靜電吸附灰塵,改變線路間的阻抗,影響產(chǎn)品的功能與壽命,因電場(chǎng)或電流破壞元件的絕緣或?qū)w,使元件不能工作(完全破壞),因瞬間的電場(chǎng)或電流產(chǎn)生的熱,元件受傷,仍能工作,壽命降低。
突發(fā)性失效:
突發(fā)性失效也稱硬失效,硬損傷。是指元器件的一個(gè)或多個(gè)電氣參數(shù)突發(fā)劣化,完全失去規(guī)定功能的一種失效模式。通常表現(xiàn)為電子元器件自身短路、開(kāi)路、功能喪失或電氣參數(shù)嚴(yán)重漂移等。
具體現(xiàn)象表現(xiàn)為:一種是與電壓相關(guān)的失效,如介質(zhì)擊穿,PN結(jié)方向漏電流增大等;另一種是與功率有關(guān)的失效,如燒毀、熔斷等。這都使器件的電路遭到永久性損壞,可以在產(chǎn)品測(cè)試階段發(fā)現(xiàn)。據(jù)有關(guān)統(tǒng)計(jì)資料表明,在受靜電損傷的半導(dǎo)體器件中,突發(fā)性完全失效約占失效總數(shù)的10%以上。
潛在性緩慢失效:
如果帶電體所帶靜電位或存儲(chǔ)的靜電能量較低,或ESD放電回路中有限流電阻存在,那么,一次靜電放電脈沖可能不足以引起電子元器件的突發(fā)性失效,但強(qiáng)靜電場(chǎng)電離絕緣層,會(huì)在元器件內(nèi)部造成輕微損傷,這種損傷又是累積性的;隨著ESD脈沖次數(shù)的增加,器件的閥值電壓會(huì)逐漸下降,使元器件的電參數(shù)逐漸劣化,這類失效稱為潛在失效。潛在失效往往表現(xiàn)為器件的使用壽命縮短,或者一個(gè)本來(lái)不會(huì)使器件損傷的小脈沖卻使器件失效。這種失效事先難以檢測(cè),造成難以被人們發(fā)現(xiàn)的“軟擊穿”現(xiàn)象,給產(chǎn)品留下潛在的隱患,直接影響電子產(chǎn)品的質(zhì)量、壽命、可靠性和經(jīng)濟(jì)性。據(jù)統(tǒng)計(jì):潛在性失效占電子元件ESD失效總數(shù)的90%。
翻轉(zhuǎn)失效:
翻轉(zhuǎn)失效是指某些邏輯電路在正常運(yùn)行中使原來(lái)記憶狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)。這種失效通常表現(xiàn)為信息的丟失或功能暫時(shí)變化,沒(méi)有明顯的硬損傷發(fā)生,且在ESD發(fā)生后、或重新輸入信息、或重新啟動(dòng)設(shè)備能自動(dòng)恢復(fù)正常的運(yùn)行。
翻轉(zhuǎn)失效的根本原因在于ESD的電磁輻射,確切地說(shuō)是由于ESD尖峰電流產(chǎn)生的電氣噪聲造成的。ESD干擾可通過(guò)傳導(dǎo)或者輻射等耦合路徑進(jìn)入到電子設(shè)備中。在ESD的近場(chǎng)區(qū),主要取決于ESD源和接收機(jī)阻抗的容性耦合、感性耦合。在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),取決于電磁場(chǎng)耦合。
翻轉(zhuǎn)失效主要表現(xiàn):
程序破碎區(qū)的位翻轉(zhuǎn),引起程序"跑飛"或者"死機(jī)"。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的位翻轉(zhuǎn),造成關(guān)鍵變量的翻轉(zhuǎn),引起功能邏輯的絮亂,比如中途突出循環(huán)程序,錯(cuò)誤執(zhí)行條件等。
外設(shè)控制寄存器的功能中斷,引起外設(shè)配置狀態(tài)變換,造成模塊間數(shù)據(jù)通信異常。
中斷控制器寄存器的功能中斷,引起意外中斷的發(fā)生導(dǎo)致程序的異常執(zhí)行。
程序的位翻轉(zhuǎn),引起程序的異常執(zhí)行。
