4月11日，長江存儲以“芯存長江，智儲未來”為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設備。

2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設備而準備，預計很快就可以實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)。

中國內(nèi)需龐大，不僅有華為、聯(lián)想等終端制造商，還有百度、騰訊、阿里巴巴等互聯(lián)網(wǎng)巨頭，再加上中國物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、機器人等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中國對半導體芯片需求龐大，尤其是存儲器。

對于中國而言，芯片國產(chǎn)化是一個戰(zhàn)略目標，長江存儲存儲器一期廠房建設的完工以及廠房正式移入生產(chǎn)設備，代表著國產(chǎn)存儲正式進入正軌。

據(jù)悉，國家存儲器基地一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存生產(chǎn)廠房，存儲器基地一號項目未來總產(chǎn)能將達到30萬片/月。

9日的CITE大會上，趙偉國表示：武漢長江存儲基地4月11日開始移入生產(chǎn)設備，后續(xù)將實現(xiàn) 32層64G存儲器小規(guī)模量產(chǎn)。

在長江存儲發(fā)展規(guī)劃中，第一階段長江存儲將以 3D Nand Flash 做為切入點，通過技術(shù)合作支持爭取快速發(fā)展，第二階段目標到 2020 年月產(chǎn)能達到 30 萬片，趙偉國稱借此長江存儲將能進入世界內(nèi)存企業(yè)的第一梯隊，這階段將能貢獻中國芯片制造自產(chǎn)率的 8%，中國目標在 2020 年芯片自給率要達到 40%。

趙偉國曾透露，目前已經(jīng)籌集1800億人民幣，其中武漢800億，成都、南京兩個基地各500億元。紫光正在和重慶市政府、國家大基金發(fā)起紫光國芯集成電路股份有限公司（簡稱大公司），注冊資本1000億人民幣，注冊地是重慶。希望通過注冊資本1000億的大公司合計籌集1900億?？傆?700億，足夠五年的彈藥。

中國存儲器三大陣營成形

中囯己有三家企業(yè)向存儲器芯片制造發(fā)起沖鋒，分別是武漢長江存儲的32層3D NAND閃存；福建晉華的是32納米的DRAM利基型產(chǎn)品；以及合肥長鑫(睿力)的19納米 DRAM。而且三家都聲稱2018年底前將實現(xiàn)試產(chǎn)，開通生產(chǎn)線。

如果再計及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地，總計己有五家企業(yè)。

中國半導體業(yè)要上馬存儲器芯片制造，當時大多數(shù)人持謹慎態(tài)度，不是看輕自己，而是存儲器業(yè)的競爭太激烈。

以目前現(xiàn)況來看，中國發(fā)展存儲器的策略能否成功，未來的3~5年將是極其重要的關(guān)鍵期，特別是強化IP的布局，中國政府以及廠商未來必須憑借內(nèi)需市場、優(yōu)秀的開發(fā)能力，以及具國際水平的產(chǎn)能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球并占有一席之地。