移動產(chǎn)業(yè)似乎才剛結(jié)束在西班牙巴塞隆納舉行的世界行動通訊大會(MWC)嘉年華，科技產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)商、系統(tǒng)OEM與行動營運商馬上就面臨著一連串亟待解決的5G發(fā)展障礙。事實上，這些問題還只是個起點。

5G發(fā)展的技術(shù)議題是多方面的。其中，用于5G毫米波(mmWave)——預(yù)計將執(zhí)行于28GHz、39GHz或60GHz頻率——的智能天線和射頻(RF)前端，可能嚴重影響尚未出現(xiàn)的5G mmWave手機性能。

Yole Développement的RF電子業(yè)務(wù)負責人Claire Troadec在MWC之后接受《EETimes》的專訪。她說：「盡管像高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、聯(lián)發(fā)科技(MediaTrk)和三星(Samsung)等許多公司都以手機作為5G mmWave的展示平臺，但我們認為，手機并不會是首先落實5G mmWave的應(yīng)用之處?！瓜嘈沃拢?G mmWave更可能應(yīng)用于桌面上的固定式高速數(shù)據(jù)傳輸，讓消費者能夠用于下載或串流大量的寬帶應(yīng)用。

為什么呢？

這其實是因為5G mmWave頻段存在著高傳播損耗、指向性以及對于障礙物十分敏感等問題，因此，想要設(shè)計一款能始終運作而不至于失去信號的5G手機并不是一件容易的事。想像一下，消費者可能會因此被迫停留在某一個頁面，而且必須不斷地尋找其他信號。

在手機中部署5G mmWave無線信號的另一項挑戰(zhàn)是電池的壽命和耗電問題。在今年于平昌舉行的2018年冬季奧運(Winter Olympics 2018)期間，三星據(jù)稱展示了自家的5G平板電腦。雖然這臺裝置的運作十分順利，但是充斥在MWC上的評價卻相當令人驚訝：在30分鐘后電池就沒電了。

針對這個傳聞，Troadec認為，「手機的5G mmWave信號傳輸會出現(xiàn)功耗過高的問題。」她猜想「大多數(shù)的主導(dǎo)廠商應(yīng)該都在廣泛地關(guān)注這個領(lǐng)域?！沟a充說，她發(fā)現(xiàn)這些技術(shù)供應(yīng)商并未針對5G新無線電(5G New Radio；5G NR)應(yīng)用中這個明顯的系統(tǒng)級功耗問題提出許多補救措施。她說，沒有人愿意在展會上進一步討論這個問題。

5G mmWave RF模組對于新興5G市場將會帶來的干擾，并不僅限于技術(shù)的變化。深受影響的還包括目前供應(yīng)3G和4G RF元件和模組的整個「產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈」。

Yole解釋，由于5G mmWave讓供應(yīng)商得以使用CMOS或SOI技術(shù)，在SoC中設(shè)計RF前端模組，因此該領(lǐng)域?qū)槟壳霸谑謾C生態(tài)系統(tǒng)架構(gòu)中的「先進CMOS設(shè)計和制造商」開啟進軍RF市場的大門。除了英特爾和高通之外，進軍這一領(lǐng)域的業(yè)者還包括三星、華為(Huawei)和聯(lián)發(fā)科技。

5G頻段越多，RF前端模組就更多

隨著技術(shù)供應(yīng)商開始致力于打造能夠處理頻段日益增加的復(fù)雜RF前端(RFFE)模組，移動產(chǎn)業(yè)已經(jīng)取得了很大的進展。根據(jù)Troadec，隨著蜂窩式標準從3G發(fā)展到4G，RF前端必須因應(yīng)的頻段數(shù)量從4個大幅增加到了30個。

智能型手機中支援的頻段數(shù)越來越多，徒增RF前端的復(fù)雜度

隨著5G技術(shù)和應(yīng)用逐漸到位，情況將會變得更加復(fù)雜。雖然5G在理論上是一項標準，但它有三個重要的組成元素：用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的5G、使用sub-6 GHz頻段的5G，以及使用mmWave的5G。以RF技術(shù)來看，Troadec觀察到「這意味著必須把不同性能的元件整合在一起?！?/p>

這表示5G將遵循「不同實施階段、不同5G版本平行發(fā)展」的方向。換句話說，不會有一種統(tǒng)一的5G RFFE，而是「5G IoT、5G sub-6 GHz和5G mmWave各自依其路徑發(fā)展，并分別以其RF系統(tǒng)級封裝(SiP)進展建立平行的生態(tài)系統(tǒng)?！?/p>

