概述
ADF4360-9是一款集成電壓控制振蕩器(VCO)的整數(shù)N分頻頻率合成器，中心頻率由外部電感設(shè)置，VCO頻率范圍為65 MHz至400 MHz。

附加的分頻器級(jí)可以對(duì)VCO信號(hào)進(jìn)行分頻。CMOS電平輸出相當(dāng)于經(jīng)過(guò)2到31之間的整數(shù)值分頻的VCO信號(hào)。如果需要，此分頻信號(hào)可以進(jìn)一步進(jìn)行二分頻處理。

所有片內(nèi)寄存器均通過(guò)簡(jiǎn)單的三線(xiàn)式接口進(jìn)行控制。該器件采用3.0 V至3.6 V電源供電，不用時(shí)可以關(guān)斷。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADF4360-9集成VCO的時(shí)鐘發(fā)生器PLL技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 系統(tǒng)時(shí)鐘產(chǎn)生
• 測(cè)試設(shè)備
• 無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)(LAN)
• 有線(xiàn)電視設(shè)備

特性

• 主輸出頻率范圍：65 MHz至400 MHz
• 輔助分頻器值為2至31，輸出范圍為1.1 MHz至200 MHz
• 3.0 V至3.6 V電源供電
• 1.8 V邏輯兼容
• 整數(shù)N分頻頻率合成器
• 可編程輸出功率水平
• 三線(xiàn)式串行接口
• 數(shù)字鎖定檢測(cè)
• 軟件省電模式

框圖

時(shí)序特征

引腳配置描述

典型性能特征

電路描述

參考輸入部分

參考輸入級(jí)如圖16所示。SW1和SW2通常為閉合開(kāi)關(guān)，SW3通常為斷開(kāi)開(kāi)關(guān)。當(dāng)啟動(dòng)掉電模式時(shí)，SW3閉合，SW1和SW2斷開(kāi)。這確保了在掉電期間**REF_{IN}**引腳不會(huì)產(chǎn)生負(fù)載。

N計(jì)數(shù)器

CMOS N計(jì)數(shù)器可在鎖相環(huán)（PLL）反饋計(jì)數(shù)器中實(shí)現(xiàn)寬范圍的分頻比。當(dāng)壓控振蕩器（VCO）輸出頻率為400MHz或更低時(shí)，該計(jì)數(shù)器可正常工作，以避免混疊，此時(shí)它也被稱(chēng)為B計(jì)數(shù)器。它能夠生成僅以參考頻率除以R為間隔的輸出頻率。VCO頻率公式為：

其中：

• **f_{VCO}**是VCO的輸出頻率。
• B是13位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器的預(yù)設(shè)分頻比（3至8191 ）。
• **f_{REF_{IN}}**是外部參考頻率。
• R是VCO分頻比。

R計(jì)數(shù)器

14位R計(jì)數(shù)器可對(duì)輸入?yún)⒖碱l率進(jìn)行分頻，以產(chǎn)生鑒頻鑒相器（PFD）的參考時(shí)鐘。允許的分頻比范圍為1至16,383。

鑒頻鑒相器（PFD）和電荷泵

PFD對(duì)R計(jì)數(shù)器和N計(jì)數(shù)器（N = B）進(jìn)行計(jì)數(shù)，并輸出與兩個(gè)計(jì)數(shù)器之間的相位和頻率差成比例的信號(hào)。圖17是PFD的簡(jiǎn)化示意圖。

PFD包含一個(gè)可編程延遲元件，用于控制抗鋸齒脈沖的寬度。此脈沖可確保PFD轉(zhuǎn)換功能中不存在死區(qū)，并將相位噪聲和參考雜散降至最低。R計(jì)數(shù)器中的兩位（ABP2和ABP1，見(jiàn)圖25）用于控制脈沖寬度。

鎖定檢測(cè)

LD引腳輸出鎖定檢測(cè)信號(hào)。數(shù)字鎖定檢測(cè)為高電平有效。當(dāng)R計(jì)數(shù)器中的鎖定檢測(cè)精度（LDP）鎖存器設(shè)為0，且在連續(xù)三個(gè)鑒相器周期內(nèi)相位誤差小于15ns時(shí)，鎖定檢測(cè)信號(hào)置為高電平。

當(dāng)LDP設(shè)為1時(shí)，連續(xù)五個(gè)周期內(nèi)相位誤差小于15ns可確定鎖定狀態(tài)。鎖定檢測(cè)信號(hào)將保持高電平，直到在后續(xù)鑒相器周期中檢測(cè)到相位誤差大于25ns。

輸入移位寄存器

ADF4360 - 9的數(shù)字部分包括一個(gè)24位輸入移位寄存器、一個(gè)14位R計(jì)數(shù)器和一個(gè)18位N計(jì)數(shù)器，其中N計(jì)數(shù)器由一個(gè)5位A計(jì)數(shù)器和一個(gè)13位B計(jì)數(shù)器組成。數(shù)據(jù)在CLK的每個(gè)上升沿以最高有效位（MSB）優(yōu)先的方式移入24位移位寄存器。數(shù)據(jù)在LE的上升沿鎖存到四個(gè)相關(guān)寄存器中。移位寄存器的復(fù)位鎖存器由控制位（C2、C1）決定。