TPS22932B設(shè)備是一個(gè)低r上帶受控負(fù)載開關(guān) 打開。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET，可在 1.1 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 V 至 3.6 V。

該開關(guān)由 8 個(gè) 3 位輸入模式控制。用戶可以選擇邏輯 功能 MUX、AND、OR、NAND、NOR、逆變器和非逆變器。所有輸入都可以連接到 V在或 GND 的 S 。控制引腳可以連接到低壓 GPIO，從而允許 開關(guān)由 1.2V、1.8V、2.5V 或 3.3V 邏輯信號(hào)控制，同時(shí)保持 極低的靜態(tài)電流。
*附件：tps22932b.pdf

Ω當(dāng)開關(guān) 關(guān)閉。該器件的上升時(shí)間（轉(zhuǎn)換速率）在內(nèi)部進(jìn)行控制，以避免浪涌 電流：TPS22932B 的上升時(shí)間為 165 μs。

TPS22932B 采用節(jié)省空間的 6 引腳 DSBGA（間距為 0.4mm 的 YFP）封裝。設(shè)備 的額定溫度范圍為 –40°C 至 85°C 的自由空氣溫度。

特性

• 輸入電壓：1.1 V 至 3.6 V
• 超低導(dǎo)通電阻
  • r上V 時(shí) = 55 mΩ 在 = 3.6 伏
  • r上V 時(shí) = 65 mΩ 在 = 2.5 伏
  • r上V 時(shí) = 75 mΩ 在 = 1.8 伏
  • r上V 時(shí) = 115 mΩ 在 = 1.2 伏
• 500mA 最大連續(xù)開關(guān)電流
• 靜態(tài)電流 < 1 μA
• 關(guān)斷電流 < 1 μA
• 低控制閾值允許使用 1.2V、1.8V、
  2.5V 和 3.3V 邏輯
• 可配置的使能邏輯
• 可避免浪涌電流的受控轉(zhuǎn)換速率：
  1.8 V 時(shí)為 165 μs
• 六端子晶圓芯片尺寸封裝 （DSBGA）
• ESD 性能測(cè)試符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
  • 2000V 人體模型
    （A114-B，II 類）
  • 1000V 充電器件模型 （C101）
• 應(yīng)用
  • PDA
  • 手機(jī)
  • GPS 設(shè)備
  • MP3 播放器
  • 數(shù)碼相機(jī)
  • 外設(shè)端口
  • 便攜式儀器儀表

參數(shù)

方框圖

概述

TPS22932B是一款低輸入電壓、超低RON負(fù)載開關(guān)，具有可配置的使能邏輯和受控的上升時(shí)間（或稱為“斜率”）。該器件適用于多種便攜式設(shè)備，如PDA、手機(jī)、GPS設(shè)備等，提供精確且低功耗的電流控制。

主要特性

• ?低輸入電壓范圍?：支持1.1V至3.6V的輸入電壓。
• ?超低RON?：在不同輸入電壓下的RON值分別為55mΩ（VIN = 3.6V）、65mΩ（VIN = 2.5V）、75mΩ（VIN = 1.8V）和115mΩ（VIN = 1.2V）。
• ?最大連續(xù)開關(guān)電流?：500mA。
• ?可配置的使能邏輯?：通過(guò)3位輸入（ON1、ON2、ON3）提供8種邏輯功能，包括MUX、AND、OR、NAND、NOR、反相器和非反相器。
• ?受控上升時(shí)間?：避免浪涌電流，上升時(shí)間典型值為165μs（VIN = 1.8V）。
• ?快速輸出放電?：內(nèi)置120Ω負(fù)載電阻，可在開關(guān)關(guān)閉時(shí)快速將輸出放電至地。
• ?低控制閾值?：兼容1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯信號(hào)。
• ?小封裝?：采用6引腳DSBGA封裝，尺寸為0.8mm x 1.2mm。

應(yīng)用場(chǎng)景

• ?PDA?
• ?手機(jī)?
• ?GPS設(shè)備?
• ?MP3播放器?
• ?數(shù)碼相機(jī)?
• ?便攜式儀器?

功能描述

• ?開關(guān)控制?：通過(guò)ON1、ON2、ON3三個(gè)引腳實(shí)現(xiàn)8種不同的邏輯功能，允許用戶根據(jù)需求選擇適當(dāng)?shù)目刂颇Ｊ健?/li>
• ?快速輸出放電?：當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時(shí)，內(nèi)置的120Ω負(fù)載電阻可快速將輸出放電至地，防止輸出浮動(dòng)。
• ?低靜態(tài)電流?：在關(guān)斷狀態(tài)下，靜態(tài)電流小于1μA，有助于延長(zhǎng)電池壽命。

電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：1.1V至3.6V。
• ? RON（典型值） ?：隨輸入電壓變化，最低可達(dá)55mΩ（VIN = 3.6V）。
• ? 上升時(shí)間（典型值） ?：165μs（VIN = 1.8V）。
• ?關(guān)斷時(shí)間?：根據(jù)負(fù)載和電容值不同，關(guān)斷時(shí)間在數(shù)十微秒至數(shù)百微秒之間。

封裝與尺寸

• ?封裝類型?：6引腳DSBGA封裝（YFP，0.4mm間距）。
• ?尺寸?：0.8mm x 1.2mm x 0.4mm（最大高度）。

設(shè)計(jì)指南

• ?輸入電容?：建議在VIN和GND之間添加一個(gè)1μF的陶瓷電容，以限制開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的瞬態(tài)涌入電流。
• ?輸出電容?：由于PMOS開關(guān)內(nèi)部存在體二極管，建議輸入電容CIN大于輸出電容CL，以避免VOUT在系統(tǒng)供電移除時(shí)超過(guò)VIN。
• ?布局建議?：所有走線應(yīng)盡可能短，輸入和輸出電容應(yīng)靠近TPS22932B放置，以減小寄生電感對(duì)電路性能的影響。