近日，第三屆九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會（以下簡稱“九峰山論壇”）正式開幕。華工科技核心子公司華工激光攜全新升級的化合物半導體“激光+量測”先進裝備整體解決方案亮相展會，子公司華工正源總經(jīng)理胡長飛受邀出席主論壇并作主題為《光速智變：解碼DSP BaSe、LPO/LRO、NPO/CPO，邁向3.2T的光傳輸技術驅(qū)動AI算力躍遷》報告。

01“激光+量測”半導體行業(yè)應用全覆蓋

四大材料 |兩個系列 |六類裝備

面向第三代化合物半導體領域，華工科技通過自主研發(fā)+產(chǎn)業(yè)鏈合作的形式，開發(fā)了覆蓋前、后道制程的10余套裝備，并在多家半導體廠商實現(xiàn)批量應用。

量測系列

更大尺寸、更強能力

第二代碳化硅襯底外觀缺陷檢測智能裝備

在半導體襯底階段，華工激光依托深厚的光學系統(tǒng)設計、大數(shù)據(jù)算法處理、自動化控制軟件等技術沉淀，重磅推出專為大尺寸（8寸）碳化硅襯底外延片檢測打造的第二代缺陷檢測智能裝備。

4合1

明場、暗場、相位、光致發(fā)光四通道光學采圖系統(tǒng)

25%

缺陷成像清晰度較傳統(tǒng)方式提升25%，缺陷更易識別

12min

高速成像技術，在提升成像質(zhì)量的同時保證檢測速度不降速

45%

傳統(tǒng)算法+AI算法，提升45%的運算能力

封測系列

穩(wěn)定高產(chǎn)、行業(yè)領先

全自動晶圓激光退火智能裝備

該智能裝備目前已升級至可加工8英寸晶圓激光退火。通過機臺前置EFEM系統(tǒng)預定位，結合定制激光退火頭和精密運動平臺相對運動，實現(xiàn)對整片SiC晶圓背金(Ni或Ti層)退火，形成良好歐姆接觸，降低接觸電阻，提高器件電學性能。

15 pcs/h

wph≥15pcs/h

加工速度行業(yè)領先

95%

工藝均勻性≥95%

技術水平行業(yè)領先

封測系列

無損基材，刀法精湛

全自動晶圓激光改質(zhì)切割智能裝備

通過多組高精度CCD視覺相機定位整片晶圓，實現(xiàn)對6~8英寸不同晶粒規(guī)格晶圓自動識別和定位，結合定制超快激光和精密運動平臺相對運動，實現(xiàn)對整片晶圓的內(nèi)部改質(zhì)(隱切)，再通過晶圓專用裂片機，實現(xiàn)對晶圓的全切和晶片的分離。

100%

核心零部件 100%國產(chǎn)化

5pcs/h

wph≥5pcs/h

*針對6英寸晶圓

3mm*3mm，200μm

超高速

超高速、高響應率

配有DFT系統(tǒng)

封測系列

激光開槽、精準高效

全自動晶圓激光開槽智能裝備

通過多組高精度CCD視覺相機定位整片晶圓，實現(xiàn)對6~12英寸不同晶粒規(guī)格晶圓的自動識別和定位，結合紫外/綠光脈沖激光和精密運動平臺相對運動，及保護液涂敷/純水清洗/吹氣干燥工藝流程，實現(xiàn)對整片/殘片半導體晶圓正面/背面開槽。

15 pcs/h

wph≥15pcs/h

加工速度行業(yè)領先

0.5μm

開槽底部均勻性 ≤ ±0.5μm

展會同期，華工激光精密事業(yè)群半導體面板事業(yè)部總監(jiān)黃偉參加平行論壇，并作《激光技術重塑化合物半導體制造工藝》主題報告。

02AI驅(qū)動光通信技術演進

AI熱點應用全景洞察 | AI光模塊需求及變化

解碼技術路線DPO/LPO/CPO | 趨勢與展望

論壇報告

光速智變，算力躍遷

作為主論壇受邀演講嘉賓，華工正源總經(jīng)理胡長飛以AI為主題，從AI應用全景洞察、AI光模塊需求變化、DPO/LPO/LRO/CPO技術路線、未來發(fā)展趨勢等多維度，深度解讀在AI驅(qū)動下，光通信技術發(fā)展演進變化。

在AI產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的當下，算力需求指數(shù)級增長，光傳輸技術成為關鍵支撐。報告中，胡長飛重點解讀了DSP Base、LPO/LRO、NPO/CPO方案與路徑。他通過對比這些技術路徑在傳輸效率、功耗等方面的表現(xiàn)，闡述了邁向3.2T的光模塊如何借此實現(xiàn)高速、大容量數(shù)據(jù)傳輸，為AI算力躍遷賦能。

作為行業(yè)創(chuàng)新標桿，華工科技圍繞化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈積極布局，現(xiàn)已推出十余款“激光+量測”先進智能裝備，及高速率光模塊產(chǎn)品，用硬核智造，持續(xù)賦能產(chǎn)業(yè)升級。