那么，每一種5G技術(shù)將分別采取哪些RFFE路徑發(fā)展？Troadec認為，5G mmWave技術(shù)將會帶來最具顛覆性的創(chuàng)新。她并預(yù)計接下來將會需要重新更改設(shè)計以及采用新的材料。

值得慶幸的是，5G mmWave可以終結(jié)目前用于2G、3G和4G RF前端系統(tǒng)中基于SiP技術(shù)的復(fù)雜前端模組應(yīng)用。Troadec解釋說：「你可以根據(jù)先進的CMOS或SOI技術(shù)，設(shè)計每一個建構(gòu)模組——包括功率放大器(PA)、低雜訊放大器(LNA)、濾波器、開關(guān)和被動元件?！惯@將會為許多以前較欠缺RF專業(yè)技術(shù)的數(shù)位晶片供應(yīng)商帶來開發(fā)SoC前端模組的機會。

同時，對于在6GHz頻段以下(sub-6 GHz)的5G技術(shù)，Troadec認為它將建立在漸進式創(chuàng)新的基礎(chǔ)上。她解釋說，在這個頻段上預(yù)計只需要以變化最小的材料清單(BoM)更改目前的RF封裝架構(gòu)即可。

由于5G IoT將使用低于1GHz的頻率，因此，Troadec認為在這個頻段上，5G RFFE的半導(dǎo)體封裝「只需要很少或幾乎無需創(chuàng)新」。盡管如此，針對大量IoT裝置產(chǎn)生資料傳輸問題的5G IoT規(guī)范和協(xié)定，至今尚未完成定義和標準化。

各種不同版本的5G技術(shù)平行發(fā)展

RF供應(yīng)鏈中有哪些「大咖」？

在深入探索5G的RF解決方案細節(jié)之前，讓我們先看看目前有哪些主要的RF元件和模組供應(yīng)商。

通常，RF前端模組是由諸如RF開關(guān)、PA/LNA、RF濾波器和天線元件(調(diào)諧器和開關(guān))等RF元件組成的。

在這個擁擠的RF供應(yīng)鏈中，主要的RF廠商包括Sony、村田(Murata；2014年底收購Peregrin Semiconductor)、Skyworks、Qorvo、英飛凌(Infineon)、博通(Broadcom)/Avago、Cavendish Kinetics、TDK EPCOS等。

每一家公司都有自己專有的RF元件，通常各自采用不同的基板和制程技術(shù)。這些技術(shù)選擇包括從RF-SOI和BiCMOS到bulk CMOS、氮化鎵(GaN)和RF MEMS等包羅萬象。

由于不同類型的RF元件分別采用不同的制程技術(shù)，因此，當今用于整合RF模組的途徑通常選擇的是SiP，而非SoC的形式。

目前，對于2G、3G、4G以及5G的6 GHz以下頻段，Troadec證實，「滿足智能型手機中嚴格無線性能要求的唯一方法就是SiP途徑。」

目前沒有任何一家RF元件供應(yīng)商有能力擁有每一種最佳技術(shù)。Troadec解釋說，在RF前端整合中，「每一種建構(gòu)模組都需要非常專用的技術(shù)：使用砷化鎵(GaAs)技術(shù)的最佳PA、使用SOI技術(shù)的最佳開關(guān)、使用表面聲波(SAW)和體聲波(BAW)的最佳濾波器，以及使用矽鍺(SiGe)技術(shù)的最佳LNA等?！?/p>

Troadec并表示：「博通、Murata、Qorvo、Skyworks和TDK/高通，則是目前能夠為RF前端模組提供SiP制程技術(shù)的廠商?！?/p>

她解釋說，每一種產(chǎn)品都有各自的特性要求，例如高頻模組、中頻模組、低頻模組和多樣化接收模組等，分別采用了「整合多工器的PA模組」(PAMiD)或是「整合多工器的前端模組」(FEMiD)形式。PAMiD是高度整合的客制模組、性能導(dǎo)向但成本高，僅限于蘋果(Apple)、三星和華為等幾家業(yè)者采用；而FEMiD則提供較優(yōu)的性能和成本折衷，較受LG和手機公司等二級(Tier 2)智能型手機制造商的青睞。

她總結(jié)道：「我們確實看到只有少數(shù)幾家公司能夠在此高度技術(shù)混合的環(huán)境中發(fā)揮作用?！?/p>

5G sub-GHz：沿用SiP...

