TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005（200V 額定值）、TPS7H6015（60V 額定值）和 TPS7H6025（22V 額定值）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，提供 QMLP 和航天增強型塑料 （SEP） 等級。驅(qū)動器具有可調(diào)死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無論電源電壓如何，它們都能確保 5V 的驅(qū)動電壓。TPS7H60x5 驅(qū)動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調(diào)整輸出的導通和關斷強度。
*附件：tps7h6015-sep.pdf

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個輸入產(chǎn)生兩個互補輸出信號，用戶可以調(diào)整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時，輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，這允許驅(qū)動器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強度 （RHA） 高達 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子瞬態(tài) （SET）、單粒子倦怠 （SEB） 和單粒子柵極破裂 （SEGR） 不受線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài) （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
  • 兩個獨立的輸入
• 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
• 用于可調(diào)開啟和關閉時間的分離輸出
• 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配
• 根據(jù) ASTM E595 進行塑料包裝脫氣測試
• 適用于軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品系列?：TPSHx系列
• ?類型?：輻射硬化保證（RHA）半橋GaN FET門驅(qū)動器
• ?型號?：TPSH（V額定值）
• ?封裝?：引腳HTSSOP塑料封裝，QMLP和SEP等級
• ?應用?：適用于空間衛(wèi)星電源、電機驅(qū)動、通信有效載荷等高頻、高效、高電流應用

二、主要特性

• ?輻射性能?：
  • 總劑量電離輻射（TID）保證高達krad(Si)
  • 對單事件瞬態(tài)（SET）、單事件燒毀（SEB）和單事件柵極擊穿（SEGR）免疫
  • SET和單事件功能中斷（SEFI）特征高達MeV-cm2/mg的線性能量轉(zhuǎn)移（LET）
• ?驅(qū)動能力?：
  • .A峰值源電流，.A峰值沉電流
  • 可調(diào)節(jié)死區(qū)時間
  • ns典型傳播延遲（獨立輸入模式）
  • .ns典型高低側(cè)延遲匹配
• ?操作模式?：
  • 單PWM輸入模式
  • 獨立輸入模式（IIM），支持可選輸入互鎖保護
• ?溫度范圍?：軍事溫度范圍（-°C至°C）

三、功能描述

• ?內(nèi)部線性穩(wěn)壓器?：高側(cè)和低側(cè)均內(nèi)置V線性穩(wěn)壓器，確保穩(wěn)定的柵極驅(qū)動電壓
• ?分裂輸出?：高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動輸出分裂，可獨立調(diào)整開通和關斷時間
• ?保護特性?：
  • 欠壓鎖定（UVLO）保護
  • 輸入互鎖保護（IIM模式下可選）
  • 短路鉗位保護
  • 過溫保護
• ?啟動特性?：支持內(nèi)部自舉開關和外部直接充電兩種自舉電容充電方式

四、電氣特性

• ?供電電壓?：VIN范圍為V至V
• ?輸出特性?：
  • 高電平輸出電壓（VOH）：.V至.V
  • 低電平輸出電壓（VOL）：.V至.V
  • 峰值源電流（IOH）：.A（典型值）
  • 峰值沉電流（IOL）：.A（典型值）
• ?傳播延遲?：
  • LO開通傳播延遲（tLPLH）：ns至ns
  • LO關斷傳播延遲（tLPHL）：ns至ns
  • HO開通傳播延遲（tHPLH）：ns至ns
  • HO關斷傳播延遲（tHPHL）：ns至ns

五、應用與實現(xiàn)

• ?典型應用?：同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋拓撲等
• ?設計要求?：包括自舉電容和旁路電容的選擇、柵極電阻的調(diào)整、死區(qū)時間的設置等
• ?布局指南?：強調(diào)了PCB布局的重要性，以減少噪聲耦合和降低環(huán)路電感

六、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：HTSSOP（引腳）
• ?尺寸?：長度.mm，寬度.mm，高度（含熱墊）.mm

七、文檔支持

• 提供了相關文檔鏈接，包括評估模塊用戶指南、輻射報告等
• 提供了接收文檔更新通知的方式