LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是一款符合汽車(chē) AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的控制器，可與外部背靠背連接的 N 溝道 MOSFET 配合使用，作為低損耗反極性保護(hù)和負(fù)載斷開(kāi)解決方案。3.2 V 至 65 V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線電壓，例如 12 V、24 V 和 48 V 汽車(chē)電池系統(tǒng)。3.2 V 輸入電壓支持特別適合汽車(chē)系統(tǒng)中的嚴(yán)苛冷啟動(dòng)要求。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。LM74502-Q1、LM74502H-Q1 沒(méi)有反向電流阻斷功能，適用于負(fù)載的輸入反極性保護(hù)，這些負(fù)載可能會(huì)將能量輸送回輸入電源，例如汽車(chē)車(chē)身控制模塊電機(jī)負(fù)載。
*附件：lm74502-q1.pdf

LM74502-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)。LM74502-Q1 的高額定電壓有助于簡(jiǎn)化汽車(chē)ISO7637保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。當(dāng)使能引腳為低電平時(shí)，控制器關(guān)閉并消耗大約 1 μA 的電流，因此在進(jìn)入睡眠模式時(shí)提供低系統(tǒng)電流。LM74502-Q1 提供可編程的過(guò)壓和欠壓保護(hù)，在發(fā)生這些故障時(shí)切斷輸入源的負(fù)載。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類(lèi) 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C4B
• 3.2V 至 65V 輸入范圍（3.9V 啟動(dòng)）
• –65V 輸入反向電壓額定值
• 用于驅(qū)動(dòng)的集成電荷泵
  • 外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 外部高邊開(kāi)關(guān) MOSFET
  • 外部反極性保護(hù) MOSFET
• 柵極驅(qū)動(dòng)型號(hào)
  • LM74502-Q1：60μA 峰值柵極驅(qū)動(dòng)源容量
  • LM74502H-Q1：11mA 峰值柵極驅(qū)動(dòng)源容量
• 2A 峰值柵極吸收容量
• 1μA 關(guān)斷電流（EN/UVLO = 低）
• 45μA 典型工作靜態(tài)電流（EN/UVLO = 高）
• 可調(diào)的過(guò)壓和欠壓保護(hù)
• 通過(guò)額外的 TVS 二極管滿足汽車(chē) ISO7637 脈沖 1 瞬態(tài)要求
• 采用 8 引腳 SOT-23 封裝，2.90 mm × 1.60 mm

參數(shù)

方框圖

概述

LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 是針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的低靜態(tài)電流反向極性保護(hù)控制器，具備過(guò)壓保護(hù)功能。這兩款控制器適用于車(chē)身電子、照明、汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)（如數(shù)字儀表盤(pán)、主機(jī)單元）以及汽車(chē)USB集線器等應(yīng)用。

主要特性

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：符合汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，適用于-40°C至+125°C的環(huán)境溫度范圍。
• ?寬輸入電壓范圍?：支持3.2V至65V的輸入電壓，特別適用于汽車(chē)系統(tǒng)的冷啟動(dòng)要求。
• ?反向電壓保護(hù)?：可承受高達(dá)-65V的反向輸入電壓，保護(hù)負(fù)載免受反向電壓損害。
• ?集成電荷泵?：驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背連接的N溝道MOSFET或高側(cè)開(kāi)關(guān)MOSFET。
• ?可調(diào)過(guò)壓和欠壓保護(hù)?：通過(guò)外部電阻分壓器設(shè)置過(guò)壓和欠壓保護(hù)閾值。
• ?低靜態(tài)電流?：關(guān)機(jī)模式下靜態(tài)電流僅為1μA，降低系統(tǒng)功耗。
• ?多種封裝選項(xiàng)?：提供8引腳SOT-23封裝，尺寸為2.90mm × 1.60mm。

引腳配置與功能

• ?EN/UVLO?：使能/欠壓鎖定輸入，控制設(shè)備的工作模式和關(guān)機(jī)模式。
• ?GND?：系統(tǒng)地。
• ?NC?：無(wú)連接。
• ?VCAP?：電荷泵輸出，連接外部電荷泵電容。
• ?VS?：輸入電源引腳，連接至控制器的供電電源。
• ?GATE?：門(mén)極驅(qū)動(dòng)輸出，連接至外部MOSFET的門(mén)極。
• ?OV?：可調(diào)過(guò)壓閾值輸入，連接至外部電阻分壓器。
• ?SRC?：源極引腳，連接至外部MOSFET的源極或高側(cè)開(kāi)關(guān)MOSFET的源極。

電氣特性

• ?供電電壓范圍?：3.2V至65V。
• ?靜態(tài)電流?：工作模式下典型值為45μA，關(guān)機(jī)模式下為1μA。
• ?電荷泵電流?：充電時(shí)典型值為300μA，放電時(shí)典型值為5μA。
• ?過(guò)壓保護(hù)閾值?：可調(diào)，范圍為1.063V至1.333V。
• ?欠壓鎖定閾值?：可調(diào)，通過(guò)外部電阻分壓器設(shè)置。

功能描述

• ?反向極性保護(hù)?：通過(guò)驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背連接的N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)反向極性保護(hù)。
• ?過(guò)壓保護(hù)?：監(jiān)測(cè)輸入電壓，當(dāng)超過(guò)設(shè)定的過(guò)壓閾值時(shí)，關(guān)閉門(mén)極驅(qū)動(dòng)，保護(hù)負(fù)載。
• ?欠壓鎖定?：當(dāng)輸入電壓低于設(shè)定的欠壓閾值時(shí)，設(shè)備進(jìn)入關(guān)機(jī)模式。
• ?電荷泵?：為外部MOSFET提供所需的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓。
• ?多種工作模式?：包括工作模式和關(guān)機(jī)模式，通過(guò)EN/UVLO引腳控制。

應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• ?典型應(yīng)用電路?：展示了如何配置LM74502-Q1以驅(qū)動(dòng)外部MOSFET實(shí)現(xiàn)反向極性保護(hù)和過(guò)壓保護(hù)。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括MOSFET的選型、電荷泵電容的選擇、以及過(guò)壓保護(hù)電阻分壓器的配置。
• ?布局指導(dǎo)?：提供了布局建議，以確保最佳性能和可靠性。

封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類(lèi)型?：8引腳SOT-23封裝。
• ?訂購(gòu)信息?：提供LM74502-Q1和LM74502H-Q1兩種型號(hào)，具有不同的門(mén)極驅(qū)動(dòng)能力，滿足不同應(yīng)用需求。

文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：包括數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用筆記和用戶指南。
• ?社區(qū)支持?：通過(guò)TI E2E支持論壇獲取設(shè)計(jì)幫助和解答。

注意事項(xiàng)

• 在使用LM74502-Q1和LM74502H-Q1時(shí)，應(yīng)確保輸入電壓不超過(guò)最大額定電壓，以避免損壞設(shè)備。
• 在選擇外部MOSFET時(shí)，應(yīng)考慮其最大漏源電壓、漏極電流和導(dǎo)通電阻等參數(shù)，以滿足應(yīng)用需求。