TB67S109A是一款兩相雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，采用PWM斬波器。解碼器的時(shí)鐘是內(nèi)置的。采用BiCD工藝制造，額定值為50V/4.0A。

特點(diǎn)；王工；wdylsq集成BiCD工藝的單片集成電路。 ? 能夠控制1個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)。 ? PWM控制的恒流驅(qū)動(dòng)。 ? 支持全步、半步、四分之一步、八分之一步、十六分之一步、三十二分之一步操作。 ? 低導(dǎo)通電阻（高側(cè)+低側(cè)=0.49Ω（典型值））MOSFET輸出級(jí)。 ? 高效的電機(jī)電流控制機(jī)制（先進(jìn)的動(dòng)態(tài)混合衰減） ? 高電壓和大電流（具體規(guī)格請(qǐng)參考絕對(duì)最大額定值和操作范圍） ? 錯(cuò)誤檢測(cè)（TSD/ISD）信號(hào)輸出功能 ? 內(nèi)置錯(cuò)誤檢測(cè)電路（熱關(guān)斷（TSD）、過(guò)流關(guān)斷（ISD）和上電復(fù)位（POR）） ? 內(nèi)置VCC穩(wěn)壓器供內(nèi)部電路使用。 ? 可以通過(guò)外部電阻和電容自定義電機(jī)的斬波頻率。 ? 多種封裝形式 TB67S109AFTG：P-WQFN48-0707-0.50-003 TB67S109AFNG：HTSSOP48-P-300-0.50 注意）使用過(guò)程中要注意熱條件

應(yīng)用說(shuō)明 在使用TB67S109A時(shí)，PCB的GND圖案應(yīng)為實(shí)心圖案，并且只在一個(gè)點(diǎn)外部終止。同時(shí)，應(yīng)考慮接地方法以實(shí)現(xiàn)有效的散熱。 應(yīng)仔細(xì)注意輸出、VDD(VM)和GND走線的布局，以避免跨輸出引腳或電源或地的短路。如果發(fā)生此類短路，設(shè)備可能會(huì)永久損壞。 此外，對(duì)于該設(shè)備的圖案設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)必須非常小心，因?yàn)樗须娫垂?yīng)引腳（VM、RS、OUT、GND），通過(guò)這些引腳可能流過(guò)特別大的電流。如果這些引腳接線錯(cuò)誤，可能會(huì)發(fā)生操作錯(cuò)誤或設(shè)備被毀。 邏輯輸入引線也必須正確連接。否則，由于流過(guò)IC的電流大于指定電流，設(shè)備可能會(huì)損壞

東芝的驅(qū)動(dòng)芯片TB67S109AFNG和 TB67S109AFTG屬于同一系列（TB67S109A）主要區(qū)別在于封裝形式和散熱性能。以下是具體差異：

1. 封裝不同
TB67S109AFNG：采用 HTSSOP-48-EP-6.1mm封裝（散熱型表面貼裝封裝）。

TB67S109AFTG：采用 QFN-48-EP(7x7)封裝（更薄的小型封裝）。

HSSOP通常比 QFN 的散熱性能更好，因?yàn)槠浞庋b厚度略大，可能帶有散熱焊盤或更好的熱傳導(dǎo)設(shè)計(jì)

2. 散熱能力

FNG（HSSOP）適合需要更高散熱能力的應(yīng)用（如大電流驅(qū)動(dòng)或高溫環(huán)境）

FTG（QFN）更輕薄，但散熱性能稍弱，適用于空間受限但對(duì)散熱要求不極端的場(chǎng)景

3. 其他參數(shù)

兩者的電氣特性（如輸出電流、電壓范圍、邏輯控制等）完全一致，功能上無(wú)差異。
具體封裝尺寸可通過(guò)東芝官方數(shù)據(jù)手冊(cè)確認(rèn)

4. 選型建議

-若設(shè)計(jì)對(duì)散熱要求高（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、持續(xù)大電流）優(yōu)先選FNG（HSSOP）

-若需節(jié)省PCB空間或散熱需求較低，可選 FTG（QFN-48）

需要詳細(xì)了解，建議聯(lián)系技術(shù)支持王工以及查看數(shù)據(jù)手冊(cè)【東芝總代王工；wdylsq】（(Business to Business Integrated Solutions)）確認(rèn)封裝尺寸和熱阻參數(shù)，以確保與設(shè)計(jì)匹配。

審核編輯 黃宇