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LM2742 具有可調(diào)軟啟動(dòng)功能的 2.2V 至 16V 電壓模式同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-04-03 11:23 ? 次閱讀
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LM2742 是一款高速、同步、開關(guān)穩(wěn)壓控制器。它旨在 以高達(dá) 95% 的轉(zhuǎn)換效率控制 0.7A 至 20A 的電流。開機(jī)和關(guān)機(jī) 通過(guò)電源就緒標(biāo)志、可調(diào)軟啟動(dòng)和輸出使能功能實(shí)現(xiàn)排序。 LM2742 采用低電流 5V 偏置工作,并可從 1V 轉(zhuǎn)換為 16V 電源軌。這 該器件采用固定頻率、電壓模式、PWM 控制架構(gòu)和開關(guān)頻率 可通過(guò)設(shè)置外部電阻器的值在 50kHz 至 2MHz 范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。電流限制為 通過(guò)監(jiān)控低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻兩端的壓降來(lái)實(shí)現(xiàn),其中 實(shí)現(xiàn) 40ns 左右的導(dǎo)通時(shí)間,這是業(yè)內(nèi)最好的之一。作范圍廣 頻率使電源設(shè)計(jì)人員能夠靈活地微調(diào)組件尺寸、成本、 噪音和效率。自適應(yīng)、非重疊 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器和高側(cè)自舉 結(jié)構(gòu)有助于進(jìn)一步提高效率。高端功率 FET 漏極電壓可小于 1V 至 16V,輸出電壓可調(diào)至 0.6V。
*附件:LM2742 用于低輸出電壓的 N-chan FET 同步降壓調(diào)節(jié)控制器數(shù)據(jù)表.pdf

特性

  • 輸入功率從 1V 到 16V
  • 輸出電壓可調(diào)至 0.6V
  • 電源良好標(biāo)志、可調(diào)軟啟動(dòng)和輸出使能,便于電源排序
  • 參考精度:1.5% (0°C–125°C)
  • 無(wú)檢測(cè)電阻器的電流限制
  • 軟啟動(dòng)
  • 開關(guān)頻率范圍為 50 kHz 至 2 MHz
  • 40ns 典型最小導(dǎo)通時(shí)間
  • TSSOP-14 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:LM2742
  • ?類型?:N-chan FET 同步降壓調(diào)節(jié)控制器
  • ?特點(diǎn)?:
    • 輸入電壓范圍:1V 至 16V
    • 輸出電壓可調(diào)至0.6V
    • 轉(zhuǎn)換效率高達(dá)95%
    • 提供功率良好標(biāo)志、可調(diào)軟啟動(dòng)和輸出使能功能

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • POL 電源供應(yīng)模塊
  • 電纜調(diào)制解調(diào)器
  • 機(jī)頂盒/家庭網(wǎng)關(guān)
  • DDR 核心電源
  • 分布式電源中的高效局部調(diào)節(jié)

3. 主要特性

  • ?固定頻率電壓模式 PWM 控制?:頻率可調(diào)范圍從50kHz至2MHz
  • ?快速響應(yīng)?:最小導(dǎo)通時(shí)間40ns
  • ?高效能?:自適應(yīng)非重疊MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和高端自舉結(jié)構(gòu)
  • ?保護(hù)功能?:過(guò)壓保護(hù)(OVP)、欠壓保護(hù)(UVP)、欠壓鎖定(UVLO)
  • ?軟啟動(dòng)?:通過(guò)外部電容設(shè)置啟動(dòng)時(shí)的輸出電壓上升速率

4. 封裝與引腳

  • ?封裝類型?:TSSOP-14
  • ?引腳功能?:
    • BOOT:N-chan MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)供電
    • LG:低端N-chan MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)
    • PGND:FET 驅(qū)動(dòng)地
    • SGND:信號(hào)
    • VCC:控制器供電
    • PWGD:功率良好標(biāo)志(開漏輸出)
    • ISEN:電流限制閾值設(shè)置
    • EAO:誤差放大器輸出
    • SS:軟啟動(dòng)引腳
    • FB:誤差放大器反相輸入(用于輸出電壓感應(yīng))
    • FREQ:設(shè)置PWM開關(guān)頻率
    • SD:IC邏輯關(guān)斷
    • HG:高端N-chan MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)

5. 電氣特性

  • ?操作結(jié)溫范圍?:-40°C 至 +125°C
  • ?VCC 操作電壓?:4.5V 至 5.5V
  • ?誤差放大器帶寬?:5MHz
  • ?輸出驅(qū)動(dòng)能力?:高端和低端FET柵極驅(qū)動(dòng)均具有低導(dǎo)通電阻

6. 功能描述

  • ?電壓調(diào)節(jié)?:通過(guò)FB引腳感應(yīng)輸出電壓,并通過(guò)誤差放大器調(diào)節(jié)PWM占空比以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定輸出
  • ?電流限制?:監(jiān)測(cè)低端MOSFET的導(dǎo)通電阻上的電壓降,實(shí)現(xiàn)無(wú)需感測(cè)電阻的電流限制
  • ?軟啟動(dòng)?:SS引腳連接的外部電容控制輸出電壓的啟動(dòng)上升速率,減少啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流
  • ?功率良好標(biāo)志?:當(dāng)輸出電壓超出正常范圍時(shí),PWGD引腳被拉低

7. 應(yīng)用信息

  • 提供了典型應(yīng)用電路和詳細(xì)的設(shè)計(jì)考慮,包括輸入/輸出電容、電感的選擇,以及MOSFET的選型指南
  • 強(qiáng)調(diào)了布局和旁路電容的重要性,以確保穩(wěn)定性和減少噪聲
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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