芯片級封裝是集成電路(IC)制造中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，它直接影響著IC的性能、可靠性和成本。隨著電子設(shè)備不斷追求更小型化、更高性能和更低功耗，芯片級封裝技術(shù)也在不斷演進。

氮化硼納米管在TIM中的應(yīng)用

隨著電子設(shè)備的性能不斷提升，芯片的散熱問題日益突出。傳統(tǒng)的熱界面材料（TIM）如熱環(huán)氧和硅樹脂雖成本低，但導熱性能有限，已在散熱效率上已逐漸接近極限，因此需要新的材料來進一步提升散熱性能。氮化硼納米管（BNNT）作為一種新型的高導熱填料，正在成為優(yōu)化芯片散熱的關(guān)鍵材料。

在芯片封裝中，TIM1和TIM2是關(guān)鍵的散熱材料。TIM1通常用于芯片與散熱器之間的界面，而TIM2則用于散熱器與熱沉之間的界面。通過在TIM中添加氮化硼納米管粉末，可以顯著提升導熱性能。

氮化硼納米管的加入，徹底改變了這一局面

●在TIM中添加大連義邦氮化硼納米管，導熱性能可提升10-20%，而成本僅增加1-2%。這意味著，只需極小的成本投入，就能顯著提升處理器的散熱效率，延長設(shè)備的使用壽命。

●高性價比：相比其他導熱填料，氮化硼納米管的添加比例極低（通常為0.5%-5%），卻能帶來顯著的導熱性能提升。而其他填料如氧化鋁、氮化鋁等，添加比例往往高達20-40%，不僅成本大幅增加，還可能改變材料的物理性質(zhì)，影響散熱效果。

●穩(wěn)定性與兼容性：氮化硼納米管具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的導熱性能，且不會與其他材料發(fā)生不良反應(yīng)，確保散熱系統(tǒng)的長期可靠性。

大連義邦氮化硼納米管的優(yōu)勢

●超高導熱系數(shù)：氮化硼納米管的導熱系數(shù)高達2400 W/m·K，是銅的6倍，鉆石的3倍。這種卓越的導熱性能，使其成為芯片散熱材料的理想選擇。

●電絕緣性：氮化硼納米管具有極高的電阻率（>10? Ω·cm），且?guī)稙?.5 eV，是一種優(yōu)異的電絕緣體。這使得它在高密度集成電路中能夠有效避免短路風險，確保設(shè)備的安全運行。

●化學穩(wěn)定性：氮化硼納米管在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的化學穩(wěn)定性，能夠在850-900°C的高溫下保持穩(wěn)定，遠高于碳材料的350-550°C。這種特性使其在高溫工作環(huán)境中具有更長的使用壽命。

大連義邦氮化硼納米管憑借領(lǐng)先的導熱性能、輕量化特性和電絕緣性，正在成為芯片散熱領(lǐng)域的理想材料之一。無論是作為熱界面材料的添加劑，還是封裝材料的增強劑，氮化硼納米管都能顯著提升散熱性能，延長設(shè)備壽命，同時降低生產(chǎn)成本。