括VCC(供電電壓)、GND(模擬地)、ILIM(電流限制輸入)、NI(誤差放大器非反相輸入)、INV(誤差放大器反相輸入)、EAOUT(誤差放大器輸出)、OUTA/B(圖騰柱輸出A/B)、PGND(輸出驅(qū)動地)、SS(軟啟動)、RAMP(斜坡輸入)、CLK/LEB(時鐘/前沿消隱輸出)、RT(電阻定時)、CT(電容定時)等。

7. 布局與散熱考慮

  • ?布局?:推薦使用開爾文連接來最小化噪聲耦合,分離PGND和SGND平面,以及使用低ESR/ESL陶瓷電容器進行旁路。
  • ?散熱?:通過SOIC封裝的裸露焊盤進行散熱,并建議使用高熱導(dǎo)率的PCB材料。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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