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淺談MOS管封裝技術(shù)的演變

合科泰半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:合科泰半導(dǎo)體 ? 2025-04-08 11:29 ? 次閱讀

行業(yè)背景

隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS管的封裝技術(shù)經(jīng)歷了許多變革,從而間接地影響到了智能應(yīng)用的表現(xiàn)。合科泰將帶您深入探討MOS管封裝技術(shù)的演變。

封裝技術(shù)的演進(jìn)

根據(jù)技術(shù)層級(jí)的不同,MOS管封裝可分為三類技術(shù)形態(tài),根據(jù)其不同的特性和優(yōu)點(diǎn),可適用于不同的場(chǎng)景。

1、傳統(tǒng)封裝:TO系列封裝。

20世紀(jì)60-90年代,工業(yè)與家電設(shè)備要求器件具備高機(jī)械強(qiáng)度與低成本,對(duì)中低功率MOS管需求激增。TO結(jié)構(gòu)基于銅或鐵鎳合金金屬引線框架,外延引腳設(shè)計(jì)支持外接散熱片,通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂封裝外殼提供超過(guò)50G加速度耐受的機(jī)械抗沖擊能力。TO封裝熱阻范圍為50-80°C/W,廣泛運(yùn)用于中低功率MOS管。

TO系列作為最常見(jiàn)傳統(tǒng)封裝形式之一,優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、散熱性能好,適用于傳統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景,比如電源適配器、開(kāi)關(guān)電源等。然而,受限于引腳電感過(guò)高(>10nH),其開(kāi)關(guān)頻率難以突破MHz級(jí)別,無(wú)法滿足高頻電路需求。

2、先進(jìn)封裝:QFN封裝

2000年后消費(fèi)電子小型化推動(dòng)高功率密度、高頻需求,同步整流技術(shù)普及,要求MOS管開(kāi)關(guān)損耗降低50%以上。QFN封裝通過(guò)在底部設(shè)置占比達(dá)70%的銅質(zhì)焊盤(pán),直接與PCB覆銅層貼合顯著提高了散熱效率、降低了電阻,同時(shí)引線電感低于1nH,可完美適配同步整流Buck電路等高頻場(chǎng)景。

QFN封裝體積小且熱阻低,散熱性能優(yōu)異,適用于高功率、高密度的電路設(shè)計(jì),良好的散熱性能可以確保MOS管高功率運(yùn)行的穩(wěn)定性,比如智能插座、PD快充等。但該封裝對(duì)焊接工藝精度要求極高,焊接空洞率必須控制在5%以內(nèi)(IPC標(biāo)準(zhǔn)),否則會(huì)因熱傳導(dǎo)路徑受阻導(dǎo)致熱性能斷崖式下降,直接影響器件可靠性。

3、高端封裝:BGA封裝

AI、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域需多芯片協(xié)同,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)級(jí)封裝與高密度互連技術(shù)發(fā)展。BGA封裝作為高端三維集成方案,通過(guò)0.4mm間距焊球矩陣布局實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000引腳的高密度互連,結(jié)合3D SiP堆疊封裝技術(shù),支持多芯片垂直互聯(lián),使導(dǎo)通電阻降至0.5mΩ。通過(guò)在底部設(shè)置球狀引腳實(shí)現(xiàn)高引腳密度和低電感,提高了可靠性。

BGA封裝適用于高性能、高密度的電路設(shè)計(jì)應(yīng)用,比如智能門(mén)鎖、監(jiān)控?cái)z像頭等。BGA與GaN器件協(xié)同可實(shí)現(xiàn)100MHz超高頻開(kāi)關(guān),并通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證耐受175℃結(jié)溫,已成功應(yīng)用于自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)電源模塊、AI訓(xùn)練芯片48V直連供電系統(tǒng)等前沿領(lǐng)域。(需滿足AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證)

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數(shù)據(jù)來(lái)自網(wǎng)絡(luò)

不同封裝對(duì)MOS管的性能影響不同,傳統(tǒng)的TO封裝散熱性能主要依賴散熱片,散熱效率非常有限;先進(jìn)封裝的QFN封裝通過(guò)大面積散熱片顯著提升了散熱效率,同時(shí)降低了熱阻,使其可用于高功率應(yīng)用;高端封裝BGA封裝通過(guò)球狀引腳和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),進(jìn)一步優(yōu)化了散熱性能。

合科泰MOS管推薦

合科泰憑借深厚的技術(shù)積累和持續(xù)創(chuàng)新,已推出一系列采用先進(jìn)封裝技術(shù)的MOS管產(chǎn)品,這些產(chǎn)品在不同的細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)展現(xiàn)出卓越的性能。封裝選型原則首先要看功率是否匹配,其次是根據(jù)散熱需求,最后是看高頻和環(huán)境可靠性,以下是為您推薦的產(chǎn)品型號(hào):

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公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。

產(chǎn)品包括:

1、半導(dǎo)體封裝材料;2、被動(dòng)元件,主要有:電阻、電容、電感;3、半導(dǎo)體分立器件,主要有:MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他集成電路等。

合科泰設(shè)有兩個(gè)智能生產(chǎn)制造中心

1、中國(guó)華南地區(qū)的制造中心,位于惠州市博羅縣的合科泰科技智能制造園區(qū),建筑面積75000㎡,擁有先進(jìn)設(shè)備及檢測(cè)儀器1000多臺(tái),在當(dāng)?shù)嘏涮准瘓F(tuán)物流配送中心,而東莞塘廈生產(chǎn)中心為目前生產(chǎn)基地;

2、中國(guó)西南地區(qū)的制造中心,位于四川省南充市順慶區(qū)科創(chuàng)中心,廠房面積35000㎡,擁有先進(jìn)設(shè)備和檢測(cè)儀器儀表約2000臺(tái);

2024年合科泰全面拓寬產(chǎn)品線,在四川南充成立三家子公司,分別是順芯半導(dǎo)體、南充安昊、南充晶科,主要負(fù)責(zé)研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體封裝材料;產(chǎn)品線拓寬后將最大程度滿足客戶需求。

合科泰堅(jiān)持客戶至上、品質(zhì)第一、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、以人為本的經(jīng)營(yíng)方針,為客戶提供一站式應(yīng)用解決方案服務(wù)。同時(shí)合科泰提供半導(dǎo)體芯片和分立器件封裝測(cè)試OEM代工等綜合性業(yè)務(wù)。

合科泰在集成電路設(shè)計(jì)、芯片測(cè)試、分立器件工藝設(shè)計(jì)、可靠性實(shí)驗(yàn)等方面積累了豐富核心技術(shù)儲(chǔ)備,擁有國(guó)家發(fā)明專利、實(shí)用新型專利等100多項(xiàng)。

合科泰通過(guò)了ISO9001、ISO14001、IATF16949體系認(rèn)證。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源、照明、醫(yī)療電子、小家電、通信、安防儀器、工控、汽車電子等領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:MOS管從傳統(tǒng)封裝到先進(jìn)封裝的演進(jìn)

文章出處:【微信號(hào):合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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