MCU的存儲器層次結構通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構可分為以下層次：
一、寄存器層（最高速）
定位?：集成于CPU內核中，直接參與運算與指令執(zhí)行，速度最快（納秒級），但容量極?。ㄍǔ镵B級）。
功能?：
存儲臨時操作數(shù)、地址指針及狀態(tài)標志。
支持低延遲的數(shù)據(jù)處理，確保實時控制類任務的高效執(zhí)行。

二、片上SRAM層（高速易失存儲）
定位?：CPU主內存，用于存儲運行時變量、堆棧及動態(tài)數(shù)據(jù)，訪問速度次于寄存器但容量更大（通常為數(shù)十KB至數(shù)百KB）。
技術特性?：
SRAM類型?：無需刷新電路，適用于低功耗場景。
分區(qū)管理?：高端MCU（如TC397）通過MPU劃分SRAM區(qū)域，隔離安全關鍵數(shù)據(jù)與普通任務數(shù)據(jù)。
三、片上Flash層（非易失存儲）
定位?：存儲程序代碼、常量及配置參數(shù)，容量范圍大（通常為數(shù)百KB至數(shù)MB），但讀寫速度顯著低于SRAM。
架構優(yōu)化?：
分區(qū)設計?：劃分Code區(qū)（零等待周期）與Data區(qū)（高延遲），提升實時代碼執(zhí)行效率（如STM32H753）。
OTA支持?：通過獨立扇區(qū)實現(xiàn)固件更新，避免運行時中斷（如車載MCU的DFlash分區(qū)）。

審核編輯 黃宇