LM9061 系列由電荷泵器件組成，可提供 柵極驅(qū)動(dòng)到配置為高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或開關(guān)的任意尺寸的外部功率 MOSFET。這 包括多個(gè)并聯(lián)連接的 MOSFET，適用于極高電流應(yīng)用。一個(gè) CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 輸入控制輸出柵極驅(qū)動(dòng)電壓。在 ON 狀態(tài)下， 電荷泵電壓，遠(yuǎn)高于可用的 V抄送supply，是 直接應(yīng)用于 MOSFET 的柵極。內(nèi)置 15V 齊納二極管可箝位到源極的最大柵極 MOSFET 的電壓。當(dāng)命令關(guān)閉時(shí)，110μA 電流吸收器將 MOSFET 具有逐漸關(guān)斷特性，以最大限度地減少感性負(fù)載的持續(xù)時(shí)間 瞬態(tài)電壓，并進(jìn)一步保護(hù)功率 MOSFET。
*附件：lm9061-q1.pdf

功率 MOSFET 的無損保護(hù)是 LM9061 的一個(gè)關(guān)鍵特性。電壓降 （V DS 系列 ） 在整個(gè)功率器件中受到持續(xù)監(jiān)控并與 外部可編程閾值電壓。一個(gè)小型電流感應(yīng)電阻器，與 負(fù)載會(huì)導(dǎo)致可用能量損失，因此保護(hù)電路不需要。如果 VDS 系列電壓，由于負(fù)載電流過大，超過閾值電壓， 輸出以更漸進(jìn)的方式（通過 10 μA 輸出電流吸收）鎖定 可編程延遲時(shí)間間隔。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
• 可承受 60V 電源瞬變
• 帶 V 的過壓關(guān)斷 抄送 > 30 V
• 無損過流保護(hù)閉鎖
  • 不需要電流檢測(cè)電阻器
  • 在高電流負(fù)載下將功率損耗降至最低
• 保護(hù)閉鎖的可編程延遲
• 逐漸關(guān)斷以較大限度地降低電感負(fù)載瞬態(tài)電壓
• CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 控制輸入

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

LM9061-Q1是一款高側(cè)保護(hù)控制器，專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，并通過AEC-Q100認(rèn)證。它使用內(nèi)部電荷泵電路為高側(cè)MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓，并具備過壓、過流和無損過流保護(hù)等特性。

2. 主要特性

• ?汽車應(yīng)用認(rèn)證?：符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。
• ?過壓保護(hù)?：當(dāng)V_CC超過30V時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉MOSFET以保護(hù)負(fù)載。
• ?無損過流保護(hù)?：通過監(jiān)測(cè)MOSFET的漏源電壓（V_DS）來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)，無需串聯(lián)電阻，減少功率損耗。
• ?可編程延遲保護(hù)?：允許短暫過流而不立即關(guān)閉，適用于啟動(dòng)電流較大的負(fù)載。
• ?CMOS邏輯兼容?：通過簡單的ON/OFF控制輸入來控制MOSFET的開關(guān)。
• ?逐漸關(guān)斷特性?：在關(guān)閉時(shí)，通過110μA的電流源逐漸放電MOSFET柵極電容，減少感性負(fù)載的瞬態(tài)電壓。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ? 傳輸控制單元（TCU） ?
• ? 發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU） ?
• ?閥門、繼電器和電磁閥驅(qū)動(dòng)?
• ?燈驅(qū)動(dòng)?
• ?直流電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng)?
• ?邏輯控制電源分配開關(guān)?
• ?電子電路斷路器?
• ?高功率音頻揚(yáng)聲器?

4. 功能描述

4.1 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

• 使用內(nèi)部電荷泵電路，在V_CC基礎(chǔ)上提供更高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
• 最大柵源電壓被限制在15V，以保護(hù)MOSFET。

4.2 基本操作

• 當(dāng)ON/OFF控制輸入為高電平時(shí)，LM9061輸出柵極驅(qū)動(dòng)電壓，使MOSFET導(dǎo)通。
• 當(dāng)ON/OFF控制輸入為低電平時(shí)，LM9061通過110μA電流源逐漸放電MOSFET柵極電容，實(shí)現(xiàn)逐漸關(guān)斷。

4.3 無損過流保護(hù)

• 通過監(jiān)測(cè)V_DS電壓，當(dāng)超過設(shè)定閾值時(shí)，經(jīng)過可編程延遲后，LM9061將MOSFET關(guān)斷。
• 保護(hù)閾值通過外部電阻設(shè)置。

4.4 延遲定時(shí)器

• 允許在過流保護(hù)觸發(fā)后，有短暫的延遲時(shí)間，以適應(yīng)啟動(dòng)電流較大的負(fù)載。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOIC-8
• ?尺寸?：4.9mm × 3.91mm

6. 典型應(yīng)用電路

• 提供了驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET和多個(gè)并聯(lián)MOSFET的典型應(yīng)用電路。
• 展示了如何通過外部電阻設(shè)置過流保護(hù)閾值。

7. 設(shè)計(jì)指南

• ?電源推薦?：V_CC應(yīng)使用至少10倍于MOSFET柵極電容的旁路電容。
• ?布局建議?：關(guān)鍵元件（如旁路電容、參考電阻等）應(yīng)盡可能靠近LM9061的相應(yīng)引腳。

8. 設(shè)備與文檔支持

• 提供了相關(guān)的技術(shù)文檔、工具、軟件支持和社區(qū)資源鏈接。

LM9061-Q1以其高側(cè)保護(hù)、無損過流保護(hù)和逐漸關(guān)斷特性，在汽車電子和其他需要高可靠性電源管理的應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。