半導(dǎo)體照明具有技術(shù)發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強(qiáng)、節(jié)能潛力巨大等特點(diǎn),被各國公認(rèn)為最有發(fā)展前景的高新節(jié)能技術(shù)之一。隨著我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、發(fā)展方式轉(zhuǎn)變經(jīng)常加快,半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于轉(zhuǎn)變發(fā)展方式及培育戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)期。
近日,科技部高新司在北京組織專家對“十二五”國家863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目(三期)進(jìn)行了驗(yàn)收。
該項(xiàng)目以打造產(chǎn)業(yè)核心競爭力為目標(biāo),以提高自主創(chuàng)新能力為關(guān)鍵,以改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境為手段,開展了LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件封裝、低成本LED驅(qū)動芯片及模塊開發(fā)等大電流驅(qū)動薄膜半導(dǎo)體照明技術(shù)研究;
在一期和二期項(xiàng)目完成半導(dǎo)體照明外延芯片與器件封裝關(guān)鍵技術(shù)布局基礎(chǔ)上,三期項(xiàng)目重點(diǎn)開展“十城萬盞”半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)研究,重點(diǎn)開發(fā)了具有高光效、低成本、長壽命的LED照明模塊和低成本、高可靠、規(guī)格化LED照明產(chǎn)品;掌握了高導(dǎo)熱金剛石鍵合復(fù)合基板量產(chǎn)技術(shù);研發(fā)了適用于薄膜LED的熱阻分析測試系統(tǒng)裝備;開發(fā)了薄膜LED近場分布光度計(jì),可同時(shí)實(shí)現(xiàn)近場和遠(yuǎn)場測量;實(shí)現(xiàn)了LED在市政照明、植物照明、機(jī)場、醫(yī)療等領(lǐng)域的應(yīng)用示范。
“十三五”期間,為進(jìn)一步推動我國半導(dǎo)體照明材料的科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,科技部部署了“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng),將第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明作為重點(diǎn)專項(xiàng)的發(fā)展重點(diǎn)之一進(jìn)行支持。專項(xiàng)的部署,將進(jìn)一步為我國從半導(dǎo)體照明產(chǎn)品生產(chǎn)、消費(fèi)和出口大國發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),支撐全球照明行業(yè)的產(chǎn)業(yè)變革和節(jié)能減排的可持續(xù)發(fā)展。
-
led
+關(guān)注
關(guān)注
242文章
23840瀏覽量
673963 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28901瀏覽量
237660
原文標(biāo)題:【明微電子·情報(bào)】“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)(三期)”取得突破
文章出處:【微信號:weixin-gg-led,微信公眾號:高工LED】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
從原理到應(yīng)用,一文讀懂半導(dǎo)體溫控技術(shù)的奧秘
國產(chǎn)高端LED封裝材料迎突破,LED封裝告別進(jìn)口依賴
蘇州芯矽科技:半導(dǎo)體清洗機(jī)的堅(jiān)實(shí)力量
從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!
砥礪創(chuàng)新 芯耀未來——武漢芯源半導(dǎo)體榮膺21ic電子網(wǎng)2024年度“創(chuàng)新驅(qū)動獎”
LED燈具散熱設(shè)計(jì)中導(dǎo)熱界面材料的關(guān)鍵作用
揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)

LED芯片溫度成因與半導(dǎo)體照明散熱技術(shù)解析

秋水半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元融資,加速M(fèi)icro-LED技術(shù)研發(fā)
半導(dǎo)體研究所在量子點(diǎn)異質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破

評論