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TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-15 17:36 ? 次閱讀
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TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H6023-SP(額定電壓 22V)。驅(qū)動(dòng)器具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高壓側(cè)和低壓側(cè) LDO,無(wú)論電源電壓如何,都能確保 5V 的驅(qū)動(dòng)電壓。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器均具有分離柵極輸出,可靈活地獨(dú)立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
*附件:tps7h6013-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器具有兩種控制輸入模式:獨(dú)立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每個(gè)輸出都由專(zhuān)用輸入控制。在 PWM 模式下,單個(gè)輸入產(chǎn)生兩個(gè)互補(bǔ)輸出信號(hào),用戶(hù)可以調(diào)整每個(gè)邊沿的死區(qū)時(shí)間。

柵極驅(qū)動(dòng)器還在獨(dú)立輸入模式下提供用戶(hù)可配置的輸入互鎖,作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)打開(kāi)時(shí),輸入互鎖不允許兩個(gè)輸出打開(kāi)。用戶(hù)可以選擇在獨(dú)立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù),這允許驅(qū)動(dòng)器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

  • 輻射性能:
    • 抗輻射強(qiáng)度 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 的總電離劑量 (TID)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燃盡 (SEB) 和單粒子?xùn)艠O破裂 (SEGR) 不受線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 的影響 = 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特性高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流,2.5A 峰值灌電流
  • 兩種作模式:
    • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
    • 兩個(gè)獨(dú)立的輸入
  • 獨(dú)立輸入模式下的可選輸入互鎖保護(hù)
  • 用于可調(diào)開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間的分離輸出
  • 獨(dú)立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
  • 5.5ns 典型延遲匹配

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱(chēng)?:TPSH-SP
  • ?類(lèi)型?:輻射硬化保證(RHA)的GaN FET半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
  • ?應(yīng)用?:空間衛(wèi)星電源供應(yīng)、通信有效載荷、命令與數(shù)據(jù)處理、光學(xué)成像有效載荷等

二、主要特性

  • ?輻射性能?:
    • 總電離劑量(TID)保證高達(dá)krad(Si)
    • 對(duì)單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)、單粒子?xùn)艠O擊穿(SEGR)免疫
    • 單事件瞬態(tài)(SET)和單事件功能中斷(SEFI)特性高達(dá)LET = MeV-cm2/mg
  • ?驅(qū)動(dòng)能力?:
    • 峰值源電流.A
    • 峰值沉電流.A
  • ?操作模式?:
    • 單PWM輸入,可調(diào)死區(qū)時(shí)間
    • 兩個(gè)獨(dú)立輸入
  • ?保護(hù)特性?:
    • 可選輸入互鎖保護(hù)
    • 分裂輸出,可調(diào)開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間
    • ns典型傳播延遲
    • .ns典型延遲匹配

三、電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:V至V
  • ?內(nèi)部線性穩(wěn)壓器?:
    • BPL和BPL提供V和V輸出
    • BPH提供V輸出用于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:多個(gè)內(nèi)部和外部電源具有UVLO保護(hù)
  • ? 功率好(PGOOD) ?:指示低側(cè)內(nèi)部線性穩(wěn)壓器或VIN是否進(jìn)入欠壓鎖定

四、功能描述

  • ?自舉操作?:支持多種自舉電容充電方式,包括通過(guò)內(nèi)部自舉開(kāi)關(guān)和外部直接VIN充電
  • ?死區(qū)時(shí)間?:在PWM模式下,通過(guò)外部電阻設(shè)置高側(cè)和低側(cè)輸出之間的死區(qū)時(shí)間
  • ?輸入互鎖保護(hù)?:在獨(dú)立輸入模式下,防止高側(cè)和低側(cè)同時(shí)開(kāi)通,防止直通

五、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:同步降壓轉(zhuǎn)換器、全橋拓?fù)涞?/li>
  • ?設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?:
    • 自舉電容和旁路電容的選取和放置
    • 柵極電阻的選取,以調(diào)節(jié)開(kāi)通和關(guān)斷速度并抑制振鈴
    • 死區(qū)時(shí)間的設(shè)置,以防止交叉導(dǎo)通

六、封裝與尺寸

  • ?封裝類(lèi)型?:引腳陶瓷扁平封裝(CFP)
  • ?尺寸?:.mm x .mm(體尺寸),不包括引腳

七、文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:包括評(píng)估模塊用戶(hù)指南、單事件效應(yīng)輻射報(bào)告、總電離劑量輻射報(bào)告等
  • ?支持資源?:TI EE支持論壇、商標(biāo)信息、靜電放電(ESD)警告等

該文檔詳細(xì)描述了TPSH-SP輻射硬化保證的GaN FET半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、功能描述、應(yīng)用信息、封裝尺寸以及相關(guān)的文檔和支持資源。該驅(qū)動(dòng)器適用于需要高輻射性能保證的空間應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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