TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6005（200V 額定值）、TPS7H6015（60V 額定值）和 TPS7H6025（22V 額定值）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，提供 QMLP 和航天增強(qiáng)型塑料 （SEP） 等級(jí)。驅(qū)動(dòng)器具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無(wú)論電源電壓如何，它們都能確保 5V 的驅(qū)動(dòng)電壓。TPS7H60x5 驅(qū)動(dòng)器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨(dú)立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
*附件：tps7h6025-sep.pdf

TPS7H60x5 驅(qū)動(dòng)器具有兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個(gè)輸入產(chǎn)生兩個(gè)互補(bǔ)輸出信號(hào)，用戶可以調(diào)整每個(gè)邊沿的死區(qū)時(shí)間。

柵極驅(qū)動(dòng)器還在獨(dú)立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)打開(kāi)時(shí)，輸入互鎖不允許兩個(gè)輸出打開(kāi)。用戶可以選擇在獨(dú)立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù)，這允許驅(qū)動(dòng)器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強(qiáng)度 （RHA） 高達(dá) 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子瞬態(tài) （SET）、單粒子倦怠 （SEB） 和單粒子?xùn)艠O破裂 （SEGR） 不受線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài) （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
  • 兩個(gè)獨(dú)立的輸入
• 獨(dú)立輸入模式下的可選輸入互鎖保護(hù)
• 用于可調(diào)開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間的分離輸出
• 獨(dú)立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配
• 根據(jù) ASTM E595 進(jìn)行塑料包裝脫氣測(cè)試
• 適用于軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPSH5-SEP
• ?類型?：輻射硬化保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器
• ?應(yīng)用?：高頻、高效、高電流應(yīng)用，適用于空間環(huán)境

二、主要特性

• ?電壓等級(jí)?：V驅(qū)動(dòng)能力
• ?封裝?：6引腳HTSSOP塑料封裝，QMLP和SEP器件等級(jí)
• ?驅(qū)動(dòng)性能?：
  • 傳播延遲：ns（典型值）
  • 高側(cè)與低側(cè)延遲匹配：5.5ns（典型值）
  • 峰值源電流：.A
  • 峰值沉電流：.A
• ?控制模式?：
  • 獨(dú)立輸入模式（IIM）：兩個(gè)獨(dú)立輸入控制高側(cè)和低側(cè)輸出
  • PWM模式：?jiǎn)蝹€(gè)PWM輸入生成互補(bǔ)輸出信號(hào)
• ?保護(hù)功能?：
  • 輸入互鎖保護(hù)（可選）
  • 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
  • 電源良好（PGOOD）指示

三、電氣特性

• ?供電電壓?：VIN范圍V至V
• ?輸出電壓?：內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)5V線性調(diào)節(jié)器（BPH和BPL）
• ?靜態(tài)電流?：
  • 低側(cè)靜態(tài)電流（IQLS）：5mA至0mA（取決于操作模式和頻率）
  • 高側(cè)靜態(tài)電流（IQHS）：4mA至3mA（取決于操作模式和頻率）
• ?輸出特性?：
  • 高電平輸出電壓（VOH）：.3V至.V
  • 低電平輸出電壓（VOL）：0.V至0.V
  • 峰值源/沉電流：.A/2.5A至.A

四、功能描述

• ?輸入電壓?：VIN作為低側(cè)線性調(diào)節(jié)器的輸入，并用于高側(cè)自舉電容的充電
• ?自舉電路?：支持多種自舉電容充電方式，包括通過(guò)內(nèi)部自舉開(kāi)關(guān)或直接從VIN充電
• ?死區(qū)時(shí)間?：在PWM模式下，通過(guò)外部電阻設(shè)置死區(qū)時(shí)間
• ?輸入互鎖保護(hù)?：在IIM模式下可選，防止高側(cè)和低側(cè)同時(shí)導(dǎo)通
• ?UVLO和PGOOD?：監(jiān)控內(nèi)部調(diào)節(jié)器和VIN電壓，確?？煽抗ぷ?/li>

五、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• ?設(shè)計(jì)考慮?：
  • 適用于半橋配置，如同步降壓或全橋拓?fù)?/li>
  • 需要外部自舉二極管和電容
• ?布局指南?：
  • 將GaN FET盡可能靠近柵極驅(qū)動(dòng)器放置，以減少環(huán)路電感
  • 最小化自舉充電路徑的環(huán)路面積
• ?典型應(yīng)用?：
  • 提供了在同步降壓轉(zhuǎn)換器中的設(shè)計(jì)示例，包括組件選擇和配置