肖特基勢壘二極管（SBD）的選擇

有關(guān)絕對最大額定值，根據(jù)與FET同樣的理由，應(yīng)選擇相對于使用條件的1.5倍～2倍左右的產(chǎn)品。SBD的損失為正向熱損失V_F×I_F和反向漏電流I_R引起的熱損失的合計值。因此，選擇V_F、I_R都小的產(chǎn)品比較理想。但是，V_F與I_R成反比關(guān)系，一般要視負載電流而選用。V_F在重負載時大，考慮到IR與負載無關(guān)為一定的值，所以輕負載時選擇I_R小的產(chǎn)品對提高效率的效果較好，重負載時選擇V_F小的產(chǎn)品效果較好。將上面的內(nèi)容歸納于下面的表6中。

表6 選擇SBD的要點

圖17所示是圖18所示的XC9220A093電路中只用表7所示的SBD變更時的效率變化。可看到與XBS203V17相比, XBS204S7的I_R小,所以輕負載時的效率高,而因V_F較大,所以重負載時效率低。

圖17. XC9220A093SBD的選擇與效率的不同

圖18. 圖17的測試電路

XC9220A093(降壓時)

表7 測試了圖17的SBD的各種特性

C_L的選擇

C_L越大則紋波越小，但過分大的話，電容器的形狀也大，成本提高。C_L由所需的紋波大小而定。首先，大致以10mV～40mV的紋波大小為目標，升壓時從表8的電容值開始，降壓時從表9的電容值開始。但是，不支持低ESR電容器的DC/DC有異常振蕩的危險，以連續(xù)模式使用時要想采用低ESR電容器的話，應(yīng)預先檢查負載瞬態(tài)響應(yīng)，確認輸出電壓能否及時穩(wěn)定(振蕩大致在2次以內(nèi)即收斂)。

圖19是圖20所示的XC9104D093中只更換了C_L后測試的輸出紋波變化。紋波與ESR成正比，與電容值成反比地增大。鋁電解電容時，沒有并聯(lián)的陶瓷電容的話，ESR過大難以獲得輸出電流。

表8 升壓時C_L的標準

表9 降壓時C_L的標準

圖19.隨C_L值變化的輸出側(cè)紋波例(XC9104D093)

圖20. XC9104D093 圖19的測試電路