隨著蜂窩式產(chǎn)業(yè)朝向5G方向發(fā)展，對于5G sub-GHz的RF前端模組而言，預(yù)計仍將沿用相同的原則——SiP整合。

然而，據(jù)Yole指出，針對SiP和封裝內(nèi)部的更多整合，未來將會發(fā)生一些變化。Troadec解釋說，這些新的措施包括在基于SOI的平臺上整合LNA和開關(guān)于同一晶片中，以及采用更多用于濾波器的晶圓級封裝(WLP)途徑，以節(jié)省晶片空間(例如，目前只有博通采用這種方法，以及Qorvo正在開發(fā)這種方法)。此外，晶圓級封裝途徑也適用于封裝PA (至今仍采用線接合方式)。

5G mmWave：從SiP到SoC

無疑地，5G mmWave RF前端模組將徹底改變最復(fù)雜的RF元件/模組供應(yīng)鏈。由于使用各種不同的制程技術(shù)，因而制造出大量復(fù)雜的RF元件。未來，即將出現(xiàn)的可能是在基于先進CMOS或SOI技術(shù)實現(xiàn)的SoC中導(dǎo)入mmWave前端模組。

讓5G mmWave得以在SoC中設(shè)計RF模組的原因有很多。

首先，Troadec解釋說，5G mmWave意味著它正轉(zhuǎn)向頻寬可用的頻譜區(qū)域。「因此，我們并不需要很多頻段來發(fā)送資訊，進一步簡化了它的無線架構(gòu)?！?/p>

因此，這也降低了對于濾波器技術(shù)的限制?！改＝M中不必再進行高階濾波，」然而，她提醒道，「我們?nèi)匀槐仨氃诓煌臒o線技術(shù)(4G或5G sub-6 GHz以及5G mmWave)之間切換高階開關(guān)(高度隔離、線性度) 。

她還指出，針對4G技術(shù)，「我們使用了每頻段20MHz頻寬的載波聚合(carrier aggregation；CA)，而且還使用了多個頻段。因此，它需要高階濾波器技術(shù)，以區(qū)別每個頻段中的每個信號，但目前只有BAW元件(MEMS技術(shù))可用。

另一個重要的因素是5G mmWave將采用波束成形(beam-forming)技術(shù)，使其得以形成波束，同時向多個用戶傳送資訊?！高@將會降低PA功率發(fā)射的限制和要求。另一方面，這也意味著CMOS技術(shù)能夠發(fā)揮作用?！顾a充說：「在mmWave頻率下，電感變小了；因此，就可能采用CMOS/ SOI技術(shù)整合被動元件了?！?/p>

然而，Troadec再次強調(diào)，對于5G mmWave RF模組而言，限制因素之一似乎就在于整個系統(tǒng)的功耗?！笧槭裁次覀儽仨毨迩暹@個問題？而且，至今還沒有人從技術(shù)上解釋為什么，以及必須做些什么，」才能解決這個問題。

進軍RF領(lǐng)域的新進業(yè)者

一旦業(yè)界轉(zhuǎn)而采用CMOS或SOI技術(shù)，在SoC中設(shè)計5G mmWave RF前端模組，目前的RF生態(tài)將會從一個看似和諧的RF前端模組供應(yīng)商俱樂部(如博通、Murata、Qorvo、Skyworks 以及TDK/高通)開始發(fā)生變化。

Troadec指出，英特爾和高通已經(jīng)準備好進軍手機基帶和收發(fā)器業(yè)務(wù)了，他們很有希望能夠掌握無線RF領(lǐng)域以及提供端對端的解決方案。這些公司的目標在于「為RF產(chǎn)業(yè)鏈帶來由上而下的完整自家設(shè)計」。

如果博通收購了高通…

從博通和高通旗下的產(chǎn)品和技術(shù)領(lǐng)域來看，手機市場是這兩大巨擘極具業(yè)務(wù)互補性的市場。根據(jù)Troadec的觀察，博通高度定位于無線和Wi-Fi領(lǐng)域，而高通則廣泛經(jīng)營應(yīng)用處理器(AP)、基帶、收發(fā)器、Wi-Fi/藍牙(BT)等市場，再加上恩智浦(NXP)的NFC及其微控制器(MCU)業(yè)務(wù)。

如今，高通逐漸從5G mmWave領(lǐng)域取得了市場動能，而博通則專注于sub-6 GHz。Troadec表示，如果兩家公司的收購案之前沒有被美國總統(tǒng)川普擋下來，那么，博通和高通的整并「將會在市場上形成高度寡頭壟斷的局面。」她質(zhì)疑說：「這就是為什么我們看到英特爾變得十分擔心，并試圖介入這項收購案的討論，甚至還撂下考慮收購博通的話來。」