JATAG邏輯的功能中斷,導(dǎo)致整個(gè)DSP的復(fù)位或死機(jī)。
如果ESD干擾在電子線路中產(chǎn)生感應(yīng)電壓或電流超過(guò)了電平信號(hào),設(shè)備正常工作程序?qū)?huì)發(fā)生翻轉(zhuǎn)。在高阻抗電路中,信號(hào)是電壓電平,容性耦合占主要成分,ESD感應(yīng)電壓是主要干擾源;在低阻抗電路中,信號(hào)是電流信號(hào),感性耦合占主要成分,ESD感應(yīng)電流是主要干擾源。
翻轉(zhuǎn)失效通常會(huì)導(dǎo)致通信系統(tǒng)故障,畫(huà)面顯示異常、系統(tǒng)復(fù)位、時(shí)鐘信號(hào)抖動(dòng)、射頻電路部分失效等現(xiàn)象。
02ESD損傷的特征
隱蔽性:人體不能感知靜電,除非是發(fā)生了靜電放電,但是發(fā)生靜電放電,人體也不一定能有電擊的感覺(jué)。這是因?yàn)槿梭w感知的靜電放電電壓為2-3Kv
隨機(jī)性: 電子元件什么情況下會(huì)遭受靜電破壞呢?可以這么說(shuō),從一個(gè)元件生產(chǎn)后一直到它損壞前所有的過(guò)程都受到靜電的威脅,而這些靜電的產(chǎn)生也具有隨機(jī)性。由于靜電的產(chǎn)生和放電都是瞬間發(fā)生的,極難預(yù)測(cè)和防護(hù)。
復(fù)雜性:因電子產(chǎn)品的精細(xì),微小的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)而費(fèi)時(shí)、費(fèi)事、費(fèi)錢,要求較復(fù)雜的技術(shù)往往需要使用掃描電鏡等精密儀器,即使如此有些靜電損傷現(xiàn)象也難以與其他原因造成的損傷加以區(qū)別,使人們誤把靜電損傷失效當(dāng)做是其他失效。
潛伏性:有些電子元器件受到靜電損傷后,性能沒(méi)有明顯的下降,但是多次累加放電會(huì)給器件造成內(nèi)傷而形成隱患,而且增加了器件對(duì)靜電的敏感性 ,已經(jīng)產(chǎn)生的問(wèn)題沒(méi)有任何方法可治愈。
03過(guò)度電性應(yīng)力(Electrical Over Stress)
是指所有的過(guò)度電性應(yīng)力。當(dāng)外界電流和電壓超過(guò)器件的最大規(guī)范條件時(shí),器件會(huì)損傷或者直接損壞,EOS通常產(chǎn)生于如下方面:
電路切換導(dǎo)致的瞬變電流/峰值/低頻干擾,其持續(xù)時(shí)間可能達(dá)到幾微秒或者幾毫秒。
程序開(kāi)關(guān)引起的瞬態(tài)/毛刺/短時(shí)脈沖干擾
不恰當(dāng)?shù)墓ぷ髁鞒?、工作步驟。
雷擊浪涌干擾
閃電
04 EOS&ESD差異對(duì)比表
EOS | ESD |
產(chǎn)生途徑:電源、測(cè)試設(shè)備 | 產(chǎn)生途徑:靜電電荷 ESD屬于E0S的特例 |
持續(xù)時(shí)間:微秒-秒級(jí) | 持續(xù)時(shí)間:納秒-微秒級(jí) |
損壞現(xiàn)象:金屬線熔化、發(fā)熱、高功率 | 損壞現(xiàn)象:可見(jiàn)性不強(qiáng),損壞位置不易發(fā)現(xiàn) |
損壞程度:輕度損壞同ESD損壞類似 | 損壞程度:電晶體級(jí)別的損壞 |
保護(hù)器件:響應(yīng)速度要求較低 | 保護(hù)器件:響應(yīng)速度要求較高 |
直接轉(zhuǎn)載來(lái)源:8號(hào)線攻城獅。
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原文標(biāo)題:一文詳解ESD與EOS失效差異
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