最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5%。

除了三星，SK海力士、美光此前也傳出漲價(jià)的消息。據(jù)供應(yīng)鏈人士透露，海力士DRAM（消費(fèi)級(jí)）顆粒（Memory Chip/Die）價(jià)格已上漲約12%。

而美光率先于2025年第二季度對(duì)DRAM內(nèi)存合約價(jià)上調(diào)10-12%，并已通知對(duì)部分存儲(chǔ)產(chǎn)品（如DRAM內(nèi)存和SSSD固態(tài)硬盤等）征收與關(guān)稅相關(guān)的附加費(fèi)。

最近諸多信息顯示，存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)反彈。NAND閃存原廠閃迪在3月6日也向渠道發(fā)布了閃存價(jià)格上調(diào)通知，該公司從4月1日開(kāi)始實(shí)施價(jià)格上漲，這些漲幅將超過(guò)10%，并適用于所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品。

閃迪官方在文件中稱，存儲(chǔ)行業(yè)的供需關(guān)系即將過(guò)渡到供不應(yīng)求的狀態(tài)，這與關(guān)稅變動(dòng)一同影響了閃迪的供應(yīng)能力并增加了該企業(yè)的運(yùn)營(yíng)成本，因此作出了價(jià)格調(diào)漲的決定。閃迪還提到該企業(yè)將繼續(xù)頻繁進(jìn)行定價(jià)審查，且認(rèn)為在接下來(lái)的幾個(gè)季度中還會(huì)有更多的漲價(jià)。

另外，國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下零售品牌致態(tài)此前也透露，或從2025年4月起上調(diào)渠道提貨價(jià)格，漲幅可能超10%。國(guó)內(nèi)多家存儲(chǔ)芯片原廠的價(jià)格也在上漲，包括兆易創(chuàng)新、東芯股份、江波龍等廠商的部分產(chǎn)品。其中，小容量NAND是這一輪漲價(jià)里最先有反應(yīng)的品類。

這一輪價(jià)格上漲首先源于供需關(guān)系的變化，近期，由于全球IT設(shè)備制造商庫(kù)存緊張，以及AI、云計(jì)算、5G等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求激增。存儲(chǔ)芯片制造商為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，紛紛進(jìn)行產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整，減少對(duì)傳統(tǒng)制程產(chǎn)品的生產(chǎn)，增加對(duì)先進(jìn)制程產(chǎn)品（如DDR5、HBM等）的投入，導(dǎo)致部分存儲(chǔ)芯片供應(yīng)緊張。

其次源于技術(shù)升級(jí)需求，隨著AI技術(shù)的不斷迭代升級(jí)，對(duì)存儲(chǔ)芯片的性能要求也越來(lái)越高。高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等高端存儲(chǔ)芯片的需求迅速增長(zhǎng)，推動(dòng)了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的整體價(jià)格上漲。存儲(chǔ)芯片制造商為保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，不斷加大研發(fā)投入，推動(dòng)技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)品迭代，這也增加了生產(chǎn)成本，進(jìn)而傳導(dǎo)至產(chǎn)品價(jià)格。

還有就是源于地緣政治因素，美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口限制及關(guān)稅政策的影響，導(dǎo)致全球供應(yīng)鏈緊張局勢(shì)持續(xù)。為規(guī)避供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)，部分企業(yè)提前鎖定存儲(chǔ)芯片訂單，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)供需失衡。