引言：碳化硅技術(shù)賦能電力電子革新

隨著電力電子設(shè)備向高壓、高頻、高溫環(huán)境快速演進，傳統(tǒng)硅基整流橋已難以滿足嚴苛的性能需求。作為國內(nèi)領(lǐng)先的功率器件供應商，廣東佳訊電子有限責任公司憑借自主研發(fā)的碳化硅整流橋與碳化硅軟橋技術(shù)，成功突破材料與工藝瓶頸，為工業(yè)電源、新能源、航空航天等領(lǐng)域提供高效可靠的解決方案。

技術(shù)優(yōu)勢：碳化硅整流橋的革新突破

1.耐高壓與高溫，性能遠超傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品

佳訊電子碳化硅整流橋（如RHBL10010系列）采用4H型單晶碳化硅外延層設(shè)計，基區(qū)漸變P+-N-N+結(jié)構(gòu)顯著提升耐壓能力（支持1200V以上高壓），同時耐高溫特性（結(jié)溫可達300℃以上）確保器件在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行。相較于傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品，其反向泄漏電流降低10倍，正向壓降更低，效率提升高達30%。

2.多層封裝與散熱創(chuàng)新，保障高可靠性

結(jié)合鐵鎳鈷合金邊框與碳化鋁陶瓷片的封裝設(shè)計，通過釬焊工藝固定銅鉬銅片與芯片，優(yōu)化散熱路徑。配合真空焊接曲線與納米銀膏焊接技術(shù)，實現(xiàn)耐高溫（400℃）、低熱阻（50℃/W）的穩(wěn)定連接，有效降低芯片結(jié)溫，延長器件壽命。

3.動態(tài)性能卓越，抑制浪涌與振蕩

基于夾阻整流器（PBR）結(jié)構(gòu)，通過類似JFET的通道調(diào)節(jié)勢壘，避免傳統(tǒng)肖特基二極管的界面問題。結(jié)合PECVD多層膜技術(shù)，反向恢復時間縮短至350ns以下，浪涌電流抑制能力提升10倍，完美適配高頻開關(guān)電源與移相全橋變換器需求。

創(chuàng)新工藝：佳訊的核心競爭力

1.鍍層處理與釬焊工藝

金屬部件采用鋅-錫-金多層鍍層，耐腐蝕性提升50%；釬焊工藝確保組件在260℃高溫下的機械穩(wěn)定性，符合J-STD-020標準。

2.閃燒技術(shù)與快速燒結(jié)

通過PyC橋構(gòu)建碳化硅顆粒間導電通道，60秒內(nèi)完成燒結(jié)，孔隙率降至14.79%，顯著降低焦耳熱損耗。

3.鎢絲犧牲保護機制

在高速整流橋中集成鎢絲熔斷保護，過流時快速切斷電流通路，搭配導電膠實現(xiàn)毫秒級響應，保障系統(tǒng)安全。

展望：持續(xù)引領(lǐng)碳化硅技術(shù)前沿

廣東佳訊電子深耕碳化硅領(lǐng)域，未來將聚焦碳化硅軟橋技術(shù)研發(fā)，進一步優(yōu)化高頻場景下的動態(tài)損耗與EMI性能。同時，拓展閃燒技術(shù)在航天器耐高溫部件修復中的應用，助力國產(chǎn)高端裝備自主化進程。

選擇佳訊，選擇高效與可靠！

（本文為廣東佳訊電子有限責任公司原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載請注明出處）